• SXUV100TF135B 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 12 to 18 nm RoHS: Yes 电容: 5 to 20 pF

    Opto Diode Corporation的SXUV100TF135B是一款集成薄膜滤波器的100平方毫米光电二极管。它的探测范围为12~18nm,在13.5nm处的响应度为0.09A/A.光电二极管具有10兆欧的高分流电阻。它可在黑色塑料容器中的带有保护盖的陶瓷载体中使用。

  • SXUV5 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode

    光电二极管公司的SXUV5是一种有效面积为5mm2的EUV(极紫外)圆形光电二极管。这款高速光电二极管具有卓越的13.5 nm光刻能力,在1至90 nm的极端UV曝光中具有稳定的响应度,使其成为EUV光最关键测量的理想选择。该器件具有高达1500 PF的电容、高达1 ns的响应时间和高达0.34 A/W的响应度。在大气环境中,该器件的工作温度范围为-10°C至+40°C,在氮气或真空环境中,该器件的工作温度范围为-20°C至+80°C.这款光电二极管符合RoHS规范,采用TO-5封装。

  • DET100A2 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:索雷博
    模块: Yes 光电探测器类型: PN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 320 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon

    Thorlabs Inc的DET100A2是一款偏置硅探测器模块,可探测320至1100 nm波长范围内的光信号。其光电二极管的有效面积为75.4 mm2,输出电流高达10 mA.该探测器的上升时间为35 ns,峰值响应为0.72 A/W,偏置电压为10 V,暗电流最高可达10 nA.它有一个可拆卸的1 “光耦合器,可轻松安装ND滤光片、光谱滤光片、光纤适配器(SMA、F和ST型)和其他1 ”可堆叠镜头安装配件。该探测器可使用40 mAh 12 V电池工作,封装尺寸为70.9 X 49.8 X 22.5 mm.

  • Lms49PD-05 光电二极管
    俄罗斯
    分类:光电二极管
    模块: No 工作模式: Photovoltaic, Photoconductive 暗电流: 17 mA 响应度/光敏度: 1 A/W

    LED MicroSensor NT的LMS49PD-05系列是一款光电二极管,可为中红外应用提供快速响应速度。它的敏感区域为0.5 mm,最大灵敏度范围为3.55-4.50μm.该光电二极管的暗电流为17 mA,光敏度为1 A/W,截止波长(10%水平)为4.9~5.0μm.它提供TO-18和TO-5两种封装,具有内置热冷却器、热电阻和前置放大器等多种选择。

  • LE/LSE Series 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: Yes 波长范围: 800 to 2200 nm 光电二极管材料: InGaAs 响应度/光敏度: 10.5 A/W

    Sensors Unlimited的LE/LSE系列是波长为0.8-2.2μm的InGaAs线性光电二极管阵列。这些光电二极管阵列的像素间距为25/50μm,像素高度为250/500μm.它们具有1.5μm的峰值波长灵敏度和10.5nV/光子的最小响应度。这些光电二极管阵列需要4.9-5.25 V的模拟电源。LE/LSE光电二极管阵列具有防晕光保护功能,可防止电荷从饱和像素流出,并允许增加场景内动态范围。它们与CMOS读出集成电路(ROIC)集成,可提供最大的抗扰度和灵敏度。这些光电二极管阵列需要一个模拟电源和两条数字控制线,以实现最佳ROIC性能,并提供通过单个输入选择两个独立增益的选项。它们由1级或2级热电冷却器组成,用于温度稳定和监控。这些光电二极管阵列采用ESD保护模块,非常适合FTIR/NIR干涉测量、NIR分子光谱、生物医学分析、塑料回收、工业过程控制和检测、机器视觉、农业分拣和热成像应用。

  • KPDE008LS-A-RA-HQ 光电二极管
    日本
    分类:光电二极管
    模块: No 光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.1 pF

    Kyoto Semiconductors的KPDE008LS-A-RA-HQ是一款KP-M InGaAs光电二极管,工作波长为900至1700 nm(O、E、S、C、L波段)。它可以处理10mW的最大输入光功率,响应度为0.8-0.9A/W,带宽为2GHz.该光电二极管的有效面积为80μm,电容高达1.1 PF.它的暗电流为160pA,反向电压为20V,正向电流为10mA.这款光电二极管采用TO-CAN封装,尺寸为Ø2.41 mm,非常适合光监控应用。

  • KPDEA13C 光电二极管
    日本
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 75 fF

