半导体激光器,以其小巧的体积和高效的光电转换效率,在光纤通信、医疗治疗和工业加工等多个领域发挥着重要作用。购买时需考虑波长范围、功率水平和光电性能等关键参数,以确保激光器满足特定应用需求。
InGaAs Quadrant PIN光电二极管芯片
光电探测器 光学测量 高响应度 PIN光电二极管 InGaAs光电器件
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概述
参数
- 光谱范围 / Spectral Range : 0.9-1.7µm
- 孔径尺寸/有效区域 / Aperture Size / Active Area : Ø1860/0.625x4mm2
- 间隙 / Gap : 75µm
- 芯片尺寸 / Chip Dimensions : 长度2055±15µm,宽度2055±15µm,厚度300±20µm
- 暗电流@-5V / Dark Current @ -5 V : 0.5nA-5nA
- 电容@1MHz@0V / Capacitance @ 1 MHz @ 0 V : 140pF-170pF
- 电容@1MHz@-5V / Capacitance @ 1 MHz @ -5 V : 70pF-85pF
- 3dB带宽@-5V, 50Ω / 3dB Bandwidth @ -5 V, 50 Ω : 25MHz-30MHz
- 响应度@0V@0.85µm / Responsivity @ 0 V @ 0.85 µM : 0.1A/W-0.2A/W
- 响应度@0V@1.30µm / Responsivity @ 0 V @ 1.30 µM : 0.85A/W-0.90A/W
- 响应度@0V@1.55µm / Responsivity @ 0 V @ 1.55 µM : 0.95A/W-1.00A/W
- 饱和功率 / Saturation Power : 3.0mW-4.5mW
- 反向电压 / Reverse Voltage : 10V
- 反向电流 / Reverse Current : 10mA
- 正向电流 / Forward Current : 10mA
- 工作温度 / Operating Temperature : -40+85°C
- 储存温度 / Storage Temperature : -40+85°C
应用
1. 光探测与测距 (LIDAR) 2. 光束对准 3. 光点位置检测 4. 远程光学控制
特征
1. 高可靠性的平面器件 2. 低漏电流 3. 高分流电阻 4. 高响应度 5. 低杂散吸收
详述
InGaAs四象限PIN光电二极管芯片是一种高性能的光电探测器,专为在0.9-1.7微米波长范围内的光信号检测而设计。该产品具有低漏电流和高响应度,适合用于光探测与测距(LIDAR)、光束对准、光点位置检测和远程光学控制等多种应用。其芯片结构紧凑,具备优异的电气特性,如低暗电流和高分流电阻,使其在各种环境下均能保持稳定的性能。此外,该产品的工作温度范围广,能够适应严苛的工业条件。总之,InGaAs Quadrant PIN光电二极管芯片是光电领域中一款值得信赖的选择,适合多种高精度光电应用。
图片集
规格书
厂家介绍
我们在光电探测器和发射器的开发、制造和销售方面拥有30多年的经验。请联系我们-我们将很乐意在选择应用探测器解决方案时向您咨询,或与我们的合作伙伴一起开发个性化定制产品。我们期待着与您的成功合作。
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半导体激光器波长是其核心特性之一,决定了其在医疗、工业和科研等多个领域的应用。选择合适的波长对于确保激光器性能至关重要,需考虑阈值电流、工作电流和光束质量等参数。随着技术的不断进步,半导体激光器在提供高功率输出的同时,也保证了光束的稳定性和质量,满足各种精密应用的需求。
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