Excelitas的C30954EH、C30955EH和C30956EH是采用双扩散“穿透”结构制成的通用硅雪崩光电二极管。这些光电二极管的设计使它们的长波响应（即>900nm）得到增强，同时保持低噪声、低电容以及快速上升和下降时间特性。

C30927EH系列是用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管，采用双扩散“穿透”结构，优化用于波长为1060nm、900nm和800nm。这种设计没有元素间的死区，因此在视线中心没有响应损失。

Dataray Inc.的近红外（NIR）图像转换器该转换器提供以下功能：-将我们的标准硅相机的范围扩展到近红外1480至1605 nm

SiX-D-L是一个扩展响应硅二极管探测器，无窗口，可直接安装在真空系统上，通过2.75英寸的conflat法兰与适配器连接。该二极管从近红外到极紫外的范围内都有响应。适用于近红外至极紫外范围检测，具有50-350mA/W的辐射灵敏度。

CamIR Adapter是一种成本效益高的电信C波段NIR图像转换器，可将标准硅相机的范围扩展到1480至1605纳米的近红外区域。 适用于光束强度分析、成像光学输出和在线生产对准。

YAG系列硅光电探测器针对1064nm Nd:YAG激光波长进行了优化，具有低电容和快速响应时间。由于低噪声和高响应度，非常适合测量低光强度，如被Nd:YAG激光束照射物体反射的光，用于测距应用。

APD Series 8-150硅雪崩光电二极管，波长800纳米。具有高增益、宽带宽和低暗电流，适用于光纤通信、激光雷达和光电探测。

Back-llluminated Series系列芯片尺寸封装的背照式硅光电二极管。适用于X射线检查、计算机断层扫描和一般工业用途。

SPOT-4D-0是一款环形象限硅光电二极管，适用于350nm到1100nm的光谱范围。该产品采用环形封装设计，适合与LC插针耦合，具有ϕ200μm激光切割孔，以及反射率测量的后向散射检测。

SPOT-9D-0 Annular Quadrant Silicon Photodiode是一款高性能的硅光电二极管，适用于350nm到1100nm波长范围内的光检测。其独特的环形封装设计特别适用于反射率测量和LC插芯耦合。

Photovoltaic Series系列用于需要高灵敏度和中等响应速度的应用，尤其是对于蓝色增强系列在可见蓝光区域具有额外的灵敏度。光谱响应范围从350nm到1100nm，使常规光伏设备非常适合可见光和近红外应用。对于350nm到550nm区域的额外灵敏度，蓝色增强设备更为适用。

OSI Optoelectronics的这款大感光面积和高速硅PIN光电二极管系列，具有大感光面积，优化用于850nm短距离光数据通信应用。这些光电探测器表现出高响应度、宽带宽、低暗电流和低电容，适用于1.25Gbps以下的应用，如千兆以太网和光纤通道。

OSI Optoelectronics' High Speed Silicon 系列是小面积设备，优化用于快速响应时间或高带宽应用。BPX-65 补充了其他高速组，具有行业标准。这些设备的光谱范围从 350 nm 到 1100 nm，响应度和响应时间经过优化，HR 系列在 800 nm 时表现出 0.50 A/W 的峰值响应度，在 -5V 时典型响应时间为几百皮秒。具有低暗电流和低电容，适用于视频系统、计算机和工业控制等应用。

Multi-Channel X-Ray Detector Series系列由16个元素阵列组成：单个元素被组合在一起并安装在PCB上。对于x射线或伽马射线的应用，这些多通道探测器提供了闪烁体安装选项： BGO、CdWO4或碘化铯（TI）。BGO（德国铋）作为一种理想的能量吸收器：它在高能检测应用中被广泛接受。cdwo4（钨酸镉）表现出足够高的光输出，有助于提高光谱分析结果。碘化铯（碘化铯）是另一种高能量吸收器，提供足够的抵抗机械冲击和热应力。当与闪烁体耦合时，这些硅阵列通过散射效应将任何中等或高辐射能量映射到可见光谱上。此外，他们的特别设计的PCB允许端到端连接。可以在需要更大规模的组装的情况下部署多个阵列。

Planar Diffused Silicon Photodiodes适用于高速和高灵敏度应用的光电导探测器系列。光谱范围从350到1100纳米，使这些光电二极管理想用于可见光和近红外应用，包括检测脉冲激光源、LED或割接光等交流应用。

FCI-H125G-010是一款针对短波长（850nm）高速光纤数据通信设计的低噪声、高带宽光电探测器加跨阻放大器。该混合器集成了一个直径为250µm的大感应区域、高灵敏度硅光电探测器，并包括一个高增益跨阻放大器，用于产生差分输出电压，以便在电光接收器和收发器中锁定后级放大器，适用于多模光纤上的1.25Gbps的Gigabit Ethernet和Fibre Channel应用。

XUV Series独特的硅光电二极管系列，设计用于X射线区域的额外灵敏度，无需闪烁晶体或屏幕。它们在从0.07nm到200nm（6eV到17.6KeV）的宽光谱范围内敏感，每3.63eV的入射能量可产生一个电子-空穴对，对应极高的稳定量子效率。适用于电子检测、医疗仪器等应用。

PIN-4X4D和UDT-4X4D是由OSI Optoelectronics生产的4x4硅光电探测器阵列，具有超蓝增强的光电探测功能。其专有设计实现了16个元素之间几乎完全的隔离。标准的LCC封装便于集成到表面安装应用中。用于散射测量和位置感应，具有快速响应和极低串扰的特点。

OSI Optoelectronics提供两个独特的UV增强硅光电二极管系列：反型通道系列和平面扩散系列。这两个系列的设备特别设计用于UV区域的低噪声检测。适用于污染监测、医疗仪器等应用。

OSI Optoelectronics提供两个独特的紫外线增强硅光电二极管系列：反转通道系列和平面扩散系列。这两个系列的设备专门设计用于紫外区域的低噪声检测。适用于污染监测、医疗仪器等多种应用。