• pco.edge 4.2 bi USB 背照式冷却sCMOS相机 科学和工业相机
    量子效率: up to 95% 光谱范围: 370nm...1100nm, 190nm...1100nm UV version 暗电流: 0.2e-/pixel/s @ -25°C sensor temperature 分辨率: 2048x2048 active pixel 像元尺寸: 6.5µmx6.5µm

    pco.edge 4.2 bi USB是一款背照式冷却sCMOS相机,具有高量子效率、低光模式和专为光片显微镜设计的扫描模式。

  • pco.edge 4.2 bi UV 高量子效率-背照式冷却sCMOS相机 科学和工业相机
    分辨率: 2048 x 2048 active pixel 像素尺寸: 6.5µm x 6.5µm 传感器格式/对角线: 13.3mm x 13.3mm / 18.8mm 快门模式: Rolling Shutter (RS) 量子效率: Up to 95%

    pco.edge 4.2 bi UV是一款背照式冷却sCMOS相机,具备高量子效率、低光模式和光片扫描模式,适用于低光照条件下的成像。

  • pco.edge 4.2 bi XU 高分辨率低噪声科学成像相机 科学和工业相机
    分辨率: 2048x2048 pixel 像元尺寸: 6.5µmx6.5µm 接口: USB 3.1 Gen 1 读出噪声: 1.9e-(median) 真空应用: down to 1x10-7mbar

    该产品是一款具备冷却背照式sCMOS技术的高分辨率相机,其分辨率为4.2百万像素,具有极低的读出噪声和高量子效率,适用于真空环境,支持USB 3.1 Gen 1接口。

  • pco.edge 4.2 CLHS 高性能冷却sCMOS相机 科学和工业相机
    图像传感器: sCMOS 分辨率: 2048x2048像素 像元尺寸: 6.5µmx6.5µm 传感器格式/对角线: 13.3mmx13.3mm/18.8mm 快门模式: 滚动快门(RS),全局复位-滚动读出(GR)

    pco.edge 4.2 CLHS是一款具有高动态范围、高分辨率和高量子效率的冷却sCMOS相机,适用于各种高速和高灵敏度的成像需求。

  • pco.edge 4.2 LT 2048x2048像素高速科学级CMOS相机 科学和工业相机
    分辨率: 2048x2048 pixel 像元尺寸: 6.5µmx6.5µm 接口: USB 3.0 读出噪声: 0.8/1.3e- med rms 量子效率: up to 82%

    pco.edge 4.2 LT是一款专为科学成像、低光成像、燃烧成像、高分辨率显微镜、机器视觉等应用设计的科学级CMOS相机,具备高分辨率、低噪声、高量子效率和高动态范围等特点。

  • pco.edge 4.2 USB 科学级单色sCMOS相机 科学和工业相机
    图像传感器: sCMOS 分辨率: 2048 x 2048 pixels 像素尺寸: 6.5µm x 6.5µm 传感器格式/对角线: 13.3mm x 13.3mm / 18.8mm 快门模式: Rolling Shutter (RS), Global Reset - Rolling Readout (GR)

    pco.edge 4.2 USB是一款高性能的科学级别单色sCMOS相机,具备高动态范围、高分辨率和高量子效率,适用于要求苛刻的科学和工业成像应用。

  • C30739ECERH Series 短波长增强硅雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    工作电压: 400-420V(standard version), 400-450V(high gain version) 增益: 80-100(standard version), 180-200(high gain version) 量子效率: 65-80% at 430nm 响应度: 26A/W(standard version), 52A/W(high gain version) at 430nm and Typical Gain M 温度系数: 1.2V/°C for constant gain

    C30739ECERH系列短波长增强硅雪崩光电二极管是一种大面积硅APD,专为各种宽带低光级应用而设计,涵盖从400nm以下到700nm以上的光谱范围。具有短波长响应性增强和在430nm时超过80%的典型量子效率。

