• FCI-H622M-InGaAs-75 高性能InGaAs光电探测器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40~+125°C 工作温度: -40~+85°C 供电电压: +3~+3.6V 输入光功率: ---~+3dBm 供电电流: ---~22~27mA

    FCI-H622M-InGaAs-75系列是集成了宽动态范围跨阻放大器的高速75μm InGaAs光电探测器,具备宽动态范围和低噪声放大。这些设备将探测器与跨阻放大器集成在一个密封的4针TO-46封装中,为高速信号检测和放大提供了理想条件。

  • FCI-InGaAs-XXX系列高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -55°C - +125°C 工作温度: -40°C - +75°C 焊接温度: 最高 +260°C 活动区域直径: 75µm - 500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80A/W - 0.90A/W

    FCI-InGaAs-XXX系列高速InGaAs光电二极管,具有75µm、120µm、300µm、400µm和500µm的活动区尺寸,展现了适用于数据通信和电信应用的特性。低电容、低暗电流和从1100nm到1620nm的高响应度,使这些器件成为局域网、城域网、广域网和其他高速通信系统中使用的高比特率接收器的理想选择。光电二极管采用3引脚隔离的TO-46罐封装,或配有AR涂层平窗或微透镜以增强耦合效率,适用于高速光通信,具有高响应度和宽光谱范围,是理想的高速通信系统接收器。FCI-InGaAs-XXX系列还提供FC、SC、ST和SMA接头。

  • FCI-InGaAs-XXX-X系列InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -55°C - +125°C 工作温度: -40°C - +75°C 焊接温度: --- - +260°C 有效面积直径: 1.0mm - 3.0mm 响应度(λ=1310nm): 0.80A/W - 0.90A/W

    FCI-InGaAs-XXX-X系列为OSI Optoelectronics大活动区域的IR敏感探测器的一部分,具有出色的响应性,从1100nm到1620nm,允许对弱信号的高灵敏度。这些大活动区域的设备非常适合用于红外仪器和监测应用,如光学仪器、功率测量、红外感测和医疗设备。

  • FCI-InGaAs-XXM系列光电探测器阵列 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效面积直径: 75µm, Pitch:250µm 响应度: Typ. 0.95A/W @1550nm 电容: Typ. 0.65pF 暗电流: Typ. 0.03nA 最大反向电压: 20V

    FCI-InGaAs-XXM系列包含4, 8, 12和16通道的高速红外敏感光电探测器阵列。每个元件覆有抗反射涂层,能够在1100nm到1620nm的波长范围内实现高响应度,支持2.5Gbps的数据传输速率。这些探测器标配环绕式陶瓷基座,适用于基于标准250mm间距光纤带的多通道光纤应用。此外,500mm的板级接触点使其能够轻松连接到电路中。

  • FCI-InGaAs-XXX-WCER 高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40 to +85 °C 工作温度: 0 to +70 °C 焊接温度: --- to +260 °C 活动区域直径: 75µm to 500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80 to 0.90 A/W

    FCI-InGaAs-XXX-WCER高速InGaAs光电二极管,安装在环绕式陶瓷基板上。这些紧凑的组件设计用于便于集成。芯片可以用环氧树脂或共晶安装在陶瓷基板上。适用于高速光通信和激光二极管监控,具有900nm到1700nm的宽光谱响应范围。

  • FCI-InGaAs-XXX-ACER 高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40 to +85°C 工作温度: 0 to +70°C 焊接温度: up to +260°C 活动区域直径: 75µm to 500µm 响应度(1310nm): 0.80 to 0.90 A/W

    FCI-InGaAs-XXX-ACER高速InGaAs光电二极管安装在楔形陶瓷封装上,适用于高速光通信等应用,为高速光通信、千兆以太网等应用提供高响应度和低噪声解决方案。

  • FCI-InGaAs-XXX-LCER 高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40°C - +85°C 工作温度: 0°C - +70°C 焊接温度: --- - +260°C 活动区域直径: 75µm - 500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80A/W - 0.90A/W

    FCI-InGaAs-XXX-LCER是OSI Optoelectronics提供的高速InGaAs光电二极管,适用于高速光通信和激光二极管监测。FCI-InGaAs-XXX-LCER高速InGaAs光电二极管,安装在带引线的陶瓷封装上。

  • FCI-InGaAs-XXX-CCER 高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -40-+85°C 工作温度: 0-+70°C 焊接温度: ----+260°C 活动区域直径: 75-500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80-0.90A/W

    FCI-InGaAs-XXX-CCER高速InGaAs光电二极管安装在带玻璃窗的空腔陶瓷封装上。这些设备具有玻璃窗,可以直接将光纤环氧树脂安装上去。芯片可以环氧树脂或者熔融焊接安装在陶瓷基板上。这些设备可以提供定制的抗反射涂层窗口。FCI-InGaAs-XXX-CCER高速InGaAs光电二极管适用于高速光通信和激光二极管监控,具有高响应度和900nm至1700nm的宽光谱范围。

