QLF083A-50B0/QLF083D-50B0

分类：半导体激光器

厂家： AP Technologies Ltd

产地：英国

型号： QLF083A-50B0/QLF083D-50B0

更新时间： 2024-12-26 13:53:01

标签：

激光器高输出功率 850 nm 监测光电二极管量子阱激光 TO-CAN封装

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概述

QLF083A-50B0/QLF083D-50B0是850 nm量子阱激光器，专为高输出功率应用设计，激光二极管安装在TO-56封装中，包含监测光电二极管，并用平面玻璃盖密封。

参数

光输出功率 / Optical Output Power : 220 mW
激光二极管反向电压 / LD Reverse Voltage : 2 V
光电二极管反向电压 / PD Reverse Voltage : 20 V
操作温度 / Operation Temperature : -10 to 60 °C
储存温度 / Storage Temperature : -40 to 85 °C
阈值电流 / Threshold Current : 40 60 mA
工作电流 / Operation Current : 250 350 mA
工作电压 / Operation Voltage : 2.4 2.8 V
斜率效率 / Slope Efficiency : 0.7 0.95 1.5 W/A
监控电流 / Monitor Current : 100 400 1000 μA
峰值波长 / Peak Wavelength : 842 852 862 nm
光束发散角（水平） / Beam Divergence Horizontal : 7 9.5 12 deg.
光束发散角（垂直） / Beam Divergence Vertical : 13 19 23 deg.
光束角度（水平） / Beam Angle Horizontal : -3 - 3 deg.
光束角度（垂直） / Beam Angle Vertical : -4 - 4 deg.

应用

1. 粒子检测 2. 测量仪器 3. 传感器

特征

1. 850 nm FP-LD 2. 5.6mm TO-CAN封装 3. 高输出功率和高斜率效率 4. 包含监测光电二极管 5. 两种引脚配置：阳极共用型（QLF083A-50B0）/阴极共用型（QLF083D-50B0）

详述

QLF083A-50B0/QLF083D-50B0系列激光器是高性能的850 nm量子阱激光器，专为需要高输出功率的应用而设计。它们采用TO-CAN封装，确保了激光器在各种环境下的稳定性和可靠性。该系列产品的特点包括高斜率效率和内置监测光电二极管，便于实时监控激光输出的稳定性。适用于粒子检测、测量仪器和传感器等领域，能够满足工业和科研的需求。凭借其优异的性能和可靠的设计，QLF083A-50B0/QLF083D-50B0激光器在市场上具有良好的竞争力，是用户的理想选择。

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