- 产品
- 厂家
搜索
-
模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs
OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-300B1xx是背照式InGaAs光电二极管/阵列,光谱范围为900至1700 nm.它们的有源区直径为300μm,节距为500μm,最小响应度为0.8-0.85A/W.这些光电二极管设计为倒装芯片安装到光学平面上,用于正面或背面照明。它们可以采用传统的安装方式(活动区域朝上),也可以面朝下组装,从而最大限度地减少整体尺寸。这些光电二极管的最小带宽为100 MHz,电容为8 PF,暗电流为0.05 nA.它们的最小击穿电压为10 V,最大正向电流为25 mA.这些光电二极管可用作单元件二极管或4/8元件阵列,是高速光通信、多通道光纤接收器、功率监控、单模/多模光纤接收器、快速以太网、SONET/SDH OC-3/STM-1、ATM、仪器仪表和模拟接收器应用的理想选择。
-
产品代码: FTMIR-L1-060-4TE, FTMIR-L1-085-4TE, FTMIR-L1-120-4TE, FTMIR-L1-160-LN2, FTMIR-L1-160-DLA 分束器材料: CaF2, ZnSe 光谱范围[cm-1]: 5000-1660, 6600-1200, 5000-830, 5000-650 光谱范围[μm]: 2-6, 1.5-8.5, 2-12, 2-16 探测器类型: MCT (4-TE cooled), DLATGS (LN2 cooled)
ARCOPTIX FT-MIR ROCKET是一款高性能、紧凑且可靠的光谱仪,非常适合中红外的各种应用。该光谱仪通过自制的可更换干燥剂胶囊有效降低了干涉仪体积中的CO2或H2O浓度。凭借其永久对准的干涉仪和固态参考激光器,FT-MIR ROCKET在强度和波长尺度上提供了出色的稳定性。