Broadcom的LPD2110是一款波长范围为1310至1550 nm的光电二极管。有关LPD2110的更多详细信息，请联系我们。

Broadcom的LPD3012-4是一款波长范围为1310至1550 nm的光电二极管。有关LPD3012-4的更多详细信息，请联系我们。

Broadcom的LPD3030-4-P750是一款光电二极管，波长范围为1310至1550 nm.有关LPD3030-4-P750的更多详细信息，请联系我们。

Broadcom的LPD3030-4是一款波长范围为1310至1550 nm的光电二极管。有关LPD3030-4的更多详细信息，请联系我们。

Broadcom的LPD3030是一款波长范围为1310至1550 nm的光电二极管。有关LPD3030的更多详细信息，请联系我们。

Broadcom的LPD3035-4是一款波长范围为1310至1550 nm的光电二极管。有关LPD3035-4的更多详细信息，请联系我们。

Broadcom的LPD3035是一款波长范围为1310至1550 nm的光电二极管。有关LPD3035的更多详细信息，请联系我们。

Broadcom的LX3050是一款波长范围为1310至1550 nm的光电二极管。有关LX3050的更多详细信息，请联系我们。

Broadcom的MPD240L是一款光电二极管，波长范围为1310至1550 nm.有关MPD240L的更多详细信息，请联系我们。

来自Qphotonics的QSDM-1020-2是中心波长为1014nm的单模光纤尾纤超辐射发光二极管（SLD）。它提供高达1.5 MW的输出功率，并具有宽度为30 nm（FWHM）的低波纹光谱。该SLD具有高达2.5 V的正向电压和小于300 mA的正向电流。它具有可选的内置监视器光电二极管和FC/APC连接器。该二极管是传感、测量和相干层析成像的理想选择。

来自Qphotonics的QSDM-1650-2是中心波长为1627nm的单模光纤尾纤超辐射发光二极管（SLD）。它提供高达2 MW的输出功率，并具有35 nm（FWHM）的低波纹光谱宽度。该SLD具有高达30%的剩余光谱调制深度和10kOhm的热敏电阻。它的热敏电阻B常数为3900 K，监控电流高达2 mA.该SLD具有高达2 V的正向电压和小于330 mA的正向电流。它具有可选的内置监视器光电二极管和FC/APC连接器。该二极管是传感、测量和相干层析成像的理想选择。

特点： •输出功率>50mW（光纤前）@1020nm-1120nm •无跳模连续调谐 •单独老化和热循环筛选 •专有镜面涂层技术，实现高可靠性 •内置监测光电二极管（可选配） •直插式光隔离器（可选配） •900um松管（可选配）

特点： •集成自由空间光隔离器 •输出功率>30mW（光纤前）@1020nm-1120nm •无跳模连续调谐 •单独老化和热循环筛选 •专有镜面涂层技术，实现高可靠性 •内置监测光电二极管（可选配） •900um松管（可选配）

Excelitas Technologies的C30902SH系列雪崩光电二极管是高速、大面积的硅APD，能在低噪声下提供高响应度。这些APD被特别选中用于Geiger模式（Vop > VBD）以检测单光子，或者在Linear模式（Vop < VBD）下工作，增益可达250。

Excelitas Technologies的C30902EH系列雪崩光电二极管采用双扩散“透射”结构，提供400 nm至1000 nm之间的高响应度以及极快的上升和下降时间。这些探测器芯片被密封在一个改装的TO-18封装中，正面是平面玻璃窗。有用的光敏表面直径为0.5毫米，C30921EH则封装在一个带有光导管的TO-18中，可以高效地将光从聚焦点或直径高达0.25毫米的光纤耦合到探测器上。

C30817EH系列硅雪崩光电二极管是一种通用型光电二极管，采用双扩散“穿透”结构制造，可提供400至1100纳米波长范围内的高响应度以及在所有波长下的快速上升和下降时间。

C30884EH是一种硅雪崩光电二极管，具有高响应度和快速上升下降时间。该器件使用双扩散“穿透”结构制造，优化了在1000纳米以下波长的高响应度。

C30626FH系列雪崩光电二极管是一种高性能的传感器，具有高响应度和低暗电流，适用于高精度光电检测。

C30703FH Avalanche Photodiode是一种具有高响应度和低暗电流特性的光电探测器，适用于高精度光学测量。

C30739ECERH系列短波长增强硅雪崩光电二极管是一种大面积硅APD，专为各种宽带低光级应用而设计，涵盖从400nm以下到700nm以上的光谱范围。具有短波长响应性增强和在430nm时超过80%的典型量子效率。