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QL78M8S-A/B/C 半导体激光器
精品

QL78M8S-A/B/C

分类: 半导体激光器

厂家: QSI(Quantum Semiconductor International)

产地: 韩国

型号: QL78M8S-A/B/C

更新时间: 2024-08-27 04:57:16

激光二极管 传感器 AlGaAs 工业光学模块 780nm

MOCVD grown 780 nm band AlGaAs laser diode with quantum well structure

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概述

来自Quantum Semiconductor International的QL78M8S-A/B/C是波长为770至790 nm、输出功率为90 MW、工作电压为2至2.5 V、工作电流为120至160 mA的激光二极管。有关QL78M8S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

参数

  • 技术 / Technology : Quantum Well
  • 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
  • 波长 / Wavelength : 770 to 790 nm
  • 输出功率 / Output Power : 90 mW
  • 工作电压 / Operating Voltage : 2 to 2.5 V
  • 工作电流 / Operating Current : 120 to 160 mA
  • 阈值电流 / Threshold Current : 30 to 50 mA
  • 激光增益介质 / Laser Gain Medium : AlGaAs Lasers
  • 激光颜色 / Laser Color : Infrared
  • 类型 / Type : Free Space Laser Diode

应用

1. 传感器 2. 工业光学模块

特征

1. 可见光输出:λp = 780nm 2. 光输出功率:90mW CW 3. 封装类型:TO-18 (5.6mmφ) 4. 内置光电二极管监测激光二极管

详述

QL78M8S-A/B/C 是由Quantum Semiconductor International Co., Ltd.生产的一款MOCVD生长的780nm带AlGaAs激光二极管,具有量子阱结构。该产品特别适用于工业光学模块和传感器应用,拥有典型的90mW光输出功率。其主要特点包括可见光输出、内置光电二极管监测、TO-18封装类型等。产品具有较宽的工作温度范围(−10~+80°C)和存储温度范围(−40~+85°C),适应多种工业环境。

规格书

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厂家介绍

凭借在开发新型光子器件方面的卓越能力,QSI公司致力于成为世界一流的激光二极管专业公司。

其它

智推产品: 780nm激光二极管 工业光学模块用激光器 高功率激光二极管

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图片 名称 分类 制造商 参数 描述
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    输出功率: 100mW

    Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果,激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率,并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

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  • 1053nm Single-Frequency Fiber Coupled 14-Pin BF 半导体激光器 1053纳米单频光纤耦合14引脚BF 半导体激光器 Innovative Photonic Solutions

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    创新的光子解决方案单模波长稳定激光器具有高输出功率、超窄光谱带宽和衍射受限的输出光束。单模光谱稳定激光器专为取代昂贵的DFB、DBR、光纤和外腔激光器而设计,在时间、温度(0.007 nm/0C)和振动方面具有出色的波长稳定性,并且可满足较苛刻的波长要求。单模光谱稳定激光器的波长范围为633 nm–2400 nm(上述标准波长),采用14引脚蝶形封装、集成OEM模块或带有用户可配置温度和功率控制电子设备的完全集成模块。激光波长可以精确指定并重复制造到0.1nm以内。该激光器是高分辨率拉曼光谱、共焦显微镜、直接二极管倍频、激光播种、气体传感、计量和遥感应用的理想选择。

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