INM00AA10D102

概述

参数

• 工作模式 / Operation Mode : Photoconductive
• 波长范围 / Wavelength Range : 1270 to 1620 nm
• RoHS / RoHs : Yes
• 电容 / Capacitance : 5 pF
• 暗电流 / Dark Current : 2 nA
• 响应度/光敏度 / Responsivity/Photosensitivity : 0.9 A/W
• 响应度 / Responsivity : 0.9 A/W at 1310nm
• 暗电流 / Dark Current : 2 nA at VR=5V
• 击穿电压 / Breakdown Voltage : 20 V at IR=10 μA
• 电容 / Capacitance : 5 pF at VR=5V, f=1MHz
• 反向电流 / Reverse Current : 10 mA
• 工作温度 / Operating Temperature : -40 to 90 °C
• 储存温度 / Storage Temperature : -40 to 120 °C
• 静电放电阈值(人体模型) / ESD Threshold (HBM) : 300 V
• 芯片尺寸(长度&宽度) / Chip Size (Length & Width) : 375 to 425 µm
• 芯片厚度 / Chip Thickness : 90 to 130 µm
• 活动区域尺寸(长度&宽度) / Active Area Size (Length & Width) : 245 to 265 µm
• 键合焊盘中心距接触环 / Bond Pad Center Distance From Contact Ring : 75 to 95 µm
• 活动区域中心偏移芯片中心 / Active Area Center Offset From Chip Center : 20 to 30 µm
• 接触环宽度 / Contact Ring Width : 10 to 20 µm
• 键合焊盘距芯片边缘 / Bond Pad Distance From Chip Edge : 25 to 45 µm
• 键合焊盘直径 / Bond Pad Diameter : 68 to 78 µm

应用

特征

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厂家介绍