• SUR500X 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 260 to 1000 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 1.4 pF

    Laser Components的SUR500X是一款雪崩光电二极管(APD),可在260 nm至1000 nm的商用波长范围内提供无与伦比的噪声和灵敏度性能。它基于硅“穿透”结构,在DUV/UV波长范围内具有高灵敏度。有源区的直径为0.5mm.该APD在10μA的暗电流下具有200V的击穿电压。SUR500X采用特殊的密封TO-46封装,针对紫外线波长范围进行了优化。它是荧光测量、分析设备、医疗、闪烁和高速光度测量应用的理想解决方案。

  • BXP-15E 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    工作模式: Photovoltaic 波长范围: 3.6 to 3.8 µm 光电二极管材料: PbSe RoHS: Yes 窗口材料: Flat Sapphire

    Opto Diode Corporation的BXP-15E是一款基于单通道PbSe的光电二极管,响应速度快,适用于中红外应用。该光电二极管具有1平方的有源元件面积。mm,探测率为2 X 10^10 cm sqrt.Hz/W,峰值灵敏度波长为3.8µm,响应率为3 X 10^4 V/W,电阻为0.7-1.5 mOhm,时间常数小于5µs.BXP-15E光电二极管在宽动态范围内提供高信噪比性能。该器件采用TO5封装,带有平面蓝宝石窗口,适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱学、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。

  • BXP-25E 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    工作模式: Photovoltaic 波长范围: 3.6 to 3.8 µm 光电二极管材料: PbSe RoHS: Yes 窗口材料: Flat Sapphire

    Opto Diode Corporation的BXP-25SE是一款基于单通道PbSe的光电二极管,可为中红外应用提供最快的响应速度。它的有源元件面积为4平方英寸。mm,探测率为2 X 10^10 cm-sqrt.Hz/W.光电二极管的峰值灵敏度波长为3.8µm,响应度为1.5 X 10^4 V/W,电阻为0.7-2.5 MΩ,时间常数高达5µs.红外光电二极管可在宽动态范围内提供高信噪比性能。该器件采用TO5封装,配有平面蓝宝石窗口,适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱学、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。

  • BXP-35E 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    工作模式: Photovoltaic 波长范围: 3.6 to 3.8 µm 光电二极管材料: PbSe RoHS: Yes 窗口材料: Flat Sapphire

    Opto Diode Corporation的BXP-35E是一款基于单通道PbSe的光电二极管,响应速度快,适用于中红外应用。它的有源元件面积为9平方米。该光电二极管的峰值灵敏度波长为3.8µm,响应度为1.5 X 10^4 V/W,电阻为0.5-1.75 mΩ,时间常数高达5µs.红外光电二极管可在宽动态范围内提供高信噪比性能。该器件采用TO5封装,配有平面蓝宝石窗口,适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱学、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。

  • BXP-35F 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    工作模式: Photovoltaic 波长范围: 3.8 µm 光电二极管材料: PbSe RoHS: Yes 窗口材料: 2.4 µm Longpass Ge Filter

    Opto Diode Corporation的BXP-35F是一款基于单通道PbSe的光电二极管,响应速度快,适用于中红外应用。它的有源元件面积为9平方米。光电二极管的峰值灵敏度波长为3.8µm,响应度为1.0 X 10^4 V/W,电阻为0.5-1.0 mΩ,时间常数高达5µs.红外光电二极管可在宽动态范围内提供高信噪比性能。它采用TO5封装,具有2.4µm长通GE滤波器窗口,适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。

  • BXT2S-68TE 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    光电探测器类型: PIN 波长范围: 4.3 to 4.5 µm 光电二极管材料: PbSe RoHS: Yes 窗口材料: Flat Sapphire

    Opto Diode Corporation的BXT2S-68TE是基于PbSe的单通道光电二极管,可为中红外应用提供最快的响应速度。它的峰值灵敏度波长为4.3~4.5μm,响应度为1.65×104~2.5×104V/W,有效元件面积为36mm2,最小探测率为1.5×1010cm Hz1/2W-1。其电阻为1-15 MΩ,时间常数为12-25µs.这款红外光电二极管可在宽动态范围内提供高信噪比性能。该器件采用TO8封装,具有平面蓝宝石窗口,适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱学、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。

  • NXIR-5C 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    波长范围: 320 to 1100 nm RoHS: Yes 电容: 5 pF 暗电流: 1 to 3 nA 响应度/光敏度: 0.35 to 0.62 A/W

