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LPD3030-4-P750 光电二极管
精品

LPD3030-4-P750

分类: 光电二极管

厂家: Broadcom

产地: 美国

型号: LPD3030-4-P750

更新时间: 2024-08-28 02:04:54

光电二极管 高带宽 InGaAs 光接收器 100G链路 100GbE

28-Gb/s InGaAs, 1×4 Array PIN Photodiode with 750-µm Channel Spacing

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概述

Broadcom的LPD3030-4-P750是一款光电二极管,波长范围为1310至1550 nm.有关LPD3030-4-P750的更多详细信息,请联系我们。

参数

  • 光电探测器类型 / Photodetector Type : PIN
  • 波长范围 / Wavelength Range : 1310 to 1550 nm
  • 光电二极管材料 / Photodiode Material : InGaAs
  • RoHS / RoHs : Yes

应用

1. 100G (4×25 Gb/s) 链路 2. 100-Gigabit Ethernet (100GbE) 3. 100G CWDM4, PSM4, 和 CLR4 4. 单模数通和电信 5. 光纤收发器、接收器和收发器

特征

1. 准备翻转芯片的四通道跨阻放大器 2. 通过Telcordia认证 3. Die Level Hermeticity (DLH) 技术 4. 750μm通道间距 5. 支持PAM-4

详述

Broadcom® LPD3030-4-P750是一款具有高性能的1×4阵列InGaAs PIN光电二极管,具有四个高响应度通道和750μm通道间距。该产品具有低暗电流和低电容,非常适合用于高带宽、高性能光接收器设计。其低寄生参数使其非常适合用于高速单模4×28-Gb/s应用,特别是在与高性能4×28-Gb/s四通道跨阻放大器(TIA)组合时。750μm的通道间距允许需要宽间距和超低串扰跨阻放大器的解复用光学组件使用。此产品基于Broadcom经过现场验证和认证的高性能LPD3030-4设备,采用Broadcom DLH Technology™,使半导体器件本身能够在GR-468类型环境中充当气密密封。

规格书

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厂家介绍

Broadcom于1991年由Henry Samueli和Henry Nicholas III创建,当时名为Broadband Telecom.两位创始人对电缆和高速网络有着共同的愿景。公司发展迅速,1995年拥有40名员工,收入660万美元,1999年拥有921名员工,收入5.212亿美元。如今,博通公司是全球无线和有线通信行业的半导体供应商,也是领先的半导体制造商之一。

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