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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 6 pF 暗电流: 0.2 to 2 nAOSI Laser Diode，Inc.的APD10-8-150-T52是一款光电二极管，波长范围为800 nm，带宽为600 MHz，电容为6 PF，暗电流为0.2至2 nA，响应度/光敏度为50 A/W.有关APD10-8-150-T52的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 10 pF 暗电流: 0.5 to 5 nAOSI Laser Diode，Inc.的APD15-8-150-T5H是一款光电二极管，波长范围为800 nm，带宽为350 MHz，电容为10 PF，暗电流为0.5至5 nA，响应度/光敏度为50 A/W.有关APD15-8-150-T5H的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 10 pF 暗电流: 0.5 to 5 nAOSI Laser Diode，Inc.的APD15-8-150-TO5是一款光电二极管，波长范围为800 nm，带宽为350 MHz，电容为10 PF，暗电流为0.5至5 nA，响应度/光敏度为50 A/W.有关APD15-8-150-TO5的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 600 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes 电容: 75 to 300 pFRoithner Lasertechnik的LAPD-1-06-17-LCC是一款光电二极管，波长范围为600至1700 nm，电容为75至300 PF，暗电流为2至nA，响应度/光敏度为0.20至0.95 A/W.有关LAPD-1-06-17-LCC的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 600 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes 电容: 40 to 160 pFRoithner Lasertechnik的LAPD-1-06-17-TO46是一款光电二极管，波长范围为600至1700 nm，电容为40至160 PF，暗电流为2至nA，响应度/光敏度为0.20至0.95 A/W，上升时间为4.4至8.8 ns.有关LAPD-1-06-17-TO46的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes 电容: 75 to 300 pFRoithner Lasertechnik的LAPD-1-09-17-LCC是一款光电二极管，波长范围为900至1700 nm，电容为75至300 PF，暗电流为2至nA，响应度/光敏度为0.20至0.95 A/W.有关LAPD-1-09-17-LCC的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 600 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes 电容: 300 to 1200 pFRoithner Lasertechnik的LAPD-2-06-17-LCC是一款光电二极管，波长范围为600至1700 nm，电容为300至1200 PF，暗电流为10至40 nA，响应度/光敏度为0.20至0.95 A/W.有关LAPD-2-06-17-LCC的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 600 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes 电容: 200 to 800 pFRoithner Lasertechnik的LAPD-2-06-17-TO39是一款光电二极管，波长范围为600至1700 nm，电容为200至800 PF，暗电流为10至40 nA，响应度/光敏度为0.20至0.95 A/W.有关LAPD-2-06-17-TO39的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes 电容: 300 to 1200 pFRoithner Lasertechnik的LAPD-2-09-17-LCC是一款光电二极管，波长范围为900至1700 nm，电容为300至1200 PF，暗电流为10至40 nA，响应度/光敏度为0.02至0.95 A/W.有关LAPD-2-09-17-LCC的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes 电容: 200 to 800 pFRoithner Lasertechnik的LAPD-2-09-17-TO39是一款光电二极管，波长范围为900至1700 nm，电容为200至800 PF，暗电流为10至40 nA，响应度/光敏度为0.02至0.95 A/W.有关LAPD-2-09-17-TO39的更多详细信息，请联系我们。
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光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes 电容: 750 to 2000 pFRoithner Lasertechnik的LAPD-3-09-17-TO39是一款光电二极管，波长范围为900至1700 nm，电容为750至2000 PF，暗电流为25至100 nA，响应度/光敏度为0.02至0.95 A/W.有关LAPD-3-09-17-TO39的更多详细信息，请联系我们。
