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电容
Capacitance（pF）
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暗电流
Dark Current（e/px/s）
确定 取消 -
响应度/光敏度
Responsivity/Photosensitivity（A/W）
确定 取消 -
波长范围
Wavelength Range（nm）
确定 取消
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专业选型
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正规认证
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品质保障
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FCI-InGaAs-500LCER
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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C30641GH-LC
厂家：Excelitas Technologies
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APD15-8-150-T5H
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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DL-20
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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DLS-10
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
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FCI-InGaAs-300B1
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
光电查为您提供1211个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 750 to 1800 pF 响应度/光敏度: 0.8 to 0.95 A/WFermionics Opto-Technology的FD3000W系列是一款光电二极管，波长范围为800至1700 nm，电容为750至1800 PF，响应度/光敏度为0.8至0.95 A/W.有关FD3000W系列的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 1300 to 1550 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.25 to 0.4 pF 暗电流: 0.1 to 1 nAFermionics Opto-Technology的FD50系列是一款光电二极管，波长范围为1300至1550 nm，电容为0.25至0.4 PF，暗电流为0.1至1 nA，响应度/光敏度为0.8至0.90 A/W，上升时间为100至200 PS.有关FD50系列的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 15 to 25 pF 暗电流: 8 to 15 nAFermionics Opto-Technology的FD500系列是一款光电二极管，波长范围为800至1700 nm，电容为15至25 PF，暗电流为8至15 nA，响应度/光敏度为0.8至0.95 A/W，上升时间为1至3 ns.有关FD500系列的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 2000 to 3500 pF 响应度/光敏度: 0.8 to 0.95 A/WFermionics Opto-Technology的FD5000W系列是一款光电二极管，波长范围为800至1700 nm，电容为2000至3500 PF，响应度/光敏度为0.8至0.95 A/W.有关FD5000W系列的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 1300 to 1550 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.4 to 0.75 pF 暗电流: 0.1 to 1 nAFermionics Opto-Technology的FD80系列是一款光电二极管，波长范围为1300至1550 nm，电容为0.4至0.75 PF，暗电流为0.1至1 nA，响应度/光敏度为0.8至0.90 A/W，上升时间为0。有关FD80系列的更多详细信息，请联系我们。
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Luna Innovations的SD 197-70-74-591是一款光学探测器，波长范围为350至1050 nm，暗电流为6至18 nA，电容为25 PF，响应度/光敏度为95 A/W，有效面积直径为5mm.有关SD 197-70-74-591的更多详细信息，请联系我们。
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Luna Innovations的SLD-70BG2A是一款光学探测器，波长范围为400至700 nm，上升时间为1至1.5µs，暗电流为100 nA，电容为40 PF.有关SLD-70BG2A的更多详细信息，请联系我们。
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APD 类型: InGaAs 工作波长: 1550nm 工作波长范围: 1000 - 1625 nm走！Foton的雪崩光电二极管（APD），前照式，适用于G-PON/Ge-PON中的2.5 Gbps应用。这种InGaAs APD具有高可靠性的平面结构。
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APD 类型: Ge 工作波长: 1300nm 工作波长范围: 800 - 1800 nm雪崩光电二极管
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APD 类型: InGaAs 工作波长: 1300nm 工作波长范围: 1000 - 1630 nmInGaAs雪崩光电二极管
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APD 类型: InGaAs 工作波长: 1310nm 工作波长范围: 1310 - 1550 nmInGaAs雪崩光电二极管。
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APD 类型: InGaAs 工作波长: 1310nm 工作波长范围: 1310 - 1550 nmInGaAs雪崩光电二极管。
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模块: No 光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.1 pFKyoto Semiconductors的KPDE008LS-A-RA-HQ是一款KP-M InGaAs光电二极管，工作波长为900至1700 nm（O、E、S、C、L波段）。它可以处理10mW的最大输入光功率，响应度为0.8-0.9A/W，带宽为2GHz.该光电二极管的有效面积为80μm，电容高达1.1 PF.它的暗电流为160pA，反向电压为20V，正向电流为10mA.这款光电二极管采用TO-CAN封装，尺寸为Ø2.41 mm，非常适合光监控应用。
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光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 75 fFKyoto Semiconductors的KPDEA13C是一款KP-A InGaAs雪崩光电二极管，工作波长为900至1700 nm.它的带宽为15GHz，响应度为0.5A/W，有效面积为φ13μm.该表面入射光电二极管具有GSG（地/信号/地）电极图案和4.5的倍增因子。暗电流为2μA，击穿电压为27 V.该光电二极管采用尺寸为0.42 X 0.48 mm的芯片封装，非常适合QSFP28-ER和QSFP56-ER应用。
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模块: Yes 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 400 to 1000 nm 光电二极管材料: SiliconKyoto Semiconductors的KPM100是一款硅雪崩光电二极管，工作波长为400至1000 nm.它可以处理1 MW的光输入功率，光电灵敏度为-67.5 kV/W.光电二极管需要5 V的直流电源，消耗高达70 mA的电流。它的响应度为0.45 A/W，支持USB 2.0接口。光电二极管由高速跨阻抗放大器组成，并具有预设和可编程的放大系数。它采用尺寸为61 X 61 X 2 mm的模块，带有SMA母头连接器，非常适合光通信、测距仪、光学测量、弱光检测和APD评估应用。
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模块: No 光电探测器类型: PN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: Silicon, InGaAs RoHS: YesKyoto Semiconductors的KPMC29是一款Si/InGaAs双色调光电二极管，有效面积为2.2 X 2.2 sq.毫米（Si）和0.86 X 0.86平方毫米（InGaAs）。为了扩展波长范围，在同一轴上堆叠了对短波长敏感的Si光电二极管和对长波长敏感的InGaAs光电二极管。它的终端电容为30 PF（Si）、45 PF（InGaAs），响应度高达0.7 A/W（Si）、0.9 A/W（InGaAs）。该光电二极管在-20至+80℃的温度范围内工作，并且具有从400至1700nm的宽波长范围。该设备非常适合用于分光光度计、辐射温度计、医疗设备、保健设备和光纤测试设备。
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Opto Diode Corporation的AF-10是一款光学探测器，波长范围为2.2至2.4µm，响应度/光敏度为5.5x10 4 V/W.有关AF-10的更多详细信息，请联系我们。
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Opto Diode Corporation的AXUV100AL是一种光学检测器，波长范围为0.01至190 nm，上升时间为250 nsec，电容为10至44 NF.有关AXUV100AL的更多详细信息，请联系我们。
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Opto Diode Corporation的AXUV100G是一款光学检测器，波长范围为0.01至190 nm，上升时间为10µsec，电容为10至44 NF，响应度/光敏度为0.07至0.09 A/W.有关AXUV100G的更多详细信息，请联系我们。