  • C30724 Series 高量子效率-高速低噪声雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有用面积: 0.2mm2 有用直径: 0.5mm 封装: TO-18 Hermetic/TO-18 with Filter/TO-18 Plastic 击穿电压: 350V 操作电压: 150-200V

    Excelitas的C30724系列雪崩光电二极管(APD)设计用于在增益范围10到20时操作。这些APD在800到950纳米波长范围内提供高响应度,并具有大约5纳秒的上升和下降时间,下降时间特性没有“尾巴”。特别适用于激光测距、光通信系统等高速低噪声应用。

  • C30645L-080 and C30662L-200系列雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    击穿电压: 45-70V 光谱范围: 1000-1700nm 峰值响应: 1550nm 响应度: 9.4A/W 工作增益: 10-20

    Excelitas Technologies的C30645L-080和C30662L-200系列雪崩光电二极管是高速、大面积的InGaAs APDs,提供高量子效率和低噪声的高响应度。

  • C30645 and C30662 Series 高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    活动直径: 80-200µm 击穿电压: 45-70V 工作点偏离击穿电压: 4.0V (C30662EH-1@ M=10) 温度系数: 0.14-0.20V/deg C 响应度: 9.3A/W

    Excelitas Technologies的C30645和C30662系列是高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管。这些器件在1100纳米至1700纳米的光谱范围内提供高量子效率、高响应度和低噪声。它们被优化用于1550纳米波长,适用于眼安全激光测距和激光雷达系统。

  • Skylark 780 NX CW C-DPSS激光器 激光器模块和系统
    英国
    厂商:Skylark Lasers
    输出功率: 400 mW 波长: 780 nm 光谱带宽: ≤ 0.3 MHz 空间模式: TEM00 光谱稳定性: ± 0.2 pm (over 8 hour operation)

    Skylark 780 NX是一款单频CW C-DPSS激光器,提供高达400 mW的超稳定输出功率,适用于拉曼光谱、测量学和量子技术等应用。

  • WinCamD-QD SWIR/eSWIR量子点光束分析仪 光束分析仪
    美国
    分类:光束分析仪
    厂商:DataRay
    波长范围: 350-2000nm 像素尺寸: 15µm 分辨率: Up to 1920x1080 动态范围: >2100:1 (33dB opt./66dB elec.) 模数转换器位数: 14-bit

    WinCamD-QD系列使用胶体量子点传感器,为可见光、SWIR和eSWIR光源提供高质量的光束分析。该系列具有15微米像素,350-2000纳米的宽波长范围以及全局快门,提供无与伦比的光束分析能力。

  • COSPEC REMOTE SENSOR高性能光谱仪 光谱仪
    美国
    分类:光谱仪
    厂商:Resonance
    目标气体: SO2, NO2, BrO, OClO 光谱范围: 300-410nm 检测限: <2ppm-m 动态范围: 0-6000ppm-m 视场角: 由望远镜设定(通常15-25millirads)

    高级COSPEC是一款能够实时测量SO2、NO2等气体在大气中的集成浓度的光谱仪设备,无需考虑其他可能干扰的气体。它结合了高量子效率的CCD传感器和Czerny-Turner光纤光谱仪,具有高信噪比和足够的灵敏度,在恶劣天气条件下追踪远距离的羽流。

  • CsTeQ-D-L 紫外线CsTe二极管探测器 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    厂商:Resonance
    阳极供电电压: 10-100 VDC 光谱响应: 160-320 nm 窗口材料: Quartz 峰值波长: 240 nm 光阴极电流: 1.2 uA

    Resonance Ltd.的CsTeQ-D-L是一个紫外线CsTe二极管探测器,带有石英窗口,可以通过适配器直接安装到2.75英寸的共平面法兰上。该二极管具有10%的峰值量子效率,适用于真空系统和宽波段光电检测。

