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1.7μm InGaAs PIN光电二极管芯片 激光二极管
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1.7μm InGaAs PIN光电二极管芯片

分类: 激光二极管

厂家: ANDANTA GmbH

产地: 德国

型号: 1.7 µm Wavelength Cutoff InGaAs PIN Photodiode Chip

更新时间: 2024-12-20 10:46:55

测量 传感器 光电探测 光电二极管 InGaAs SWIR

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概述

该InGaAs PIN光电二极管芯片具有1.7 µm波长截止特性,适用于多种应用场景,具备高可靠性和优异的性能。

参数

  • 光谱范围 / Spectral Range : 0.9-1.7/0.6-1.7
  • 孔径 / Aperture Size : Ø950/Ø1850/Ø3000
  • 芯片尺寸-长度 / Chip Dimension-Length : 1070±15/2055±15/3285±15
  • 芯片尺寸-宽度 / Chip Dimension-Width : 1070±15/2055±15/3285±15
  • 厚度 / Thickness : 300±20
  • 暗电流 / Dark Current : 2-5/2-5/10-20/10-20/15-30
  • 并联电阻 / Shunt Resistance : 25-100/20-80/10-40/5-20/5-20
  • 电容 / Capacitance : 120-150/120-150/360-500/360-500/900-1200
  • 3dB带宽 / 3dB Bandwidth : 30-40/30-40/12-15/12-15/5-6
  • 响应度 / Responsivity : 0.10-0.20/0.35-0.45/0.85-0.95/0.90-0.95/0.95-1.00
  • 饱和功率 / Saturation Power : 5.0-7.0/0.5-2/2.0-4.0/0.2-0.5/1.5-3.0
  • 噪声等效功率 / NEP : 1.2-2.4/2.5-5.0/2.4-4.8/6.0-12.0/4.0-8.0

应用

1. 功率监测 2. 光谱分析 3. 光探测与测距(LIDAR) 4. 远程温度传感器 5. 湿度检测 6. 冰/泥检测 7. 气体泄漏检测 8. 单光电二极管SWIR探测 9. 隐蔽IR传感 10. 光学供电

特征

1. 高可靠性平面器件 2. SWIR或VIS-SWIR操作 3. 低泄漏电流 4. 高旁路电阻 5. 高响应度 6. 低杂散吸收

详述

1.7 µm波长截止InGaAs PIN光电二极管芯片是专为高性能应用而设计的光电探测器,具有极高的可靠性和多种操作模式。该芯片适用于短波红外(SWIR)和可见光-短波红外(VIS-SWIR)操作,能够在多种环境下稳定工作,广泛应用于功率监测、光谱分析、LIDAR等领域。其低泄漏电流和高旁路电阻使得该设备在各种应用中都能保持优异的性能,尤其是在温度传感和湿度检测等要求严格的场合。该产品的多种型号适应不同的应用需求,提供了灵活的解决方案。无论是在工业、科学研究还是环境监测中,这款光电二极管芯片都能为用户提供可靠的性能和出色的响应度。

图片集

1.7 µm Wavelength Cutoff InGaAs PIN Photodiode Chip图1

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厂家介绍

我们在光电探测器和发射器的开发、制造和销售方面拥有30多年的经验。请联系我们-我们将很乐意在选择应用探测器解决方案时向您咨询,或与我们的合作伙伴一起开发个性化定制产品。我们期待着与您的成功合作。

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