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击穿电压: 185-260V 光谱范围: 400-1100nm 峰值响应: 800nm 量子效率: 84% 有效面积直径: 500μmExcelitas Technologies的C30902SH系列雪崩光电二极管是高速、大面积的硅APD，能在低噪声下提供高响应度。这些APD被特别选中用于Geiger模式（Vop > VBD）以检测单光子，或者在Linear模式（Vop < VBD）下工作，增益可达250。
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形状: Square 有效区域: 100mm2 有用尺寸: 10x10mm 响应度: 55A/W 暗电流: 250nAC30703FH Avalanche Photodiode是一种具有高响应度和低暗电流特性的光电探测器，适用于高精度光学测量。
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工作电压: 400-420V(standard version), 400-450V(high gain version) 增益: 80-100(standard version), 180-200(high gain version) 量子效率: 65-80% at 430nm 响应度: 26A/W(standard version), 52A/W(high gain version) at 430nm and Typical Gain M 温度系数: 1.2V/°C for constant gainC30739ECERH系列短波长增强硅雪崩光电二极管是一种大面积硅APD，专为各种宽带低光级应用而设计，涵盖从400nm以下到700nm以上的光谱范围。具有短波长响应性增强和在430nm时超过80%的典型量子效率。
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有效区域: 1x1mm² 带宽范围: 50MHz 工作电压温度系数: 1.0V/°C 指定响应度的Vop: 350-430V 温度传感器灵敏度: -1.8 to -2.4mV/°CExcelitas Technologies的C30659-UV-1 前置放大器模块集成了紫外增强型Si雪崩光电二极管(APD)和混合前置放大器，封装在同一密封的TO-8封装中，以实现超低噪声操作。
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光谱响应范围: Si APD: 400nm-1100nm, InGaAs APD: 1100nm-1700nm 系统带宽: 50MHz和200MHz 典型功耗: 150mW 放大器工作电压范围: ±5V AC负载能力: 50Ω (AC-Coupled)Excelitas Technologies的C30659系列包括一个硅或InGaAs雪崩光电二极管（APD）与混合前置放大器，在同一个密封的TO-8封装中，以实现超低噪声操作。
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系统带宽: 50 MHz and 200 MHz 超低噪声等效功率(NEP): 详见性能规格表 光谱响应范围: Si APD: 400 nm to 1100 nm, InGaAs APD: 1100 nm to 1700 nm 典型功耗: 150 mW (without TEC powered on) 放大器工作电压范围: ±5 VExcelitas Technologies的LLAM系列硅和InGaAs雪崩光电二极管（APD）接收模块集成了APD、热电制冷器（TEC）以及放大电路，所有这些都封装在同一个增强散热的改进12引脚TO-66法兰封装中。这些模块专为高速低光模拟信号的检测而设计。
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有用面积: 0.2mm2 有用直径: 0.5mm 封装: TO-18 Hermetic/TO-18 with Filter/TO-18 Plastic 击穿电压: 350V 操作电压: 150-200VExcelitas的C30724系列雪崩光电二极管（APD）设计用于在增益范围10到20时操作。这些APD在800到950纳米波长范围内提供高响应度，并具有大约5纳秒的上升和下降时间，下降时间特性没有“尾巴”。特别适用于激光测距、光通信系统等高速低噪声应用。
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有效面积直径: 230μm/500μm 峰值灵敏度波长: 800nm/900nm 击穿电压: 120-210V/180-260V 温度系数: 0.5V/°C/1.3V/°C 增益: M@800nm/900nmExcelitas Technologies的C30737系列硅雪崩光电二极管（APDs）适用于汽车激光雷达、激光测距仪、激光计量表及区域扫描应用，提供500nm至1000nm范围内的高响应度。
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击穿电压: 45-70V 光谱范围: 1000-1700nm 峰值响应: 1550nm 工作增益: 10-40 正向电流: 5mAExcelitas Technologies的C30733BQC-01 Pigtailed InGaAs APD是一款高速、高增益且低噪声的InGaAs雪崩光电二极管，专为光纤时域反射仪(OTDR)等电信测试设备应用而设计。
产品选型就用光电查
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