• T56-850TB 高速光通信发射器 激光器模块和系统
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    工作波长: 800~1550nm 数据速率: up to 56Gbit/s NRZ 供电电压: 3.3V 最大功耗: 250mW 峰值发射波长: 840~860nm

    T56-850TB发射光子组件结合了一个850纳米垂直腔面发射激光器(VCSEL)和一个可选的驱动集成电路,集成在测试板上,并通过50/125 µm多模光纤进行耦合。T56-850nm专为高速数据通信应用而设计。该设备配置为差分驱动,提供了控制阻抗电路以实现最佳性能。适用于高数据速率通信应用。

  • V25-850M 高速发射模块 激光器模块和系统
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    VCSEL类型: Multi mode VCSEL类型: Single mode 发射波长: 835-865nm 数据速率: Up to 28Gbit/s 峰值输出功率: 4mW (Multi mode), 1mW (Single mode)

    V25-850M用于测试目的的高速发射模块,集成了850纳米VCSEL,通过OM3多模光纤进行光输出。该模块设计为高速测试应用的工程样品。可提供多模和单模VCSEL版本。适用于16/32G Fibre Channel系统测试、CEI-25系统测试和25G以太网通道测试。

  • V50-850M 高速发射模块 激光器模块和系统
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 835–865nm 最大数据速率: 50Gbit/s 带宽: 21GHz 上升/下降时间: 12/12ps 斜率效率: 0.3–0.45W/A

    V50-850M高速发射模块,集成850nm VCSEL光纤耦合至OM3多模光纤,用于高速度测试应用的工程样品。提供多模和单模VCSEL版本。适用于研究与开发及25G/50G以太网通道测试。

  • VM100-850M 超高速发射模块 激光器模块和系统
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    VCSEL类型: 多模 发射波长: 850nm (可用835–865nm) 数据速率: 最高100Gbit/s 峰值输出功率: 4mW VCSEL类型: 单模

    VM100-850M用于测试目的的超高速发射模块,集成了850nm VCSEL,光纤耦合到OM3多模光纤,用于光输出。该模块设计为高速测试应用的工程样品。通过高阶调制(4-PAM、DMT和多CAP)已证明比特率超过100G。提供多模和单模VCSEL版本。适用于研究与开发、100G测试(PAM-4、DMT)等应用。

  • V25-1550M 高速度发射模块 激光器模块和系统
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    VCSEL类型: 单模 发射波长: 1550-1570nm 数据速率: 最高25Gbit/s 峰值输出功率: 2.2mW 最大数据速率: 25-30Gbit/s

    V25-1550M高速度发射模块,集成了1550nm VCSEL,光纤耦合到9/125 µm单模光纤,适用于传输测试和研究开发。该模块设计为高速测试应用的工程样品。

  • A56-230C 高速 VCSEL 驱动器 半导体激光器驱动器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    数据速率: Up to 56 Gbit/s 供电电压: 3.3 V 功率耗散: 200 mW 差分输入电阻: 100 Ω 环境工作温度: -5 to +85°C

    A56-230C 是一款高速 VCSEL 驱动器集成电路,专为光纤传输系统中的直接调制 VCSEL 设计。支持高达 56 Gbit/s 的数据速率,适用于光纤传输系统。

  • A56-105C 高速 VCSEL 驱动 IC 跨阻放大器
    德国
    分类:跨阻放大器
    厂商:VI Systems GmbH
    数据速率: 56 Gbit/s 供电电压: 3.3 V 功率耗散: 105 mW 差分输入电阻: 100 Ω 环境工作温度: -5°C to +85°C

    A56-105C 是一款高速 VCSEL 驱动 IC,设计用于在光纤传输系统中直接调制 VCSEL。适用于光纤传输系统和研究开发。

  • Photovoltaic Series 平面漫射硅光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    峰值波长: 350nm-1100nm 响应度: 0.88A/W-1.6A/W 电容: 70pF-2000pF 暗电流: 2.0e-14W/√Hz-2.5e-13W/√Hz 上升时间: 4ns-6600ns

    Photovoltaic Series系列用于需要高灵敏度和中等响应速度的应用,尤其是对于蓝色增强系列在可见蓝光区域具有额外的灵敏度。光谱响应范围从350nm到1100nm,使常规光伏设备非常适合可见光和近红外应用。对于350nm到550nm区域的额外灵敏度,蓝色增强设备更为适用。

  • BPX65-100 光纤接收器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    窗口直径: 3.89mm 盖直径: 4.65mm 电源电压: 4.0V 静态电流: 3.5V 输出波形: 标称值

    BPX65-100接收器包含一个BPX-65超高速光电二极管,与一个NE5212(Signetics)转导放大器耦合。标准产品包括ST和SMA连接器版本。适用于100Mbs光通信。

  • 大有源区高速探测器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    响应度: 900nm, 0.54 A/W 暗电流: 3.00 nA 电容: 48 pF 上升时间: 5.0 ns 噪声等效功率: 1.2 e-14 W/√Hz

    Large Active Area Photodiodes大活动面积高速探测器和辐射探测器旨在实现尽可能低的结电容,以获得快速响应时间,并可完全耗尽用于高能辐射测量。具有大有效面积、高击穿电压和快速响应时间,适用于高能粒子检测。

