Gentec-EO QE系列是一系列高性能、高精度的热释电焦耳计，设计用于测量激光能量。每个模块单元都具有耐用性、紧凑性和易操作性。QE光吸收体表现出高损伤阈值，并且可以在高重复频率下工作。通过QED衰减器/扩散器，QE系列可用于更高的能级。

Gentec-EO QE系列是一系列高性能、高精度的热释电焦耳计，设计用于测量激光能量。每个模块单元都具有耐用性、紧凑性和易操作性。QE光吸收体表现出高损伤阈值，并且可以在高重复频率下工作。通过QED衰减器/扩散器，QE系列可用于更高的能级。

莱诺克斯激光精密镀铬玻璃狭缝用于各种光学仪器和系统，包括分光光度计、线扩散函数、掩模和其他应用。

HARPIA 综合光谱系统在紧凑的空间内可以完成多种复杂的时间分辨光谱的测量。它提供直观的用户体验和方便的日常维护，满足当今科学应用的需求。 HARPIA-TA 是一个瞬态吸收光谱系统。可根据特定测量需求选配定制选项和扩展模块来定制 HARPIA 系统。尤其是它可以使用时间相关单光子计数和荧光上转换 (HARPIA-TF)、第三束传输 (HARPIA-TB) 和显微镜 (HARPIA-MM) 模块进行扩展。HARPIA 的设计使其在测量模式之间轻松切换，并配有专用数据采集和分析软件。每个模块都包含在一个整体腔体内，确保其出色的光学稳定性和最小的光程长度。 HARPIA-TG 是一种新型瞬态光栅光谱系统，专门用于测量扩散系数和载流子寿命。全自动计算机控制的系统可以在几分钟内完成测量。 对于一站式解决方案，HARPIA 光谱系统可以与 PHAROS 或 CARBIDE 激光器以及 ORPHEUS 或 I-OPA 系列 OPA 相结合。

HARPIA-TG是一个瞬时光栅光谱仪，用于测量载流子扩散和寿命。测量是基于激光诱导的瞬态光栅（LITG）技术。这种方法可以通过全光手段同时观察非平衡载流子的重组和扩散。 HARPIA-TG允许对非导电或非荧光的样品进行表征。它适用于半导体材料和衍生物，如碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、包晶石、有机和无机太阳能电池、量子点，甚至复杂的纳米结构，如量子井。 与CARBIDE或带有集成光学参数放大器（I-OPA）的PHAROS激光器相配合，这个紧凑的系统通过先进的测量和分析软件实现了完全自动化和计算机控制。因此，用户只需要把样品放在支架上并开始测量，就可以在几分钟内获得扩散系数。

Excelitas Technologies的C30902EH系列雪崩光电二极管采用双扩散“透射”结构，提供400 nm至1000 nm之间的高响应度以及极快的上升和下降时间。这些探测器芯片被密封在一个改装的TO-18封装中，正面是平面玻璃窗。有用的光敏表面直径为0.5毫米，C30921EH则封装在一个带有光导管的TO-18中，可以高效地将光从聚焦点或直径高达0.25毫米的光纤耦合到探测器上。

C30817EH系列硅雪崩光电二极管是一种通用型光电二极管，采用双扩散“穿透”结构制造，可提供400至1100纳米波长范围内的高响应度以及在所有波长下的快速上升和下降时间。

C30884EH是一种硅雪崩光电二极管，具有高响应度和快速上升下降时间。该器件使用双扩散“穿透”结构制造，优化了在1000纳米以下波长的高响应度。

Excelitas的C30954EH、C30955EH和C30956EH是采用双扩散“穿透”结构制成的通用硅雪崩光电二极管。这些光电二极管的设计使它们的长波响应（即>900nm）得到增强，同时保持低噪声、低电容以及快速上升和下降时间特性。

C30927EH系列是用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管，采用双扩散“穿透”结构，优化用于波长为1060nm、900nm和800nm。这种设计没有元素间的死区，因此在视线中心没有响应损失。

OSI Optoelectronics提供两个独特的UV增强硅光电二极管系列：反型通道系列和平面扩散系列。这两个系列的设备特别设计用于UV区域的低噪声检测。适用于污染监测、医疗仪器等应用。

OSI Optoelectronics提供两个独特的紫外线增强硅光电二极管系列：反转通道系列和平面扩散系列。这两个系列的设备专门设计用于紫外区域的低噪声检测。适用于污染监测、医疗仪器等多种应用。