-
电容
Capacitance（pF）
确定 取消 -
暗电流
Dark Current（e/px/s）
确定 取消 -
响应度/光敏度
Responsivity/Photosensitivity（A/W）
确定 取消 -
波长范围
Wavelength Range（nm）
确定 取消
-
专业选型
-
正规认证
-
品质保障
-
FCI-InGaAs-500LCER
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
-
C30641GH-LC
厂家：Excelitas Technologies
-
APD15-8-150-T5H
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
-
DL-20
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
-
DLS-10
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
-
FCI-InGaAs-300B1
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
光电查为您提供1211个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
-
光电探测器类型: PN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 18 to 80 nm RoHS: yes 电容: 220 to 350 pFOpto Diode Corporation的SXUV100TF135是一款集成薄膜滤波器的光电二极管，工作波长为18至80 nm.该100平方毫米的光电二极管在40纳米处具有0.15 A/W的响应度。它带有保护罩，可以在-10到40摄氏度的温度下工作。
-
光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 12 to 18 nm RoHS: Yes 电容: 5 to 20 pFOpto Diode Corporation的SXUV100TF135B是一款集成薄膜滤波器的100平方毫米光电二极管。它的探测范围为12~18nm，在13.5nm处的响应度为0.09A/A.光电二极管具有10兆欧的高分流电阻。它可在黑色塑料容器中的带有保护盖的陶瓷载体中使用。
-
光电二极管公司的SXUV5是一种有效面积为5mm2的EUV（极紫外）圆形光电二极管。这款高速光电二极管具有卓越的13.5 nm光刻能力，在1至90 nm的极端UV曝光中具有稳定的响应度，使其成为EUV光最关键测量的理想选择。该器件具有高达1500 PF的电容、高达1 ns的响应时间和高达0.34 A/W的响应度。在大气环境中，该器件的工作温度范围为-10°C至+40°C，在氮气或真空环境中，该器件的工作温度范围为-20°C至+80°C.这款光电二极管符合RoHS规范，采用TO-5封装。
-
光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 110 to 150 fF来自II-VI Incorporated的APA1101040000是一款光电二极管，波长范围为840 nm、850 nm、860 nm，带宽为12至14 GHz，电容为110至150 FF，暗电流为3至100 pA，响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1101040000的更多详情见下文。
-
光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 110 to 150 fF来自II-VI Incorporated的APA1101120000是一款光电二极管，波长范围为840 nm、850 nm、860 nm，带宽为12至14 GHz，电容为110至150 FF，暗电流为3至100 pA，响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1101120000的更多详情见下文。
-
光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 50 to 100 fF来自II-VI Incorporated的APA1201010000是一款光电二极管，波长范围为840 nm、850 nm、860 nm，带宽为20 GHz，电容为50至100 FF，暗电流为3至100 pA，响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1201010000的更多详情见下文。
-
光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 50 to 100 fF来自II-VI Incorporated的APA1201040000是一款光电二极管，波长范围为840 nm、850 nm、860 nm，带宽为20 GHz，电容为50至100 FF，暗电流为3至100 pA，响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.APA1201040000的更多详情见下文。
-
光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: GaAs RoHS: Yes 电容: 50 to 100 fF来自II-VI Incorporated的APA1201120000是一款光电二极管，波长范围为840 nm、850 nm、860 nm，带宽为20 GHz，电容为50至100 FF，暗电流为3至100 pA，响应度/光敏度为0.55至0.65 A/W.有关APA1201120000的更多详细信息，请联系我们。
-
工作模式: Photoconductive 波长范围: 1270 to 1620 nm RoHS: Yes 电容: 20 pF 暗电流: 1 nAII-VI Incorporated的BMPDT080-1是一款光电二极管，波长范围为1270至1620 nm，电容为20 PF，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为1 A/W.有关BMPDT080-1的更多详细信息，请联系我们。
-
工作模式: Photoconductive 波长范围: 1270 to 1620 nm RoHS: Yes 电容: 5 pF 暗电流: 2 nAII-VI Incorporated的INM00AA10D102是一款光电二极管，波长范围为1270至1620 nm，电容为5 PF，暗电流为2 nA，响应度/光敏度为0.9 A/W.有关INM00AA10D102的更多详细信息，请联系我们。
-
工作模式: Photoconductive 波长范围: 1270 to 1620 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes 电容: 5 to 10 pFII-VI Incorporated的INO00AA10D102是一款光电二极管，波长范围为1270至1620 nm，电容为5至10 PF，暗电流为1至120 nA，响应度/光敏度为0.8 A/W.有关INO00AA10D102的更多详细信息，请联系我们。
-
光电探测器类型: PIN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 1260 to 1620 nm RoHS: Yes 电容: 80 fFII-VI Incorporated的INP02KK40D101是一款光电二极管，波长范围为1260至1620 nm，带宽为18 GHz（O/E），电容为80 FF，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.8 A/W.有关INP02KK40D101的更多详细信息，请联系我们。
-
波长范围: 1 to 1.7 µm 电源电压: 0.9 V模拟模块的7510-1-04是一款InGaAs雪崩光电二极管前置放大器光接收器，工作范围为1.0μm至1.7μm.接收器的探测器有效直径高达220μm.它的动态范围超过30dB，噪声等效功率低于5nW.该光学接收器采用PCB安装密封扁平TO-8封装，非常适合眼睛安全传感器、测距和医疗应用。
