• QL78M8S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 770 to 790 nm 输出功率: 90 mW 工作电压: 2 to 2.5 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL78M8S-A/B/C是波长为770至790 nm、输出功率为90 MW、工作电压为2至2.5 V、工作电流为120至160 mA的激光二极管。有关QL78M8S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL80S4HD-Y 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 803 to 813 nm 输出功率: 500 mW 工作电压: 2.2 to 3 V

    Quantum Semiconductor International的QL80S4HD-Y是一种激光二极管,波长为803至813 nm,输出功率为500 MW,工作电压为2.2至3 V,工作电流为550至700 mA.有关QL80S4HD-Y的更多详细信息,请联系我们。

  • QL80T4HD-Y 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 785 to 830 nm 输出功率: 1 W 工作电压: 2 to 2.5 V

    Quantum Semiconductor International的QL80T4HD-Y是一款激光二极管,波长为785至830 nm,输出功率为1 W,工作电压为2至2.5 V,工作电流为1.1至1.5 A.有关QL80T4HD-Y的更多详细信息,请联系我们。

  • QL82R63A/B 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 819 to 829 nm 输出功率: 200 mW 工作电压: 1.8 to 2.6 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL82R63A/B是波长为819至829nm的激光二极管,输出功率为200mW,工作电压为1.8至2.6V,工作电流为210至250mA.有关QL82R63A/B的更多详细信息,请联系我们。

  • QL82R6S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 819 to 829 nm 输出功率: 200 mW 工作电压: 1.8 to 2.6 V

    QL82R6S-A/B/C来自Quantum Semiconductor International,是一种激光二极管,波长为819至829 nm,输出功率为200 MW,工作电压为1.8至2.6 V,工作电流为210至240 mA.有关QL82R6S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL83F6S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 820 to 840 nm 输出功率: 10 mW 工作电压: 1.7 to 2.4 V

    QL83F6S-A/B/C来自Quantum Semiconductor International,是一种激光二极管,波长为820至840 nm,输出功率为10 MW,工作电压为1.7至2.4 V,工作电流为30至55 mA.有关QL83F6S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL83H6S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 820 to 840 nm 输出功率: 20 mW 工作电压: 1.9 to 2.5 V

    QL83H6S-A/B/C来自Quantum Semiconductor International,是一种激光二极管,波长为820至840 nm,输出功率为20 MW,工作电压为1.9至2.5 V,工作电流为45至70 mA.有关QL83H6S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL83O6S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 820 to 840 nm 输出功率: 100 mW 工作电压: 1.7 to 2.5 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL83O6S-A/B/C是波长为820至840 nm、输出功率为100 MW、工作电压为1.7至2.5 V、工作电流为120至170 mA的激光二极管。有关QL83O6S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL83R6S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 815 to 840 nm 输出功率: 200 mW 工作电压: 1.8 to 2.5 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL83R6S-A/B/C是波长为815至840 nm、输出功率为200 MW、工作电压为1.8至2.5 V、工作电流为180至240 mA的激光二极管。有关QL83R6S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL84S6SL 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 835 to 855 nm 输出功率: 450 mW 工作电压: 1.9 to 2.5 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL84S6SL是波长为835至855 nm、输出功率为450 MW、工作电压为1.9至2.5 V、工作电流为530至550 mA的激光二极管。有关QL84S6SL的更多详细信息,请联系我们。

  • QL85D6S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 845 to 855 nm 输出功率: 5 mW 工作电压: 1.8 to 2.5 V

    QL85D6S-A/B/C(Quantum Semiconductor International)是一款激光二极管,波长为845至855 nm,输出功率为5 MW,工作电压为1.8至2.5 V,工作电流为15至30 mA.有关QL85D6S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL85H6S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 845 to 865 nm 输出功率: 20 mW 工作电压: 2 to 2.5 V

    QL85H6S-A/B/C(Quantum Semiconductor International)是一款激光二极管,波长为845至865 nm,输出功率为20 MW,工作电压为2至2.5 V,工作电流为40至70 mA.有关QL85H6S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL85I6S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 845 to 860 nm 输出功率: 30 mW 工作电压: 2 to 2.5 V

    Quantum Semiconductor International的QL85I6S-A/B/C是一种激光二极管,波长为845至860 nm,输出功率为30 MW,工作电压为2至2.5 V,工作电流为50至90 mA.有关QL85I6S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL85J6S-A/B/C-L 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 845 to 865 nm 输出功率: 40 mW 工作电压: 2 to 2.5 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL85J6S-A/B/C-L是波长为845至865 nm、输出功率为40 MW、工作电压为2至2.5 V、工作电流为70至110 mA的激光二极管。有关QL85J6S-A/B/C-L的更多详细信息,请联系我们。

  • QL85R6S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 840 to 860 nm 输出功率: 200 mW 工作电压: 1.8 to 2.6 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL85R6S-A/B/C是波长为840至860 nm、输出功率为200 MW、工作电压为1.8至2.6 V、工作电流为180至240 mA的激光二极管。有关QL85R6S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL90F7S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 885 to 915 nm 输出功率: 10 mW 工作电压: 1.5 to 2.3 V

    QL90F7S-A/B/C(Quantum Semiconductor International)是一款激光二极管,波长为885至915 nm,输出功率为10 MW,工作电压为1.5至2.3 V,工作电流为35至60 mA.有关QL90F7S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL94J6SA/B/C 半导体激光器
    应用行业: Industrial 技术: Quantum Well 芯片技术: InGaAs 工作模式: CW Laser 波长: 930 to 950 nm

    来自QSI的QL94J6SA/B/C是MOCVD生长的具有量子阱结构的940nm波段InGaAs激光二极管。它为工业光学模块和传感器应用提供50 MW的光输出功率。激光二极管采用5.6 mm TO-18封装,内置光电二极管,用于监控激光二极管。

  • QL94R6S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 930 to 950 nm 输出功率: 200 mW 工作电压: 1.8 to 2.4 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL94R6S-A/B/C是波长为930至950 nm、输出功率为200 MW、工作电压为1.8至2.4 V、工作电流为270至320 mA的激光二极管。有关QL94R6S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • FP3007x 半导体激光器
    美国
    技术: Distributed Feedback (DFB) 工作模式: CW laser 波长: 760 to 800 nm 输出功率: 0.1 to 0.12 W 阈值电流: 33 to 40 mA

    Freedom Photonics的FP3007X是一款激光二极管,波长为760至800 nm,输出功率为100至120 MW,输出功率为0.1至0.12 W,阈值电流为33至40 mA,工作温度为-5至75摄氏度。有关FP3007X的更多详细信息,请联系我们。

  • FP3815 半导体激光器
    美国
    技术: Distributed Feedback (DFB) 工作模式: CW laser 波长: 1525 to 1575 nm 输出功率: 0.1 to 0.2 W 电源转换效率: Peak EO Efficiency: 15 to 20%

    Freedom Photonics的FP3815是一款分布式反馈(DFB)激光器,工作波长为1525至1575 nm.它可提供高达200 MW的输出功率(封装后,单模光纤的输出功率大于100 MW)。该器件具有高达500 kHz的频谱宽度(FWHM)和20%的峰值EO效率。该激光器可以在底座上提供,也可以在具有单模光纤输出的蝶形封装中提供。它是光纤通信、射频光子链路、光纤测试、医疗和传感应用的理想选择。