    Opto Diode Corporation的NXIR-5C是一款红光至近红外(NIR)增强型光电二极管,圆形有效面积为5 mm2。光电二极管具有从320nm到1100nm的光谱响应。该器件具有出色的响应度、低反向偏压和高灵敏度,在850 nm时为0.62 A/W,在1064 nm时为0.35 A/W.该光电二极管在1nA时具有低暗电流,在10伏时具有5皮法(PF)的低电容,以及大于100mΩ的高分流电阻。它采用定制的4.7 mm X 4.9 mm陶瓷载体表面贴装器件(SMD)封装。坚固的封装具有AR涂层窗口,可提供超过98%的透射率。NIR增强型探测器适用于激光监测、医疗诊断设备、工业自动化、科学测量和军事应用。SMD符合RoHS和REACH标准,并以卷带和卷盘形式提供。

  • DET100A2 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:索雷博
    模块: Yes 光电探测器类型: PN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 320 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon

    Thorlabs Inc的DET100A2是一款偏置硅探测器模块,可探测320至1100 nm波长范围内的光信号。其光电二极管的有效面积为75.4 mm2,输出电流高达10 mA.该探测器的上升时间为35 ns,峰值响应为0.72 A/W,偏置电压为10 V,暗电流最高可达10 nA.它有一个可拆卸的1 “光耦合器,可轻松安装ND滤光片、光谱滤光片、光纤适配器(SMA、F和ST型)和其他1 ”可堆叠镜头安装配件。该探测器可使用40 mAh 12 V电池工作,封装尺寸为70.9 X 49.8 X 22.5 mm.

  • LE/LSE Series 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: Yes 波长范围: 800 to 2200 nm 光电二极管材料: InGaAs 响应度/光敏度: 10.5 A/W

    Sensors Unlimited的LE/LSE系列是波长为0.8-2.2μm的InGaAs线性光电二极管阵列。这些光电二极管阵列的像素间距为25/50μm,像素高度为250/500μm.它们具有1.5μm的峰值波长灵敏度和10.5nV/光子的最小响应度。这些光电二极管阵列需要4.9-5.25 V的模拟电源。LE/LSE光电二极管阵列具有防晕光保护功能,可防止电荷从饱和像素流出,并允许增加场景内动态范围。它们与CMOS读出集成电路(ROIC)集成,可提供最大的抗扰度和灵敏度。这些光电二极管阵列需要一个模拟电源和两条数字控制线,以实现最佳ROIC性能,并提供通过单个输入选择两个独立增益的选项。它们由1级或2级热电冷却器组成,用于温度稳定和监控。这些光电二极管阵列采用ESD保护模块,非常适合FTIR/NIR干涉测量、NIR分子光谱、生物医学分析、塑料回收、工业过程控制和检测、机器视觉、农业分拣和热成像应用。

  • KPDE008LS-A-RA-HQ 光电二极管
    日本
    分类:光电二极管
    模块: No 光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.1 pF

    Kyoto Semiconductors的KPDE008LS-A-RA-HQ是一款KP-M InGaAs光电二极管,工作波长为900至1700 nm(O、E、S、C、L波段)。它可以处理10mW的最大输入光功率,响应度为0.8-0.9A/W,带宽为2GHz.该光电二极管的有效面积为80μm,电容高达1.1 PF.它的暗电流为160pA,反向电压为20V,正向电流为10mA.这款光电二极管采用TO-CAN封装,尺寸为Ø2.41 mm,非常适合光监控应用。

  • KPDEA13C 光电二极管
    日本
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 75 fF

    Kyoto Semiconductors的KPDEA13C是一款KP-A InGaAs雪崩光电二极管,工作波长为900至1700 nm.它的带宽为15GHz,响应度为0.5A/W,有效面积为φ13μm.该表面入射光电二极管具有GSG(地/信号/地)电极图案和4.5的倍增因子。暗电流为2μA,击穿电压为27 V.该光电二极管采用尺寸为0.42 X 0.48 mm的芯片封装,非常适合QSFP28-ER和QSFP56-ER应用。

  • KPM100 光电二极管
    日本
    分类:光电二极管
    模块: Yes 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 400 to 1000 nm 光电二极管材料: Silicon

