全部产品分类
HASO SWIR 图像传感器

HASO SWIR

分类: 图像传感器

厂家: Axiom Optics

产地: 美国

型号: HASO SWIR

更新时间: 2025-01-03 14:42:45

短波长 光学测量 高精度 激光诊断 波前传感器

立即咨询 获取报价 获取报价 下载规格书 下载规格书
收藏 收藏

概述

HASO SWIR是一款高精度的波前传感器,专为短波长测量、显微镜和激光诊断等应用设计,能够在光学系统中量化像差,确保系统最佳性能。

参数

  • 孔径尺寸 / Aperture Dimension : 9.30 x 7.44 mm²
  • 微透镜数量 / Number Of Microlenses : 40 x 32
  • 最大采集频率 / Maximum Acquisition Frequency : 150 Hz (USB 3.0) or 49 Hz (GigE)
  • 校准波长范围 / Calibrated Wavelength Range : 0.9 - 1.7 µm
  • 最小功率 / Minimum Power : 0.3 pW
  • 外部触发频率 / External Trigger : TTL signal
  • 操作系统 / Operating System : Windows 10
  • 可重复性 / Repeatability : λ/200 RMS
  • 波长范围 / Wavelength Range (Nm) : 0.9 - 1.7
  • 绝对波前测量精度 / Absolute Wavefront Measurement Accuracy : λ/100 RMS
  • 空间采样 / Spatial Sampling : ~ 232.5 µm
  • 倾斜动态范围 / Tilt Dynamic Range : > ± 3°
  • 焦距动态范围 / Focus Dynamic Range : ± 0.017 m to ± ∞
  • 尺寸 / Dimensions (Height X Width X Length) : 75 x 78 x 63 mm³
  • USB版本重量 / Weight For USB Version : 250 g
  • 工作温度 / Working Temperature : 15 - 30 °C
  • 接口 / Interface : USB 3.0 or GigE
  • 电功耗 / Power Consumption : < 5 W
  • Gated版本曝光时间 / Exposure Time Of Gated Version : 100 ns - 9 µs
  • 动态范围(λ PtV) / Dynamic Range ( λ PtV) : 1000
  • 在λ = 1550 nm时的动态范围 / Dynamic Range At λ = 1550 Nm : 10

应用

1. 短波长测量 2. 显微镜应用 3. 激光诊断 4. LIDAR系统对齐 5. 空间和国防应用

特征

1. 激光束偏差控制优于3 µrad RMS 2. 适用于300m以上的曲率半径的准直诊断 3. 实时波前采集,测量精度λ/100 RMS 4. 直接测量光学系统的波长依赖性 5. 驱动波前校正器以修正系统像差 6. Gated版本具有超短曝光时间功能

详述

HASO SWIR是一款专为高精度测量而设计的波前传感器,适用于短波长测量、显微镜和激光诊断等领域。它能够在各种光学系统中量化像差,确保设备在各类应用中的最佳性能。该传感器具备激光束偏差控制、实时波前采集等多项先进功能,极大地方便了实验室和工业界的使用。无论是在空间和国防领域,还是在光学行业的研发中,HASO SWIR都能提供可靠的性能,满足用户对高精度测量的需求。其兼容性强,能够与多种设备配合使用,帮助用户提升工作效率和测量准确性。

图片集

HASO SWIR图1

规格书

下载规格书

厂家介绍

Axiom Optics提供较新的先进成像和光学计量产品。我们的团队为研究人员和工程师提供专业知识和支持。

相关产品

图片 名称 分类 制造商 参数 描述
  • 3390 MCP/RAE SENSOR HEAD 图像传感器 3390 MCP/RAE传感器头 图像传感器 Quantar Technology Inc

    有效面积直径: 25mm 空间分辨率: 0.25mm 多氯联苯俱乐部数量: 2

    3300系列是开面、微通道板(MCP)、电阻式阳极编码器(Rae)位置敏感探测器头,用于带电粒子和高能光子探测,包括标准或涂层(如CSI、KBr)MCP表面上的电子、正电子、离子、高能中性粒子、EUV和软X射线,在真空中运行(完全UHV兼容)。位置灵敏MCP/Rae探测头使用精密氧化铝陶瓷和镀金不锈钢制造,以获得较大的UHV兼容性真空压力;在操作中,单个入射事件(粒子或光子)撞击MCP检测器表面并导致电子级联,其中倍增增益因子取决于MCP的数量和类型、偏置电压和MCP配置。通过适当的偏置,MCP在增益饱和模式下工作,以帮助确保事件间相对恒定的增益,从而优化这些MCP成像探测器的位置灵敏度和空间分辨率。

  • EDS SEM Applications FAST SDD And C2 Window 图像传感器 EDS SEM应用FAST SDD和C2窗口 图像传感器 Amptek Inc

    活动区域: 25mm

    Amptek很高兴提供我们改进的硅漂移探测器(SDD)系列,用于扫描电子显微镜(SEM)中的能量色散谱(EDS)。使用我们获得专利的C系列氮化硅(Si3N4)X射线窗口,我们的FAST SDD®的低能量响应可向下延伸至铍(Be)。具有高本征效率的快速SDD®适用于EDS,也称为能量色散X射线光谱(EDX或XEDS)和能量色散X射线分析(EDXA)或能量色散X射线微量分析(EDXMA)。

  • FAST SDD 25mm Ultra High Performance Silicon Drift Detector 图像传感器 FAST SDD 25毫米超高性能硅漂移检测器 图像传感器 Amptek Inc

    活动区域: 25mm 活动区域: 17mm

    我们的传统SDD在密封TO-8封装内使用结栅场效应晶体管(JFET)以及外部前置放大器,与此不同的是,快速SDD在TO-8封装内使用互补金属氧化物半导体(CMOS)前置放大器,并用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)取代JFET。这显著降低了电容,大大降低了串联噪声,并在非常短的峰化时间内提高了分辨率。快速SDD®使用相同的检波器,但带有前置放大器,在较短的峰值时间内提供较低的噪声。改进的(较低的)分辨率使得能够隔离/分离具有接近的能量值的荧光X射线,否则峰值将重叠,从而允许用户更好地识别其样品中的所有元素。短的峰值时间也产生计数率的显著改进;更多的计数提供更好的统计数据。

  • Large Stitched X-Ray CMOS Image Sensor 图像传感器 大型缝合式X射线CMOS图像传感器 图像传感器 Forza Silicon Corp

    图像分辨率: 1024800lp/mm 图像大小: 854Pixels

    大型拼接X射线CMOS图像传感器。

  • Patented C1 Low Energy X-Ray Windows 图像传感器 获得专利的C1低能量X射线窗 图像传感器 Amptek Inc

    活动区域: 6.3mm 活动区域: 30mm

    Amptek获得专利的“C系列”X射线窗口利用带有铝涂层的氮化硅(Si3N4),将我们的硅漂移探测器(SDD)的低能量响应扩展到硼(B)。它们仅适用于我们的FASTSDD®。Amptek在推出先进款热电冷却探测器时提供了液氮的替代品。现在有了专利的“C系列”,我们为一般的XRF分析提供了铍(Be)窗口的替代方案,与用于软X射线分析的聚合物窗口相比,我们提供了优越的性能。

立即咨询

加载中....