    Kyoto Semiconductors的KPDEA13C是一款KP-A InGaAs雪崩光电二极管,工作波长为900至1700 nm.它的带宽为15GHz,响应度为0.5A/W,有效面积为φ13μm.该表面入射光电二极管具有GSG(地/信号/地)电极图案和4.5的倍增因子。暗电流为2μA,击穿电压为27 V.该光电二极管采用尺寸为0.42 X 0.48 mm的芯片封装,非常适合QSFP28-ER和QSFP56-ER应用。

  • KPM100 光电二极管
    日本
    分类:光电二极管
    模块: Yes 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 400 to 1000 nm 光电二极管材料: Silicon

    Kyoto Semiconductors的KPM100是一款硅雪崩光电二极管,工作波长为400至1000 nm.它可以处理1 MW的光输入功率,光电灵敏度为-67.5 kV/W.光电二极管需要5 V的直流电源,消耗高达70 mA的电流。它的响应度为0.45 A/W,支持USB 2.0接口。光电二极管由高速跨阻抗放大器组成,并具有预设和可编程的放大系数。它采用尺寸为61 X 61 X 2 mm的模块,带有SMA母头连接器,非常适合光通信、测距仪、光学测量、弱光检测和APD评估应用。

  • GUVB-C21SD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 240 to 320 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 1 nA

    Genuv的GUVB-C21SD是一款肖特基光电二极管,工作波长范围为260至320 nm.它的光功率为0.01-100mW/cm2,有效面积为0.076mm2。该光电二极管的正向电流为1 mA,反向电压为3 V.其暗电流为1 nA,光电流为115 nA,响应度为0.2 A/W.该光电二极管采用氮化铝镓制造,具有光伏工作模式。它是UV-B灯和紫外线指数监测应用的理想选择。

  • GUVC-S10GD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 1 nA

    Genuv的GUVC-S10GD是一款肖特基型光电二极管,工作波长范围为220至280 nm.它提供0.01-100mW/cm2的光输出功率,响应度为0.07A/W,光电二极管的反向电压为3V,正向电流为1mA.它是用氮化铝镓基材料制造的,具有良好的日盲性。该光电二极管采用SMD 3535 PKG封装,尺寸为0.4 mm,非常适合纯UV-C监控和灭菌灯监控应用。

  • GUVC-S40GD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    模块: No 光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 200 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN

    Genuv的GUVC-S40GD是一款肖特基型光电二极管,工作波长范围为220至280 nm.光电二极管的输出功率为0.01-100mW/cm2,响应度为0.06A/W,反向电压为3V,正向电流为1mA.它采用氮化铝镓基材料制成,具有良好的日盲性。该光电二极管采用尺寸为1 mm的CSP封装,非常适合纯UV-C监测和灭菌灯监测应用。

  • GUVC-T11GD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 1 nA

    Genicom的GUVC-T11GD是一款基于AlGaN的UV-C光电二极管,工作波长为220至280 nm.它由一个肖特基光电二极管组成,提供光伏工作模式。光电二极管的光源功率范围为0.01-100mW/cm2,响应度为0.06A/W,有效面积为0.076mm2。其最大反向电压为3 V,光电流为68 nA.这种光电二极管提供了良好的日盲性,是纯UV-C和消毒灯监测应用的理想选择。

  • EOC SiC UV APD 1.45-QFN-16 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: Yes 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 200 to 400 nm 光电二极管材料: SiC

    来自Electro Optical Components的EOC SiC UV APD 1.45-QFN-16是一款用于低信号应用的紫外日盲SiC雪崩光电二极管。该APD具有1nW/cm2的灵敏度,并且需要大约180VDC的高偏置电压。它采用4 X 4 mm QFN-16表贴封装。SiC UV APD非常适合各种低紫外线应用,包括火焰检测、紫外线光子计数、低水平紫外线监测和紫外线光电倍增管(PMT)的固态替代品。

  • VEMT3700F 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的VEMT3700F是一款硅NPN光电晶体管,光谱带宽为870至1050 nm.它具有与870至950 nm红外发射器匹配的日光阻挡滤光片,并且具有±60度的半灵敏度角度。该光电晶体管的最小集电极-发射极(C-E)击穿电压为70 V,C-E暗电流高达200 nA,C-E电容为3 PF.上升/下降时间为2-6μs,截止频率为180 kHz.这款光电晶体管采用表面贴装微型PLCC-2封装,尺寸为3.5 X 2.8 X 1.75 mm,非常适合光断续器、微型开关、计数器、编码器和位置传感器应用。

  • MTD8600N-T 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Metal 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压(击穿): 30 V

    Marktech Optoelectronics的MTD8600N-T是一款峰值灵敏度波长为880 nm的光电晶体管。它的光谱范围为400-1100nm,开关时间(上升/下降)为10μs.该晶体管的集电极-发射极电流为3 mA,C-E饱和电压为0.2 V,集电极暗电流高达100 nA.该器件采用TO-18金属罐封装,尺寸为Ø5.4 mm,是光学开关、光学传感器、边缘检测和烟雾探测器应用的理想选择。