  • XUV Series 硅光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    反向电压: 5V 工作温度: -20到+60ºC 储存温度: -20到+80ºC 有效区域: 5到100mm2 活动区域尺寸: 具体型号数据参考

    XUV Series独特的硅光电二极管系列,设计用于X射线区域的额外灵敏度,无需闪烁晶体或屏幕。它们在从0.07nm到200nm(6eV到17.6KeV)的宽光谱范围内敏感,每3.63eV的入射能量可产生一个电子-空穴对,对应极高的稳定量子效率。适用于电子检测、医疗仪器等应用。

  • QubeCL 激光器精确驱动和控制平台 半导体激光器驱动器
    意大利
    厂商:ppqSense S.r.l.
    最大电流范围: 0.5 A, 1 A, 1.5 A, 2 A, 2.5 A 均方根电流噪声: <1 µA RMS 电流噪声谱密度: <400 pA/√Hz 电流稳定性(1小时): 10 ppm FS 恒流输出电压: 18 V

    QubeCL是一个模块化平台,针对半导体激光器,特别是量子级联激光器(QCLs),提供了精确和简单的驱动和控制工具。该系统集成了多个高性能仪器于10x10 cm2的超紧凑占地面积内。具有极低的电流噪声和高精度的温度控制,适用于高精度的科学研究和工业应用。

  • QubeCL系统 高性能激光器驱动环境 半导体激光器驱动器
    意大利
    厂商:ppqSense S.r.l.
    工作温度: -20到+40°C 储存温度: -20到+70°C 主电源电压: 26V TEC电源电压: 26V 监控电源电压: 5.5V

    QubeCL系统是专为最先进的量子级联激光器(QCL)源设计的高性能激光器驱动环境,也可以驱动任何种类的半导体激光器。该系统的扩展模块允许您定制系统,获得一个10x10 cm2足迹的高性能仪器。该系统旨在最小化外部接线,并将易受干扰的连接封闭在其框架内,从而减少噪声耦合并最大化性能。适用于精密气体光谱学等应用。

  • AA0701 高带宽分布反馈激光器(DFB) 半导体激光器
    美国
    厂商:EM4 Technologies
    操作芯片温度: 15-35°C 中心波长: 1310nm模型: ±5nm, C波段模型: ±1nm 输出功率: 1310nm模型: 18mW, C波段模型: 10mW 线宽: 1MHz 相对强度噪声: -150dBc/Hz

    AA0701是一款由InGaAsP/InP多量子阱激光二极管组成的分布反馈激光器(DFB),内含热电制冷器、热敏电阻、背面监视探测器以及偏置T。EM4公司的AA0701高带宽DFB激光器适用于需要高带宽、模式稳定性、低相对强度噪声和稳定输出功率的模拟射频链接和高速脉冲应用。

  • AA1401系列高功率DFB激光器 半导体激光器
    美国
    厂商:EM4 Technologies
    操作芯片温度: 20-40°C 输出功率: 请参阅订购信息 中心频率: 请参阅订购信息 线宽: 1MHz 相对强度噪声: -150dBc/Hz

    EM4的AA1401系列高功率DFB激光器提供稳定的偏振维持性能,适用于需要低相对强度噪声(RIN)和稳定偏振维持属性的长途波分复用传输和射频链接等应用。高功率分布反馈激光器(DFB)是一种InGaAs/InP多量子阱(MQW)激光二极管。

  • AA1418系列高功率分布反馈激光器 半导体激光器
    美国
    厂商:EM4 Technologies
    操作芯片温度: 20-35°C 输出功率: 40mW 中心频率: 见订购信息 线宽: 2-5MHz 相对强度噪声: -140dBc/Hz

    EM4的AA1418系列高功率分布反馈激光器是一个连续波InGaAs/InP多量子阱(MQW)激光二极管。适用于长距离波分复用传输、射频链接等应用,具有低相对强度噪声和高效TEC。