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  • AP Technologies Ltd
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  • QBB4M01 半导体激光器
    QBB4M01
    英国
    分类：半导体激光器
    厂商：AP Technologies Ltd
    操作温度: 20 to 30°C 储存温度: -10 to 50°C 存储相对湿度: < 90% LD1波长: 488 (515) nm LD2波长: 660 nm

    QBB4M01是用于4波长复用激光模块QLM4xx系列的驱动板。该驱动板能够通过USB接口的PC软件控制激光输出功率和模块温度，且仅需单一+12V电源供电。

  • QLD 0561系列 半导体激光器
    QLD 0561系列
    英国
    分类：半导体激光器
    厂商：AP Technologies Ltd
    DFB正向电流: 250mA DFB正向电压: 2.5V DFB反向电压: 2V SOA正向电流: 320mA SOA正向电压: 3V

    QLD0561系列是一种基于近红外分布反馈（DFB）激光器频率倍增的可见激光模块，采用紧凑的平面封装并配有光纤尾纤。

  • QLD 0593系列 半导体激光器
    QLD 0593系列
    英国
    分类：半导体激光器
    厂商：AP Technologies Ltd
    DFB正向电流: 250mA DFB正向电压: 2.5V DFB反向电压: 2V SOA正向电流: 320mA SOA正向电压: 3V

    QLD0593是一款基于NIR分布反馈（DFB）激光的可见激光模块，采用频率倍增技术，组装成紧凑的平面封装。

  • QLF083A-50B0/QLF083D-50B0 半导体激光器
    QLF083A-50B0/QLF083D-50B0
    英国
    分类：半导体激光器
    厂商：AP Technologies Ltd
    光输出功率: 220 mW 激光二极管反向电压: 2 V 光电二极管反向电压: 20 V 操作温度: -10 to 60 °C 储存温度: -40 to 85 °C

    QLF083A-50B0/QLF083D-50B0是850 nm量子阱激光器，专为高输出功率应用设计，激光二极管安装在TO-56封装中，包含监测光电二极管，并用平面玻璃盖密封。

  • Fibolocator 半导体激光器
    Fibolocator
    英国
    分类：半导体激光器
    厂商：AP Technologies Ltd
    波长范围: 1270-1650nm 测试信号功率: 3dBm 测量分辨率: 2.5m 测量点: 256 灵敏度: -100dB

    Fibolocator是一种创新设备，用于空间解析和表征光纤中的断裂和反射故障。该设备基于相关光时域反射测量原理，能够以低成本实现高分辨率的光纤监测。

  • QC4LD0593系列激光器 半导体激光器
    QC4LD0593系列激光器
    英国
    分类：半导体激光器
    厂商：AP Technologies Ltd
    波长: 532, 561, 594 nm (488, 552, 588 nm正在开发中) 输出功率: 5/20/30/50 mW 光束直径: Typ. 0.5(H) x 1.1(V) mm at 1/e2 光束发散度: Typ. 1.2 mrad at full-angle 光束角度: < 2.5 mrad

    这款超紧凑且轻便的QC4LD0593系列激光器具有集成驱动器，适用于生物医学设备等多种应用。

  • QC2x1x6x Series C00124-06 半导体激光器
    QC2x1x6x Series C00124-06
    英国
    分类：半导体激光器
    厂商：AP Technologies Ltd
    输入电压: 5.5V 操作温度: 0 to 40°C 储存温度: -10 to 50°C 光脉冲宽度: 50 ps 重复频率: 0.012-250 MHz

    QC2x1x6x系列是一款皮秒脉冲种子激光器板，集成了14针蝴蝶DFB激光模块，能够获得50 ps的光脉冲，并且具有稳定的单纵模特性。操作灵活且简单，支持外部和内部触发，从单次脉冲到250 MHz的高重复率。所有操作参数均可通过USB接口的PC软件进行控制，只需单一的+5V电源供电。

  • QLF063A / QLF063D 半导体激光器
    QLF063A / QLF063D
    英国
    分类：半导体激光器
    厂商：AP Technologies Ltd
    光输出功率: 100 mW 脉冲光输出功率: 300 mW 激光二极管反向电压: 2 V 光电二极管反向电压: 30 V 操作温度: -10 to 60 °C

    QLF063A/QLF063D是660 nm量子阱激光器，设计用于高输出功率应用。激光二极管安装在TO-56封装中，包括监测光电二极管，并用平玻璃盖密封。

  • QLF063A-85A0 / QLF063D-85A0 半导体激光器
    QLF063A-85A0 / QLF063D-85A0
    英国
    分类：半导体激光器
    厂商：AP Technologies Ltd
    光输出功率: 105mW 激光二极管反向电压: 2V 光电二极管反向电压: 30V 操作温度: -10 to 70°C 储存温度: -40 to 85°C

    QLF063A-85A0/QLF063D-85A0是685 nm量子阱激光器，专为高输出功率应用设计。激光二极管封装在TO-56外壳中，包含监测光电二极管，并用平面玻璃盖密封。

  • Compact 532/561/594nm Laser 半导体激光器
    Compact 532/561/594nm Laser
    英国
    分类：半导体激光器
    厂商：AP Technologies Ltd
    DSNU: 532, 561, 594 *488, 552, 588 DSNU: 5/20/30/50 *光纤耦合532, 561 nm: 15/20/25

    紧凑型且高度稳定的单频激光器，专为提高成像分辨率而设计。