  • RPM-22PB 光电晶体管
    日本
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount Type 光电晶体管型: Phototransistors 集电极发射极电压(击穿): 32 V 集电极暗电流: 0.5 µA

    Rohm Semiconductor的RPM-22PB是一种光电晶体管,其峰值灵敏度波长为800 nm.它的光电流为0.48-1.94 mA,暗电流高达0.5μA,集电极-发射极饱和电压高达0.4 V.该光电晶体管具有Ø1.5透镜,半角为±32度,响应时间为10μs.它采用尺寸为4.7 X 4.6 X 2.5 mm的封装,非常适合传感器应用的光学控制设备和接收器。

  • KPT081M31 光电晶体管
    日本
    分类:光电晶体管
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN 集电极发射极电压(击穿): 20 V 集电极暗电流: 5 to 200 nA

    Kyoto Semiconductors的KPT081M31是一款NPN Si光电晶体管,其敏感波长为800 nm.它的敏感面积为0.64 X 0.64 mm2,产生的光电流为7 mA.该光电晶体管的半角为60度,上升/下降时间为5μs,暗电流高达200 nA.它的最小电流放大系数为600,最大集电极-发射极饱和电压为0.4 V.该光电晶体管采用透明环氧树脂模制封装,尺寸为Ø3.8 X 30.3 mm,非常适合光学开关、光学编码器、光电隔离器、相机频闪仪、红外传感器和自动控制设备应用。

  • OSA305 光谱分析仪
    美国
    分类:光谱分析仪
    厂商:索雷博
    波长范围: 1 to 5.6 µm 光纤模式: Single Mode, Multi Mode Level Accuracy: ±0.4 dB 偏振相关性: ±0.1 dB RoHS: Yes

    Thorlabs Inc的OSA305是一款光谱分析仪,可测量1至5.6µm的波长。它的光学灵敏度范围为-75至-65 dBm/nm,动态范围为40 dB.该光谱分析仪的光谱准确度为±0.2ppm,光谱精度为0.2ppm.它的功率电平精度为±0.4 dB,偏振相关性为±0.1 dB.该频谱分析仪支持FC/APC和FC/PC光纤连接器。OSA305具有用于宽工作范围的多探测器操作和用于外部同步的触发输入。它具有用于光学净化的内置软管连接和一个自由空间输入端口,该端口带有四个4-40分接头,用于60 mm笼式系统兼容性。该频谱分析仪需要100-240 V的交流电源,功耗高达250 W.它采用台式模块,尺寸为541 X 224 X 533 mm,是光学研究、测量、仪器仪表和生产应用的理想选择。

  • AQ6360 光谱分析仪
    波长范围: 1200 to 1650 nm 波长分辨率: 0.2 to 2 nm 波长精度: ±0.02 to ±0.10 nm 光纤模式: Multi Mode, Single Mode 动态范围: 55 dB

    横河电机(Yokogawa Electric Corporation)的AQ6360是一款光谱分析仪,非常适合激光、光学收发器和光学放大器等电信设备的工业制造。它的波长范围为1200至1650纳米,基于衍射光栅技术。该分析仪具有20至-80 dB的宽测量范围和55 dB的动态范围。它支持单模和多模光纤。OSA具有内置分析功能以及以太网和GPIB远程接口。

  • AQ6374 光谱分析仪
    波长范围: 350 to 1750 nm 波长分辨率: 0.05 to 10 nm 波长精度: ±0.2 nm 光纤模式: Single Mode 动态范围: 60 dB

    Yokogawa Meter&Instruments的AQ6374是一款光谱分析仪,可以评估350至1750 nm的可见光和光通信波长。它具有60dB的宽动态范围和0.05~10nm的高波长分辨率。该分析仪的最大分辨率为2 pm,能够对多达100,000个波长点的功率水平进行采样,因此只需一次扫描即可精确评估和分析各种波长。AQ6374可用于开发分布式半导体器件,如仅发射一种波长的反馈激光二极管(DFB-LD)以及需要在宽波长范围内进行测量的光纤。AQ6374带有两个额外的增强功能。第一个是清除单色仪中捕获的水蒸气的功能,单色仪可以抑制某些波长的光的吸收。第二个功能是减少波长为入射光2–3倍的高阶衍射光的影响,这是所有单色仪因其设计原理而具有的特性。它非常适合半导体和光纤激光器的发射光谱测量以及光纤和光学滤波器的波长传输特性测量。