0.9µm - 2.2 µm InGaAs PIN光电二极管

分类：激光二极管

厂家： ANDANTA GmbH

产地：德国

型号： 0.9 µm - 2.2 µm InGaAs PIN Photodiode

更新时间： 2024-12-20 10:38:17

标签：

激光雷达 InGaAs探测器气体检测光电传感器高响应光电二极管

立即咨询

获取报价

下载规格书

概述
规格参数
应用
特征
详述内容
图片集
规格书
厂家介绍

概述

InGaAs PIN Photodiode，适用于0.9 µm到2.2 µm的光谱范围，提供高灵敏度和低漏电流。适合各种光电应用。

参数

反向电压 / Reverse Voltage : --
反向电流 / Reverse Current : --
正向电流 / Forward Current : 1.5
工作温度 / Operating Temperature : -40+85
储存温度 / Storage Temperature : -40+85
漏电流 / Shunt Current : 2.5
暗电流 / Dark Current : 5
电容 / Capacitance : 20
带宽 / Bandwidth : 450
电阻 / Resistance : 300
响应度 / Responsivity : 1.0
饱和功率 / Saturation Power : 3
最大冷却能力 / Max Cooling Capability : 35

应用

1. 功率监测 2. 光谱分析 3. 激光雷达（LIDAR） 4. 远程温度传感器 5. 冰/泥/湿气检测 6. 气体泄漏检测 7. 单光子二极管SWIR检测 8. 隐蔽红外探测

特征

1. 高可靠性的平面器件 2. 低漏电流 3. 在0.9 - 2.2 µm光谱范围内高响应性 4. 低杂散吸收

详述

0.9 µm - 2.2 µm InGaAs PIN Photodiode是一款高性能的光电探测器，适用于0.9到2.2微米的光谱范围。该产品具有低漏电流和高响应性，能够在多种环境下稳定工作，广泛应用于功率监测、光谱分析、激光雷达（LIDAR）等领域。此外，它还可以用于远程温度传感器、冰/泥/湿气检测及气体泄漏检测等应用。由于其优异的性能，该探测器适合在要求高灵敏度和可靠性的场合使用，是光电行业中不可或缺的设备之一。

图片集

规格书

下载规格书

厂家介绍

我们在光电探测器和发射器的开发、制造和销售方面拥有30多年的经验。请联系我们-我们将很乐意在选择应用探测器解决方案时向您咨询，或与我们的合作伙伴一起开发个性化定制产品。我们期待着与您的成功合作。

加载中....