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QL80S4HD-Y 半导体激光器
精品

QL80S4HD-Y

分类: 半导体激光器

厂家: QSI(Quantum Semiconductor International)

产地: 韩国

型号: QL80S4HD-Y

更新时间: 2024-07-13 12:52:18

激光二极管 固态激光泵浦 测量 材料加工 808nm 医疗用途

MOCVD grown 808 nm band AlGaAs laser diode with quantum well structure

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概述

Quantum Semiconductor International的QL80S4HD-Y是一种激光二极管,波长为803至813 nm,输出功率为500 MW,工作电压为2.2至3 V,工作电流为550至700 mA.有关QL80S4HD-Y的更多详细信息,请联系我们。

参数

  • 技术 / Technology : Quantum Well
  • 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
  • 波长 / Wavelength : 803 to 813 nm
  • 输出功率 / Output Power : 500 mW
  • 工作电压 / Operating Voltage : 2.2 to 3 V
  • 工作电流 / Operating Current : 550 to 700 mA
  • 阈值电流 / Threshold Current : 100 to 200 mA
  • 激光颜色 / Laser Color : Infrared
  • 类型 / Type : Free Space Laser Diode

应用

1. 固态激光激发 2. 医疗用途 3. 材料加工 4. 测量

特征

1. 光输出功率:500mW CW 2. 封装类型:TO-5 (φ 9mm) 3. 偏振:TM模式(电场垂直于结平面)

详述

QL80S4HD-Y是一种高效能的808nm波段激光二极管,采用量子阱结构,适用于各种光电子设备。其典型光输出功率为500mW,能够满足固态激光泵浦、医疗用途、材料加工和测量等多种应用需求。该产品具有较高的光输出功率和稳定的工作性能,封装类型为TO-5 (φ 9mm),并采用TM模式偏振。其工作温度范围为-10°C至+40°C,存储温度范围为-40°C至+85°C,能够在多种环境条件下稳定运行。QL80S4HD-Y激光二极管的多种型号如QL80S4H-A、QL80S4H-B、QL80S4H-C、QL80S4H-D和QL80S4H-E也提供了不同的电气连接配置,满足不同用户的需求。

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厂家介绍

凭借在开发新型光子器件方面的卓越能力,QSI公司致力于成为世界一流的激光二极管专业公司。

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图片 名称 分类 制造商 参数 描述
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    输出功率: 100mW

    Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果,激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率,并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。

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  • 1053nm Single-Frequency Fiber Coupled 14-Pin BF 半导体激光器 1053纳米单频光纤耦合14引脚BF 半导体激光器 Innovative Photonic Solutions

    波长: 1053nm 输出功率: 300mW

    创新的光子解决方案单模波长稳定激光器具有高输出功率、超窄光谱带宽和衍射受限的输出光束。单模光谱稳定激光器专为取代昂贵的DFB、DBR、光纤和外腔激光器而设计,在时间、温度(0.007 nm/0C)和振动方面具有出色的波长稳定性,并且可满足较苛刻的波长要求。单模光谱稳定激光器的波长范围为633 nm–2400 nm(上述标准波长),采用14引脚蝶形封装、集成OEM模块或带有用户可配置温度和功率控制电子设备的完全集成模块。激光波长可以精确指定并重复制造到0.1nm以内。该激光器是高分辨率拉曼光谱、共焦显微镜、直接二极管倍频、激光播种、气体传感、计量和遥感应用的理想选择。

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