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飞马系列 普克尔盒
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高性能 激光控制 锂铌酸盐 Pockels电池 快速开关
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概述
PEGASUS系列Pockels电池是基于高质量锂铌酸盐(LiNbO3)晶体的高损伤阈值器件，适用于近红外到中红外应用，具有超过1MHz的快速开关速率。
参数
- 硬光圈直径 / Hard Aperture Diameter : 3mm/5mm/7mm/9mm
- 波长范围 / Wavelength Range : 700到3500nm
- 单次插入损耗@1064 nm / Single Pass Insertion Loss @ 1064 Nm : < 1.0%
- 内在对比率@1064 nm / Intrinsic Contrast Ratio (ICR) @ 1064 Nm : >1000:1
- 电压对比率@1064 nm / Voltage Contrast Ratio (VCR) @ 1064 Nm : >1000:1
- 单次波前失真@1064 nm / Single Pass Distortion @ 1064 Nm : < λ/10
- 电容(DC) / Capacitance (DC) : 6pF
- 直流四分之一波电压@1064nm / DC Quarter Wave Voltage At 1064 Nm : 1.18kV/1.78kV/1.18kV/1.48kV
- 10-90%上升时间(理论) / 10-90% Rise Time (Theoretical) : 0.7ns
- 调制频率 / Modulation Frequency : 1MHz
- 占空比（推荐） / Duty Cycle (Recommended) : < 10%
- 激光损伤阈值（LIDT） / Laser Damage Threshold (LIDT) : >7J/cm²
- 温度范围 / Temperature Range : -25°C到+70°C
- 湿度 / Humidity : <85% RH (non-condensing)
- 储存温度范围 / Storage Conditions : -55°C到+85°C
应用
1. Q开关 2. 脉冲选择/切割 3. 衰减 4. 功率控制
特征
1. G&H在美国生长的LiNbO3晶体 2. 快速开关速率>1MHz 3. 高传输率>99% 4. 固有对比率>1000:1 @ 1064nm 5. 电压对比率>1000:1 @ 1064nm 6. @1064nm的传输波前失真< λ/10 7. LIDT >7J/cm² @ 1064nm，10ns，1mm直径
详述
PEGASUS系列Pockels电池是激光应用中的重要组件，尤其适合于需要高速度和高精度控制的场合。它们采用高质量的锂铌酸盐(LiNbO3)晶体，这些晶体在美国由G&H公司生长和加工，确保了卓越的性能和可靠性。PEGASUS系列的开关速率超过1MHz，使其能够在激光Q开关、脉冲选择和功率控制等应用中表现出色。这些电池具有高达99%的传输率和优异的温度稳定性，适合在各种环境条件下使用。无论是在医学美容手术还是军事应用中，PEGASUS系列都能提供出色的性能和高损伤阈值，成为激光系统中不可或缺的部件。
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厂家介绍
G&H是一家总部位于英国伊利诺萨默塞特的光子技术公司，在美国和欧洲都有业务。我们与世界各地的OEM客户合作，提供经常部署在恶劣环境中的光学系统、组件和部件。我们的工程技术正在推动许多应用领域和市场的创新和变革。
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图片
名称
分类
制造商
参数
描述
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BBO Pockles Cell
电光调制器(EOM)
晶众光电
孔径: 3.6mm 峰值光功率密度: 600MW/cm^2 波长范围: 190 - 3500 nm
BBO普克尔盒BBO电光晶体的普克尔盒用于改变通过它的光的偏振态，当电压施加到BBO电光晶体的电极上时。典型的应用包括激光腔的Q开关、激光腔倒空和将光耦合到再生放大器中。低压电振铃使得BBO普克尔盒对于高功率和高重复率激光器的控制具有吸引力。与电池适当匹配的快速开关电子驱动器可用于Q开关、腔倒空和其他应用。BBO普克尔盒是横向场器件。四分之一波电压与电极间距和晶体长度的比例成正比，因此，较小的孔径，较低的四分之一波电压，此外，具有较低四分之一波电压的双晶体设计被广泛用于工作在具有快速开关时间的半波模式。优点-紧凑的尺寸-低吸收-较小压电环-
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CRYSTECH DKDP Pockels Cell
电光调制器(EOM)
CRYSTECH Inc.
孔径: 3-30mm 峰值光功率密度: 1000MW/cm^2 波长范围: 400 - 1200 nm
KD*P（磷酸二氘钾）由于其优异的电光特性而成为电光应用中较广泛使用的材料，当施加的电压引起晶体中的双折射变化时，诸如KD*P的电光材料可以改变通过它的光的偏振状态，当与偏振器结合使用时，KD*P普克尔盒可用作产生激光脉冲的光学Q开关。KD*P用于从UV到约1.1µm的应用，其中吸收限制了其在有源腔中的使用，尽管当可以容忍几个百分点的吸收时，它可以在更长的波长下使用。
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CRYSTECH RTP Q-开关
电光调制器(EOM)
CRYSTECH Inc.
孔径: 2-8mm 峰值光功率密度: 600MW/cm^2 波长范围: 500 - 3000 nm
RTP（磷酸钛氧铷-RbTiOPO4）是电光调制器和Q开关非常理想的晶体材料。由于它的自然双折射，它总是成对工作，仔细匹配以补偿双折射。激光沿X轴或y轴传播，沿输入面的对角线偏振，并在第二晶体中旋转90°。然后，先进晶体中的慢射线变成第二晶体中的快射线，因此理论上在晶体对中消除了总的静态双折射。RTP较适合于中等平均功率的激光源，其中高重复率和短Q开关脉冲长度比高平均功率更重要。
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DKDP Pockles Cell
电光调制器(EOM)
晶众光电
孔径: 50mm 峰值光功率密度: 700MW/cm^2 波长范围: 300 - 1100 nm
DKDP普克尔盒DKDP电光Q开关（Q-Switch，Pockels Cell）因其独特的物理特性和优良的光学质量而被广泛应用于大口径、高功率、窄脉冲（1Ons）激光系统中，DKDP晶体是一种具有优良光学质量的单轴晶体，其消光比为2000：1（使用632 nm He-Ne激光器测量），波前畸变为98%。DKDP电光调Q电容小（约3-5pF），因此上升时间短（0.5ns），调Q时可输出窄脉宽的脉冲激光，与市场上广泛使用的电光晶体相比，具有更高的损伤阈值；在10ns脉宽、1064nm波长和10Hz重复频率的光学条件下，损伤阈值为1GW/cm2。优点-波前失真：低电容-上升时间短：~3pF-高透光率：98%-高损伤阈值：1GW/cm2-无静态双折射，无光折变损伤-抗反射涂层石英窗-耐环境温度冲击和优异的电光性能
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DKDP Q-Switch Pockels Cells
电光调制器(EOM)
济南智和弘盛光电科技有限公司
孔径: 19mm 峰值光功率密度: 500MW/cm^2 波长范围: 240 - 1400 nm
定制普克尔盒
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