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1.7μm InGaAs PIN光电二极管 发光二极管

1.7μm InGaAs PIN光电二极管

分类: 发光二极管

厂家: ANDANTA GmbH

产地: 德国

型号: 1.7 µm Wavelength Cutoff InGaAs PIN Photodiode

更新时间: 2024-12-20 10:24:24

激光雷达 光学传感器 InGaAs光电二极管 SWIR探测 温度传感器

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概述

1.7 µm波长截止InGaAs PIN光电二极管是一种高可靠性的平面器件,适用于SWIR或VIS-SWIR操作,具有低漏电流、高响应度和低杂散吸收等特点。

参数

  • 光谱范围 / Spectral Range : 0.9 - 1.7 / 0.6 - 1.7
  • 孔径 / Aperture Size : Ø 950 / Ø 1850 / Ø 3000
  • 封装类型 / Package Type : TO-46 / 3P / TO-39 / 3P
  • 暗电流 / Dark Current : 2 - 5 / 2 - 5 / 10 - 20 / 10 - 20 / 15 - 30 nA
  • 并联电阻 / Shunt Resistance : 25 - 100 / 20 - 80 / 10 - 40 / 5 - 20 / 5 - 20 MΩ
  • 电容 / Capacitance : 120 - 160 / 120 - 160 / 400 - 800 / 400 - 800 / 900 - 1400 pF
  • 3dB带宽 / 3dB Bandwidth : 30 - 40 / 30 - 40 / 8 - 15 / 8 - 15 / 4.5 - 6 MHz
  • 响应度 / Responsivity : 0.10 - 0.15 / 0.35 - 0.40 / 0.80 - 0.90 / 0.90 - 0.95 A/W
  • 饱和功率 / Saturation Power : 5.0 - 7.0 / 0.5 - 2 / 2.0 - 4.0 / 0.2 - 0.5 / 1.5 - 3.0 mW
  • 噪声等效功率 / NEP : 1.3 - 2.6 / 2.6 - 5.2 / 2.5 - 5.0 / 6.3 - 12.6 / 4.2 - 8.4 W/√Hz
  • 反向电压 / Reverse Voltage : 20 / 10 / 15 / 10 / 10 V
  • 反向电流 / Reverse Current : 10 / 2 / 10 / 2 / 10 mA
  • 正向电流 / Forward Current : 10 / 5 / 10 / 5 / 10 mA
  • 使用温度範囲 / Operation Temperature : -40 +85 °C
  • 储存温度 / Storage Temperature : -40 +85 °C

应用

1. 功率监测 2. 光谱分析 3. 激光雷达 (LIDAR) 4. 远程温度传感器 5. 湿度检测 6. 冰/雪检测 7. 气体泄漏检测 8. 单光电二极管SWIR检测 9. 隐蔽IR传感 10. 光学供电

特征

1. 高可靠性平面器件 2. SWIR或VIS-SWIR操作 3. 低漏电流 4. 高旁路电阻 5. 高响应度 6. 低杂散吸收

详述

1.7 µm波长截止InGaAs PIN光电二极管是一种高性能的光电探测器,专为中红外和可见光-中红外(SWIR)波段设计。其主要特点包括高可靠性、低漏电流及高响应度,使其在各种应用中表现出色。该产品在功率监测、光谱分析、激光雷达(LIDAR)等领域具有广泛的应用潜力。此外,产品的低杂散吸收和高旁路电阻使得其在高灵敏度探测任务中尤为重要。通过提供多种型号,用户可以根据不同的需求选择合适的产品。无论是在工业还是科研领域,该光电二极管都能提供稳定、准确的性能,满足各类高端应用的需求。

图片集

1.7 µm Wavelength Cutoff InGaAs PIN Photodiode图1
1.7 µm Wavelength Cutoff InGaAs PIN Photodiode图2
1.7 µm Wavelength Cutoff InGaAs PIN Photodiode图3
1.7 µm Wavelength Cutoff InGaAs PIN Photodiode图4

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厂家介绍

我们在光电探测器和发射器的开发、制造和销售方面拥有30多年的经验。请联系我们-我们将很乐意在选择应用探测器解决方案时向您咨询,或与我们的合作伙伴一起开发个性化定制产品。我们期待着与您的成功合作。

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