  • 850nm大感光面积和高速硅PIN光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -55°C至+125°C 工作温度: -40°C至+75°C 焊接温度: +260°C 有效面积直径: 150µm, 250µm, 300µm, 400µm 响应度: 0.36A/W

    OSI Optoelectronics的这款大感光面积和高速硅PIN光电二极管系列,具有大感光面积,优化用于850nm短距离光数据通信应用。这些光电探测器表现出高响应度、宽带宽、低暗电流和低电容,适用于1.25Gbps以下的应用,如千兆以太网和光纤通道。

  • 高速硅光电二极管系列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光谱范围: 350nm-1100nm 峰值响应度: 0.50A/W@800nm 响应时间: 几百皮秒@-5V 反向偏压: 最大指定反向电压 输出信号测量: 示波器或高频放大器

    OSI Optoelectronics' High Speed Silicon 系列是小面积设备,优化用于快速响应时间或高带宽应用。BPX-65 补充了其他高速组,具有行业标准。这些设备的光谱范围从 350 nm 到 1100 nm,响应度和响应时间经过优化,HR 系列在 800 nm 时表现出 0.50 A/W 的峰值响应度,在 -5V 时典型响应时间为几百皮秒。具有低暗电流和低电容,适用于视频系统、计算机和工业控制等应用。

  • Photoconductive Series 平面漫射硅光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    活动区域: 0.20-13 mm² 峰值波长: 632-970 nm 上升时间: 10-250 ns 温度范围: -10-+100°C 反向电压: 0-30 V

    Planar Diffused Silicon Photodiodes适用于高速和高灵敏度应用的光电导探测器系列。光谱范围从350到1100纳米,使这些光电二极管理想用于可见光和近红外应用,包括检测脉冲激光源、LED或割接光等交流应用。

  • XUV Series 硅光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    反向电压: 5V 工作温度: -20到+60ºC 储存温度: -20到+80ºC 有效区域: 5到100mm2 活动区域尺寸: 具体型号数据参考

    XUV Series独特的硅光电二极管系列,设计用于X射线区域的额外灵敏度,无需闪烁晶体或屏幕。它们在从0.07nm到200nm(6eV到17.6KeV)的宽光谱范围内敏感,每3.63eV的入射能量可产生一个电子-空穴对,对应极高的稳定量子效率。适用于电子检测、医疗仪器等应用。

  • UV增强硅光电二极管系列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效区域: 不同型号不同值 响应度: 不同型号不同值 电容: 不同型号不同值 并联电阻: 不同型号不同值 噪声等效功率: 不同型号不同值

    OSI Optoelectronics提供两个独特的UV增强硅光电二极管系列:反型通道系列和平面扩散系列。这两个系列的设备特别设计用于UV区域的低噪声检测。适用于污染监测、医疗仪器等应用。

  • 紫外线增强硅光电二极管系列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    活动区域: 5.7 - 100 mm^2 峰值波长: 200 - 980 nm 电容: 65 - 2500 pF 并联电阻: 0.1 - 20 GOhm 噪声等效功率: 3.6E-14 - 8.2E-14 W/√Hz

    OSI Optoelectronics提供两个独特的紫外线增强硅光电二极管系列:反转通道系列和平面扩散系列。这两个系列的设备专门设计用于紫外区域的低噪声检测。适用于污染监测、医疗仪器等多种应用。

  • 980nm泵浦模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    封装类型: 冷却的14针或10针蝴蝶封装 波长: 980nm 最大操作电流: 请参考各型号的规格数据表 最大TEC电流: 请参考各型号的规格数据表 操作模式: CW (Continuous Wave)

    3SP Technologies提供的980nm泵浦模块,适用于光纤激光器泵浦源等多种应用,具有高性能和长期稳定操作的特点。980nm泵浦模块,采用冷却的14针或10针蝴蝶封装,带有背面监视光电二极管。

  • 1999CHB 750mW FBG稳定的980nm冷却泵浦激光模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 70mA 标称工作功率: 550-680mW 无折点功率: 1.1 x Pnom 正向电流: 1000-1150mA 正向电压: 1.9V

    3SP Technologies的1999CHB是一款750mW无折点、FBG稳定的980nm冷却泵浦激光模块,适用于高输出功率EDFAs和CATV。具有高稳定性和低功耗特点,可在宽温度范围运行。

  • 1999CHB 750mW泵浦激光模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 70mA 标称工作功率: 540-680mW 无折点功率: 1.1 x Pnom 正向电流: 1100-1150mA (Pnom=680mW) 正向电压: 1.9V @ 680mW

    1999CHB是一款新一代980纳米波长的陆地泵浦模块,具有低功耗、不会产生折点且具有PM光纤尾纤的特点。模块在宽温度范围内运行,采用内部芯片技术,确保了卓越的性能和可靠性。1999CHB 750mW泵浦激光模块专为高波长和功率稳定性的EDFA和CATV应用设计,具有低功耗和扩展的工作温度范围。

  • 1999CVB 1050mW 泵浦模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 100mA 标称工作功率: 700-950mW 无折点功率: 1.1 x Pnom mW 正向电流: -1520mA 正向电压@950mW: 2V

    1999CVB是一款新一代980nm陆地泵浦模块,采用公司内部芯片技术,充分经过验证,确保了卓越的性能和可靠性。该模块在低功耗的同时,提供高波长和功率稳定性。