    Kyoto Semiconductors的KPM100是一款硅雪崩光电二极管,工作波长为400至1000 nm.它可以处理1 MW的光输入功率,光电灵敏度为-67.5 kV/W.光电二极管需要5 V的直流电源,消耗高达70 mA的电流。它的响应度为0.45 A/W,支持USB 2.0接口。光电二极管由高速跨阻抗放大器组成,并具有预设和可编程的放大系数。它采用尺寸为61 X 61 X 2 mm的模块,带有SMA母头连接器,非常适合光通信、测距仪、光学测量、弱光检测和APD评估应用。

  • KPMC29 光电二极管
    日本
    分类:光电二极管
    模块: No 光电探测器类型: PN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: Silicon, InGaAs RoHS: Yes

    Kyoto Semiconductors的KPMC29是一款Si/InGaAs双色调光电二极管,有效面积为2.2 X 2.2 sq.毫米(Si)和0.86 X 0.86平方毫米(InGaAs)。为了扩展波长范围,在同一轴上堆叠了对短波长敏感的Si光电二极管和对长波长敏感的InGaAs光电二极管。它的终端电容为30 PF(Si)、45 PF(InGaAs),响应度高达0.7 A/W(Si)、0.9 A/W(InGaAs)。该光电二极管在-20至+80℃的温度范围内工作,并且具有从400至1700nm的宽波长范围。该设备非常适合用于分光光度计、辐射温度计、医疗设备、保健设备和光纤测试设备。

  • RPM-22PB 光电晶体管
    日本
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount Type 光电晶体管型: Phototransistors 集电极发射极电压(击穿): 32 V 集电极暗电流: 0.5 µA

    Rohm Semiconductor的RPM-22PB是一种光电晶体管,其峰值灵敏度波长为800 nm.它的光电流为0.48-1.94 mA,暗电流高达0.5μA,集电极-发射极饱和电压高达0.4 V.该光电晶体管具有Ø1.5透镜,半角为±32度,响应时间为10μs.它采用尺寸为4.7 X 4.6 X 2.5 mm的封装,非常适合传感器应用的光学控制设备和接收器。

  • KPT081M31 光电晶体管
    日本
    分类:光电晶体管
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN 集电极发射极电压(击穿): 20 V 集电极暗电流: 5 to 200 nA

    Kyoto Semiconductors的KPT081M31是一款NPN Si光电晶体管,其敏感波长为800 nm.它的敏感面积为0.64 X 0.64 mm2,产生的光电流为7 mA.该光电晶体管的半角为60度,上升/下降时间为5μs,暗电流高达200 nA.它的最小电流放大系数为600,最大集电极-发射极饱和电压为0.4 V.该光电晶体管采用透明环氧树脂模制封装,尺寸为Ø3.8 X 30.3 mm,非常适合光学开关、光学编码器、光电隔离器、相机频闪仪、红外传感器和自动控制设备应用。

  • OSA305 光谱分析仪
    美国
    分类:光谱分析仪
    厂商:索雷博
    波长范围: 1 to 5.6 µm 光纤模式: Single Mode, Multi Mode Level Accuracy: ±0.4 dB 偏振相关性: ±0.1 dB RoHS: Yes

    Thorlabs Inc的OSA305是一款光谱分析仪,可测量1至5.6µm的波长。它的光学灵敏度范围为-75至-65 dBm/nm,动态范围为40 dB.该光谱分析仪的光谱准确度为±0.2ppm,光谱精度为0.2ppm.它的功率电平精度为±0.4 dB,偏振相关性为±0.1 dB.该频谱分析仪支持FC/APC和FC/PC光纤连接器。OSA305具有用于宽工作范围的多探测器操作和用于外部同步的触发输入。它具有用于光学净化的内置软管连接和一个自由空间输入端口,该端口带有四个4-40分接头,用于60 mm笼式系统兼容性。该频谱分析仪需要100-240 V的交流电源,功耗高达250 W.它采用台式模块,尺寸为541 X 224 X 533 mm,是光学研究、测量、仪器仪表和生产应用的理想选择。

  • AQ6360 光谱分析仪
    波长范围: 1200 to 1650 nm 波长分辨率: 0.2 to 2 nm 波长精度: ±0.02 to ±0.10 nm 光纤模式: Multi Mode, Single Mode 动态范围: 55 dB

    横河电机(Yokogawa Electric Corporation)的AQ6360是一款光谱分析仪,非常适合激光、光学收发器和光学放大器等电信设备的工业制造。它的波长范围为1200至1650纳米,基于衍射光栅技术。该分析仪具有20至-80 dB的宽测量范围和55 dB的动态范围。它支持单模和多模光纤。OSA具有内置分析功能以及以太网和GPIB远程接口。

