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MXIQ-LN-30 1550nm宽带IQ调制器 电光调制器(EOM)
新品

MXIQ-LN-30 1550nm宽带IQ调制器

分类: 电光调制器(EOM)

厂家: iXblue Photonics

产地: 法国

型号: MXIQ-LN-30

更新时间: 2024-08-29 12:07:26

宽带 通信 低损耗 Mach-Zehnder IQ调制器 高稳定 无啁啾

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概述

1550 nm宽带IQ调制器,Exail MXIQ-LN-30是一款宽带、低插入损耗的双并行Mach-Zehnder调制器。iXblue的专利“Magic Junction”使其具有无与伦比的低插入损耗,X切割设计确保在广泛的操作条件下具有高稳定性和零啁啾。Exail MXIQ-LN-30是专为QPSK、QAM和OFDM等复杂调制方案设计的宽带IQ调制器,具有高稳定性和低插入损耗。

参数

  • 工作波长 / Operating Wavelength : 1530-1550-1580 nm
  • 插入损耗 / Insertion Loss : -5-7 dB
  • 电光带宽 / Electro-Optical Bandwidth : 20-25 GHz
  • 可用电光带宽 / Usable EO Bandwidth : 30-40 GHz
  • 波动 / Ripple : -0.5-1 dB
  • 电回损 / Electrical Return Loss : -12--10 dB
  • Vπ RF @50 kHz / Vπ RF @50 KHz : -5-6 V
  • Vπ DC / Vπ DC Electrodes : -6-7 V
  • 电阻匹配 / Impedance Matching : -50 Ω
  • DC输入阻抗 / DC Input Impedance : 1 MΩ
  • 晶体 / Crystal : Lithium Niobate X-Cut Y-Prop
  • 光反射损耗 / Optical Return Loss : -40--45+40 dB
  • 啁啾 / Chirp : -0.1-0+0.1 -
  • RF输入功率 / RF Input Power : -28 dBm
  • 偏置电压 / Bias Voltage : -20+20 V
  • 光输入功率 / Optical Input Power : -20 dBm
  • 工作温度 / Operating Temperature : 0+70 °C
  • 储存温度 / Storage Temperature : -40+85 °C

应用

1. QPSK 2. QAM 3. OFDM

特征

1.宽带宽 2.X切割高稳定性 3.低插入损耗

详述

Exail MXIQ-LN-30是一款高性能的1550 nm宽带IQ调制器,采用了创新的“Magic Junction”技术和X切割设计,能够在不同的操作环境下提供高稳定性和零啁啾的性能。这款调制器特别适用于QPSK、QAM和OFDM等复杂的调制方案,支持高达56 Gbaud的调制速率。其低插入损耗和宽带宽特性使其成为光通信领域中关键的设备。

规格书

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厂家介绍

IxBlue Photonics通过提供高性能、创新和可靠的光子解决方案,帮助世界各地的光子工程师充分利用光。我们提供基于公司集成调制器的特种光纤、布拉格光栅和光调制解决方案,用于各种应用,包括:光通信、光纤激光器和放大器、光纤传感器、空间和科学。IxBlue Photonics是收购和合并前两家公司IxFiber和Photline的产物。扩大后的团队专注于光子领域,掌握光纤预制棒加工、光纤拉制、波导晶圆加工、射频设计、元器件封装等关键技术。该团队聚集在一个组织中,在利用其协同效应并为客户提供新的和更完整的光纤解决方案方面处于有利地位。

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图片 名称 分类 制造商 参数 描述
  • BBO Pockles Cell 电光调制器(EOM) BBO Pockles Cell 电光调制器(EOM)

    孔径: 3.6mm 峰值光功率密度: 600MW/cm^2 波长范围: 190 - 3500 nm

    BBO普克尔盒BBO电光晶体的普克尔盒用于改变通过它的光的偏振态,当电压施加到BBO电光晶体的电极上时。典型的应用包括激光腔的Q开关、激光腔倒空和将光耦合到再生放大器中。低压电振铃使得BBO普克尔盒对于高功率和高重复率激光器的控制具有吸引力。与电池适当匹配的快速开关电子驱动器可用于Q开关、腔倒空和其他应用。BBO普克尔盒是横向场器件。四分之一波电压与电极间距和晶体长度的比例成正比,因此,较小的孔径,较低的四分之一波电压,此外,具有较低四分之一波电压的双晶体设计被广泛用于工作在具有快速开关时间的半波模式。优点-紧凑的尺寸-低吸收-较小压电环-

  • CRYSTECH DKDP Pockels Cell 电光调制器(EOM) CRYSTECH DKDP Pockels Cell 电光调制器(EOM) CRYSTECH Inc.

    孔径: 3-30mm 峰值光功率密度: 1000MW/cm^2 波长范围: 400 - 1200 nm

    KD*P(磷酸二氘钾)由于其优异的电光特性而成为电光应用中较广泛使用的材料,当施加的电压引起晶体中的双折射变化时,诸如KD*P的电光材料可以改变通过它的光的偏振状态,当与偏振器结合使用时,KD*P普克尔盒可用作产生激光脉冲的光学Q开关。KD*P用于从UV到约1.1µm的应用,其中吸收限制了其在有源腔中的使用,尽管当可以容忍几个百分点的吸收时,它可以在更长的波长下使用。

  • CRYSTECH  RTP Q-switch 电光调制器(EOM) CRYSTECH RTP Q-开关 电光调制器(EOM) CRYSTECH Inc.

    孔径: 2-8mm 峰值光功率密度: 600MW/cm^2 波长范围: 500 - 3000 nm

    RTP(磷酸钛氧铷-RbTiOPO4)是电光调制器和Q开关非常理想的晶体材料。由于它的自然双折射,它总是成对工作,仔细匹配以补偿双折射。激光沿X轴或y轴传播,沿输入面的对角线偏振,并在第二晶体中旋转90°。然后,先进晶体中的慢射线变成第二晶体中的快射线,因此理论上在晶体对中消除了总的静态双折射。RTP较适合于中等平均功率的激光源,其中高重复率和短Q开关脉冲长度比高平均功率更重要。

  • DKDP Pockles Cell 电光调制器(EOM) DKDP Pockles细胞 电光调制器(EOM)

    孔径: 50mm 峰值光功率密度: 700MW/cm^2 波长范围: 300 - 1100 nm

    DKDP普克尔盒DKDP电光Q开关(Q-Switch,Pockels Cell)因其独特的物理特性和优良的光学质量而被广泛应用于大口径、高功率、窄脉冲(1Ons)激光系统中,DKDP晶体是一种具有优良光学质量的单轴晶体,其消光比为2000:1(使用632 nm He-Ne激光器测量),波前畸变为98%。DKDP电光调Q电容小(约3-5pF),因此上升时间短(0.5ns),调Q时可输出窄脉宽的脉冲激光,与市场上广泛使用的电光晶体相比,具有更高的损伤阈值;在10ns脉宽、1064nm波长和10Hz重复频率的光学条件下,损伤阈值为1GW/cm2。优点-波前失真:低电容-上升时间短:~3pF-高透光率:98%-高损伤阈值:1GW/cm2-无静态双折射,无光折变损伤-抗反射涂层石英窗-耐环境温度冲击和优异的电光性能

  • DKDP Q-Switch Pockels Cells 电光调制器(EOM) DKDP Q-Switch Pockels Cells 电光调制器(EOM)

    孔径: 19mm 峰值光功率密度: 500MW/cm^2 波长范围: 240 - 1400 nm

    定制普克尔盒

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