全部产品分类
INP02KK40D101 光电二极管

INP02KK40D101

分类: 光电二极管

厂家: II-VI Laser Enterprise GmbH

产地: 美国

型号: INP02KK40D101

更新时间: 2024-08-29 08:06:27

28 Gb/s NRZ or 56Gb/s PAM4 1X4 PIN Photodiode Array Chip

立即咨询 获取报价 获取报价 下载规格书 下载规格书
收藏 收藏

概述

II-VI Incorporated的INP02KK40D101是一款光电二极管,波长范围为1260至1620 nm,带宽为18 GHz(O/E),电容为80 FF,暗电流为1 nA,响应度/光敏度为0.8 A/W.有关INP02KK40D101的更多详细信息,请联系我们。

参数

  • 光电探测器类型 / Photodetector Type : PIN
  • 工作模式 / Operation Mode : Photovoltaic
  • 波长范围 / Wavelength Range : 1260 to 1620 nm
  • RoHS / RoHs : Yes
  • 电容 / Capacitance : 80 fF
  • 暗电流 / Dark Current : 1 nA
  • 响应度/光敏度 / Responsivity/Photosensitivity : 0.8 A/W
  • 响应度 / Responsivity : 0.8A/W
  • 暗电流 / Dark Current : 1nA
  • 电容 / Capacitance : 80fF
  • O/E带宽 / O/E Bandwidth : 18GHz
  • 反向偏置电压 / Reverse Bias Voltage : 20V
  • 反向电流 / Reverse Current : 10mA
  • 正向电流 / Forward Current : 10mA
  • 光输入功率 / Optical Input Power : 10dBm
  • 工作温度 / Operating Temperature : -40°C to 85°C
  • 储存温度 / Storage Temperature : -40°C to 120°C
  • 静电放电阈值(人体模型) / ESD Threshold (HBM) : >50V
  • 芯片宽度 / Chip Width : 265-305µm
  • 芯片长度 / Chip Length : 965-1005µm
  • 阵列间距 / Array Pitch : 250µm
  • 芯片厚度 / Chip Thickness : 135-165µm
  • 键合焊盘直径 / Bond Pad Diameter : 65µm

应用

1. 25G/50G/100G以太网 2. 单模数据通信和电信 3. 光纤收发器、接收器和转发器

特征

1. 具有光学照明孔径的顶部照明器件 2. 在1310nm时典型响应度为0.8A/W 3. 低电容80fF 4. G-S-G焊盘易于组装 5. 低暗电流和高可靠性 6. 自密封芯片级产品 7. 符合RoHS标准

图片集

INP02KK40D101图1
INP02KK40D101图2

规格书

下载规格书

厂家介绍

II-VI 公司现在是Coherent公司。我们之所以选择“连贯”这个名字,是因为它的意思是: 把事物联系在一起。这个新的公司名称和身份代表了我们在行动上的团结,明确的目标,以及与客户更广泛的合作意识。通过我们在材料、网络和激光方面的突破性产品和技术,连贯性赋予市场创新者力量。

连贯性使市场创新者能够通过突破性技术(从材料到系统)来定义未来。我们为工业、通信、电子和仪器市场提供与客户产生共鸣的创新产品。总部位于宾夕法尼亚州 Saxonburg,在全球拥有研发、制造、销售、服务和分销设施。

相关产品

图片 名称 分类 制造商 参数 描述

相关文章

立即咨询

加载中....