  • AQ6374 光谱分析仪
    波长范围: 350 to 1750 nm 波长分辨率: 0.05 to 10 nm 波长精度: ±0.2 nm 光纤模式: Single Mode 动态范围: 60 dB

    Yokogawa Meter&Instruments的AQ6374是一款光谱分析仪,可以评估350至1750 nm的可见光和光通信波长。它具有60dB的宽动态范围和0.05~10nm的高波长分辨率。该分析仪的最大分辨率为2 pm,能够对多达100,000个波长点的功率水平进行采样,因此只需一次扫描即可精确评估和分析各种波长。AQ6374可用于开发分布式半导体器件,如仅发射一种波长的反馈激光二极管(DFB-LD)以及需要在宽波长范围内进行测量的光纤。AQ6374带有两个额外的增强功能。第一个是清除单色仪中捕获的水蒸气的功能,单色仪可以抑制某些波长的光的吸收。第二个功能是减少波长为入射光2–3倍的高阶衍射光的影响,这是所有单色仪因其设计原理而具有的特性。它非常适合半导体和光纤激光器的发射光谱测量以及光纤和光学滤波器的波长传输特性测量。

  • AQ6380 光谱分析仪
    波长范围: 1200 to 1650 nm 波长分辨率: 0.005 to 2 nm 波长精度: 0.005 to 0.05 nm 光纤模式: Single Mode 动态范围: 45 to 65 dB

    横河电机(Yokogawa Electric Corporation)的AQ6380是一款光谱分析仪,工作波长为1200至1650 nm.它的波长分辨率为0.005-2 nm,步长为0.01 nm,波长精度高达±0.005-±0.05 nm,近动态范围高达65 dB.该频谱分析仪的光回波损耗为30dB,电平灵敏度为-85dB(传统模式)和-72dB(快速模式)。它的最短预热时间为1小时,测量时间为0.2秒。该频谱分析仪需要100至240 V的交流电源,功耗高达100 W.它可以通过以太网、GP-IB、USB和VGA接口进行远程控制,也可以通过10.4英寸彩色LCD触摸屏进行手动控制。AQ6380集成了智能化和功能,包括自动波长校准和优化的扫描速度,可实现更高效的操作。它还包括气体净化机制、全自动波长校准、与高分辨率和高样本计数的兼容性以及单模光纤输入。这款频谱分析仪采用台式模块,尺寸为426 X 221 X 459 mm,配有FC/PC或SC/PC连接器,非常适合WDM测试、DFB-LD测试、LED测试、FP-LD测试、应用管理(添加/删除)和光纤检测应用。

  • MS9740B-009 光谱分析仪
    日本
    分类:光谱分析仪
    厂商:安立公司
    波长范围: 600 to 1750 nm 波长精度: ±50 to ±300 ppm 光纤模式: Multi Mode 动态范围: 53 to 70 dB 扫描时间: 0.2 to 1.65 s

    安立公司(Anritsu Corporation)的MS9740B-009是一款光谱分析仪,可测量600至1750 nm的波长。它的光学灵敏度范围为-90至+23 dBm,动态范围为57-70 dB.该频谱分析仪的波长精度为±50至±300 pm,波长稳定性为±5 pm.它具有超过32dB的光回波损耗和0.2至0.65秒的扫描时间。该频谱分析仪支持SM光纤、50μm/125μm GI光纤、62.5μm/125μm GI光纤、PC连接器SM和GI光纤。它可以通过以太网和GPIB接口进行远程控制,并支持连接到外部VGA显示器。MS9740B-009具有支持调制信号的信号电平积分功能,并可以使用噪声拟合函数准确估计噪声位置。它支持光轴对准、波长校准和有效分辨率校准功能。该频谱分析仪具有用于评估器件的光学有源器件(LD模块、DF-LD、FP-LD、LED、PMD、WDM、OPT AMP和WDM滤波器)测量菜单屏幕。它支持关键评估项目的一次性测量,如光学中心波长、电平、OSNR、光谱宽度等,并在一个屏幕上显示这些结果。该频谱分析仪需要100-120 V或200-240 V的交流电源,功耗为75 W.它采用台式模块,尺寸为426 X 177 X 350 mm,具有FC、SC、ST和DIN光纤连接器。该频谱分析仪是光收发器测量、LD模块测试分析、光学芯片/CAN器件评估、EDFA分析、光学放大器应用分析、窄带滤波器分析、透射率评估、插入损耗评估和WDM应用的理想选择。