APD10-8-150-T52

分类：光电二极管

厂家： OSI Laser Diode, Inc.

产地：美国

型号： APD10-8-150-T52

更新时间： 2024-08-28 20:58:37

标签：

光纤通信激光测距高速光度测量硅雪崩光电二极管 800 nm波段

简介：

APD Series 8-150 Silicon Avalanche Photodiodes, 800 nm band

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概述

OSI Laser Diode，Inc.的APD10-8-150-T52是一款光电二极管，波长范围为800 nm，带宽为600 MHz，电容为6 PF，暗电流为0.2至2 nA，响应度/光敏度为50 A/W.有关APD10-8-150-T52的更多详细信息，请联系我们。

参数

光电探测器类型 / Photodetector Type : Avalanche
波长范围 / Wavelength Range : 800 nm
光电二极管材料 / Photodiode Material : Silicon
电容 / Capacitance : 6 pF
暗电流 / Dark Current : 0.2 to 2 nA
响应度/光敏度 / Responsivity/Photosensitivity : 50 A/W

应用

1. 光纤通信 2. 激光测距 3. 高速光度测量

特征

1. 0.2, 0.5, 1, 1.5mm直径活跃区域 2. 低温度系数：0.45 V/°C 3. 高灵敏度，低噪声 4. 高带宽

详述

APD Series 8-150是一款专为800 nm波段设计的硅雪崩光电二极管，具有高灵敏度和低噪声的特点。该系列产品提供0.2mm、0.5mm、1.0mm和1.5mm四种直径的活跃区域，适用于光纤通信、激光测距和高速光度测量等多种应用场景。产品具有低温度系数和高带宽，能够在不同环境下保持稳定的性能。APD Series 8-150的多种封装选项（如TO-52、TO-5、T5H）使其在安装和使用上非常灵活。该产品的高量子效率和较低的暗电流确保了其在高精度测量中的可靠性，是光电检测领域的理想选择。

规格书

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厂家介绍

OSI激光二极管公司（LDI）成立于1967年，为广泛的应用和行业生产较高质量的先进光电产品。我们较先进的制造、先进的产品开发和质量计划，加上我们持续的流程改进，体现了我们的领导、可靠性和诚信原则。

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