QL85D6S-A/B/C（Quantum Semiconductor International）是一款激光二极管，波长为845至855 nm，输出功率为5 MW，工作电压为1.8至2.5 V，工作电流为15至30 mA.有关QL85D6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

Quantum Semiconductor International的QL85G63E是一款激光二极管，波长为845至855 nm，输出功率为15 MW，工作电压为2.2至2.4 V，工作电流为45至55 mA.有关QL85G63E的更多详细信息，请联系我们。

QL85H6S-A/B/C（Quantum Semiconductor International）是一款激光二极管，波长为845至865 nm，输出功率为20 MW，工作电压为2至2.5 V，工作电流为40至70 mA.有关QL85H6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

Quantum Semiconductor International的QL85I6S-A/B/C是一种激光二极管，波长为845至860 nm，输出功率为30 MW，工作电压为2至2.5 V，工作电流为50至90 mA.有关QL85I6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

来自Quantum Semiconductor International的QL85J6S-A/B/C-L是波长为845至865 nm、输出功率为40 MW、工作电压为2至2.5 V、工作电流为70至110 mA的激光二极管。有关QL85J6S-A/B/C-L的更多详细信息，请联系我们。

来自Quantum Semiconductor International的QL85R6S-A/B/C是波长为840至860 nm、输出功率为200 MW、工作电压为1.8至2.6 V、工作电流为180至240 mA的激光二极管。有关QL85R6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

QL90F7S-A/B/C（Quantum Semiconductor International）是一款激光二极管，波长为885至915 nm，输出功率为10 MW，工作电压为1.5至2.3 V，工作电流为35至60 mA.有关QL90F7S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

来自QSI的QL94J6SA/B/C是MOCVD生长的具有量子阱结构的940nm波段InGaAs激光二极管。它为工业光学模块和传感器应用提供50 MW的光输出功率。激光二极管采用5.6 mm TO-18封装，内置光电二极管，用于监控激光二极管。

来自Quantum Semiconductor International的QL94R6S-A/B/C是波长为930至950 nm、输出功率为200 MW、工作电压为1.8至2.4 V、工作电流为270至320 mA的激光二极管。有关QL94R6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

来自OSRAM的SPL DS90A_3是广泛用于各种汽车应用的纳米堆叠脉冲激光二极管。它可以在高达40 A的高电流下工作，并实现125 W的典型输出功率。该激光器具有令人印象深刻的长寿命和高效率。其紧凑的尺寸允许在车辆内进行灵活的系统设计。得益于更高的输出，激光雷达系统可以可靠地探测到远距离的小物体和反射较差的物体，并在关键的驾驶情况下采取必要的行动。它是激光雷达、闭路电视监控和工业自动化应用的理想选择。

来自OSRAM的SPL PL90_3，是波长为905nm的纳米堆叠脉冲激光二极管。输出峰值功率为65W-85W，脉宽为1-100ns，光谱带宽7nm.该激光二极管有3个发射器，光束发散角（FWHM）为9°（平行）和25°（垂直）。它的阈值电流为0.75 A，反向电压高达3 V。它需要9 V的直流电源，正向电流高达40 A。该激光二极管采用Ø5.8 X 32 mm的塑料封装，非常适合电子设备、设备照明（如固化、内窥镜）、工矿灯行业、工业自动化、安全安保和CCTV应用。

Freedom Photonics的FP3007X是一款激光二极管，波长为760至800 nm，输出功率为100至120 MW，输出功率为0.1至0.12 W，阈值电流为33至40 mA，工作温度为-5至75摄氏度。有关FP3007X的更多详细信息，请联系我们。

Freedom Photonics的FP3915是一款工作波长为1550 nm的激光二极管。它的光谱宽度（FWHM）小于1 nm，有2个版本，可在单空间模式或多空间模式下工作。该激光器在单空间模式中消耗0.5W的功率，峰值EO效率为20%，在多空间模式中消耗3W的功率，峰值EO效率为36%。它采用C-Mount载体，是自由空间光学（FSO）通信、红外、照明、红外指向、激光测距、激光雷达、光纤测试和医疗应用的理想选择。

Excelitas Technologies的C30619GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管，工作光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W，上升时间为0.5ns，带宽为700MHz.该光电二极管的击穿电压超过20 V，电容为2-15 PF，暗电流为20 nA.它需要5 V直流电源，功耗为10 mA.该光电二极管的有效直径为0.5 mm，有效面积为0.2 mm²。它采用符合RoHS规范的TO-18封装，非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

Excelitas Technologies的C30641GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管，工作光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W，上升时间为2ns，带宽为150MHz.该光电二极管的击穿电压超过20 V，电容为9-60 PF，暗电流高达50 nA.它需要5 V直流电源，功耗为10 mA.该圆形光电二极管的有效直径为1 mm，有效面积为0.8 mm²。它采用符合RoHS规范的TO-18封装，非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

Excelitas Technologies的C30642GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管，光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W，上升时间为9ns，带宽为40MHz.该光电二极管的击穿电压超过15 V，电容为36-400 PF，暗电流小于2 nA.它需要5 V直流电源，功耗为10 mA.该光电二极管的有效直径为2 mm，有效面积为3.1 mm2。它采用符合RoHS规范的TO-5封装，非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

Excelitas Technologies的C30645L-080是一款InGaAs雪崩光电二极管，工作波长范围为1000至1700 nm.其击穿电压为45~70 V，响应度为9.4 A/W，量子效率为75%，上升/下降时间为0.3 ns.它的正向电流为5 mA，反向电流为0.4 mA，功耗为20 MW.C30645L-080在低暗电流和噪声下提供高响应度和量子效率。这款光电二极管采用陶瓷SMT封装，尺寸为3.00 X 2.70 X 1.35 mm，非常适合激光雷达/飞行时间测量、人眼安全激光测距、光时域反射计、光通信系统、激光扫描和大批量消费电子应用。

Excelitas Technologies的C30662L-200是一款InGaAs雪崩光电二极管，工作波长范围为1000至1700 nm.其击穿电压为45~70 V，响应度为9.4 A/W，量子效率为75%，上升/下降时间为0.3 ns.它的正向电流为5 mA，反向电流为0.4 mA，功耗为20 MW.C30662L-200在低暗电流和噪声下提供高响应度和量子效率。它采用陶瓷SMT封装，尺寸为3.00 X 2.70 X 1.35 mm，非常适合激光雷达/飞行时间测量、人眼安全激光测距、光时域反射计、光通信系统、激光扫描和大批量消费应用。

Excelitas Technologies的C30665GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管，光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W，上升时间为17ns，带宽为20MHz.该光电二极管的击穿电压超过10 V，电容为77-530 PF，暗电流为5 nA.它需要5 V直流电源，功耗为10 mA.该光电二极管具有3mm的有效直径和7mm2的有效面积。它采用符合RoHS规范的TO-5封装，非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

Excelitas Technologies的ExactD-332是一款光谱范围为500-1650 nm的光电二极管模块。它可以从激光测距仪、目标指示器和主动激光光电（E.O.）系统的直接和间接散射光中探测并提供精确的到达角（AOA）信息。该光电二极管使用组装在夹层结构中的5元件Si和InGaAs检测器阵列，并结合3位数字格雷码掩模，以将入射激光束AOA转换为3位数字图案。它具有0.2-0.7A/W的响应度和60dB的动态范围。该光电二极管的上升时间为5 ns，结面积为0.75 mm2，视场为±45°。它的电容为13.5 PF，击穿电压为25 V.EXACTD-332采用TO-8 CAN封装，非常适合激光报警接收器系统、位置确定系统和方向辅助应用。