  • FCI-InGaAs-XX-XX-XX 高速InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -20°C to +90°C 工作温度: 0°C to +75°C 活动区域直径: 75µm to 120µm 响应度(λ=1310nm): 0.75A/W to 0.90A/W 响应度(λ=1550nm): 0.80A/W to 0.95A/W

    FCI-InGaAs系列高速InGaAs光电二极管带有尾纤封装,具有75微米和120微米的活动区域,适用于高速红外灵敏探测器。产品可以与单模/多模光纤光学对准,并配备TO-46透镜盖封装或直接安装在陶瓷基板上的InGaAs二极管。

  • AA0701 高带宽分布反馈激光器(DFB) 半导体激光器
    美国
    厂商:EM4 Technologies
    操作芯片温度: 15-35°C 中心波长: 1310nm模型: ±5nm, C波段模型: ±1nm 输出功率: 1310nm模型: 18mW, C波段模型: 10mW 线宽: 1MHz 相对强度噪声: -150dBc/Hz

    AA0701是一款由InGaAsP/InP多量子阱激光二极管组成的分布反馈激光器(DFB),内含热电制冷器、热敏电阻、背面监视探测器以及偏置T。EM4公司的AA0701高带宽DFB激光器适用于需要高带宽、模式稳定性、低相对强度噪声和稳定输出功率的模拟射频链接和高速脉冲应用。

  • AA1401系列高功率DFB激光器 半导体激光器
    美国
    厂商:EM4 Technologies
    操作芯片温度: 20-40°C 输出功率: 请参阅订购信息 中心频率: 请参阅订购信息 线宽: 1MHz 相对强度噪声: -150dBc/Hz

    EM4的AA1401系列高功率DFB激光器提供稳定的偏振维持性能,适用于需要低相对强度噪声(RIN)和稳定偏振维持属性的长途波分复用传输和射频链接等应用。高功率分布反馈激光器(DFB)是一种InGaAs/InP多量子阱(MQW)激光二极管。

  • AA1418系列高功率分布反馈激光器 半导体激光器
    美国
    厂商:EM4 Technologies
    操作芯片温度: 20-35°C 输出功率: 40mW 中心频率: 见订购信息 线宽: 2-5MHz 相对强度噪声: -140dBc/Hz

    EM4的AA1418系列高功率分布反馈激光器是一个连续波InGaAs/InP多量子阱(MQW)激光二极管。适用于长距离波分复用传输、射频链接等应用,具有低相对强度噪声和高效TEC。

  • EM169 高速检测器模块  光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    厂商:EM4 Technologies
    波长范围: 1280-1620nm 光输入功率: 6mW 响应度: 0.80-0.95A/W 暗电流: 100nA 3dB带宽: 20GHz

    EM169高速检测器模块设计用于数字和模拟应用,具有50欧姆阻抗匹配的射频连接。该模块包含一个InGaAs PIN光电二极管及必要的匹配电子元件,封装为密封式,带有与SMA兼容的射频连接器,从直流到20 GHz具有无波纹和线性响应。

  • DFB-CWDM-TO 分布反馈(DFB)激光器模块 半导体激光器
    美国
    厂商:Optilab
    阈值电流: 8 mA typ., 15 mA max. 工作电流: 70 mA max. 模拟带宽: 2.5 GHz typ. @ 30 mA 监视光电二极管电流: 50 uA min., 2 mA max. 监视光电二极管暗电流: 10 nA max.

    DFB-CWDM-TO是一款适用于CWDM模拟通信、CATV回程路径、实验室仪器和研发应用的CWDM TO Can DFB-LD模块。这款高稳定性的DFB激光器芯片成本效益高,可选择的波长范围为1290nm至1650nm,内置InGaAsP监视光电二极管、内置光隔离器、4针TO Can和平窗发射类型。

  • DFB-CX 同轴分布反馈(DFB)激光器 半导体激光器
    美国
    厂商:Optilab
    阈值电流: 8mA典型值 工作电流: 100mA最大值 模拟带宽: 2.5GHz典型值 30mA 监视光电二极管电流: 50uA最小值, 2mA最大值 监视光电二极管暗电流: 10nA最大值

    DFB-CX是一款用于CWDM模拟通信、CATV返程路径、实验室仪器和研发应用的CWDM同轴DFB激光器。这款经济高效、高可靠性的DFB激光芯片具有1270nm至1610nm的可选择波长范围。DFB-CX还具有内置InGaAsP监视光电二极管、内置光隔离器和4针同轴封装,单模耦合,以及FC/APC连接器。