• LD-905-70-PM-CM 905nm激光模块 半导体激光器
    美国
    厂商:Optilab
    激光器类型: Fabry-Perot 输出功率: 70 mW typ. 中心波长: 905±10 nm 光谱半高宽(FWHM): 2 nm typ. 阈值电流: 30 mA typ.; 70 mA max.

    Optilab LD-905-70-PM-CM是一款905 nm的激光模块,具有高效率和高稳定性,配备TEC冷却器和内部光电二极管,适用于医疗激光治疗和生物技术等应用。

  • LD-940-80-PM-CM 940nm光纤耦合二极管激光器 半导体激光器
    美国
    厂商:Optilab
    激光器类型: Fabry-Perot 输出功率: 80 mW typ. 中心波长: 940±15 nm 光谱半高宽(FWHM): 2 nm typ. 阈值电流: 25 mA typ.; 50 mA max.

    Optilab LD-940-80-PM-CM是一款940 nm的光纤耦合二极管激光器模块,具有80 mW输出功率,8针封装,具备高效率和高稳定性特点,配备TEC冷却和内部光电二极管,广泛应用于医疗激光治疗和生物技术。

  • LD-638-30-PM 638nm激光二极管模块 半导体激光器
    美国
    厂商:Optilab
    输出功率: 30 mW typ. 中心波长: 638±10 nm 光谱半高宽(FWHM): 2 nm typ. 阈值电流: 55 mA typ.; 90 mA max. 工作电流: 200 mA typ.; 220 mA max.

    LD-638-30-PM是一款638 nm的激光二极管模块,具有30 mW的输出功率,配备TEC冷却器和内置光电二极管,适用于医疗激光治疗和生物技术。

  • LD-650-30-CX 650nm激光二极管 半导体激光器
    美国
    厂商:Optilab
    中心波长: 650±15 nm 光输出功率: 30 mW typ.; 20 mW min. 光谱宽度: 3 nm typ. 阈值电流: 30 mA typ.; 50 mA max. 工作电流: 90 mA typ.; 110 mA max.

    Optilab LD-650-30-CX是一款650 nm激光二极管,采用多量子阱Fabray Perrot半导体激光结构,封装在TO56同轴外壳中,带有光纤尾纤。它具有内置功率监控光电二极管,提供卓越的稳定性和可靠性,广泛应用于光学传感、激光定位等领域。

  • LD-635-20-CX 635nm激光二极管 半导体激光器
    美国
    厂商:Optilab
    激光器类型: MQW Fabry-Perot LD 连续波输出功率: 20 mW min. 中心波长: 635±5 nm 光谱半高宽(FWHM): 3.0 nm typ. 波长随温度变化: 0.2 nm/oC typ.

    Optilab LD-635-20-CX是一款635 nm激光二极管,采用紧凑的同轴外壳设计,配备单模光纤尾纤,具有内置监测光电二极管,输出功率为20 mW,提供卓越的稳定性和可靠性,广泛应用于指示灯、医疗、打印和研究等领域。

  • LD-785-10-CX 785nm激光二极管 半导体激光器
    美国
    厂商:Optilab
    激光器类型: MQW Fabry-Perot LD 连续波输出功率: 10 mW typ. 中心波长: 785±5 nm 光谱宽度: 3.0 nm typ. 波长随温度变化: 0.3 nm/oC typ.

    Optilab LD-785-10-CX是一款785 nm激光二极管,采用紧凑的同轴封装,配有单模光纤尾纤。它具有内置监测光电二极管,输出功率为10 mW,提供卓越的稳定性和可靠性,适用于光学传感、激光测距仪、测试和测量设备及医疗治疗。

  • LD-808-30-PM-HHL 高效率的808nm光纤耦合激光器 半导体激光器
    美国
    厂商:Optilab
    激光器类型: Fabry-Perot 输出功率: 30 mW typ. 中心波长: 808±10 nm 光谱半高宽(FWHM): 2 nm typ. 阈值电流: 30 mA typ.; 60 mA max.

    LD-808-30-PM-HHL是一款808 nm光纤耦合二极管激光器模块,具有高热负载(HHL)封装,具备高效率和高稳定性,内置TEC制冷器和光电二极管,广泛应用于医疗激光治疗、生物技术及量子光子学。

  • PM-850-10 相位调制器 电光调制器(EOM)
    美国
    厂商:Optilab
    输入光功率: 20 mW max. 工作波长: 850 ± 20 nm 插入损耗: 3.0 dB typ., 4 dB max. 偏振消光比: ≥ 20 dB 光反射损耗: ≤ -40 dB

    Optilab PM-850-10 是一款基于 LiNbO 的 10 GHz 相位调制器,专为 850 nm 波长设计,具有低插入损耗和高光功率处理能力,适合各种光电应用,广泛应用于相干通信和光学传感。

  • PM-1310-5 高性能5GHz相位调制器 电光调制器(EOM)
    美国
    厂商:Optilab
    输入光功率: 50 mWmax 工作波长: 1270 nm to 1370 nm 插入损耗: 4.0 dB typical 芯片极化消光比: > 60 dB 光纤极化消光比: ≥20 dB

    Optilab PM-1310-5是一款高性能的5 GHz锂铌氧化物相位调制器,具备宽广的工作带宽和低驱动电压,适合各种光电应用,适用于研发、频率偏移和激光线宽展宽等应用。

  • Optilab DFB-1510-DL单模双线DFB激光器 发光二极管
    美国
    分类:发光二极管
    厂商:Optilab
    输出功率: 5mW min. 旁模抑制比: 40dB

    Optilab DFB-1510-DL单模双线DFB激光器是一个性价比高的1505nm – 1512nm波长激光源,具有5mW的最小输出光功率,高侧模抑制比(SMSR),低残余啁啾以及内置的热电冷却器、热敏电阻和后面监测光电二极管用于外部光功率控制。适用于多种应用场景。

  • PD-40-MM 光纤接收模块
    美国
    厂商:Optilab
    带宽: 60 KHz-40 GHz 输入功率: 10 mW 工作温度: -10 ºC到+50 ºC 电流处理能力: 35 mA 频率响应平坦度: ±1 dB

    Optilab PD-40-MM是一款高线性、40 GHz带宽的InGaAs PIN光电探测器,非常适合用于需要宽带频率响应的O/E前端。适用于数字和模拟应用,特别是在光通信系统中。

  • 2 µm偏振保持抽头耦合器 光纤耦合器
    中心波长: 2000 nm 操作波长范围: λc ± 40 nm 配置: 1 × 2, 2 × 2 最大额外损耗: 1.2 dB, 1.5 dB 最大均匀性(仅限50%): 0.6 dB, 0.8 dB

    2 µm偏振保持分接耦合器采用先进技术制造,能够以高消光比将输入信号以不同的比例分割。它能够高效地将输入信号分割为多个输出信号,具有优良的消光比和温度稳定性。该产品支持多种配置和分接比,适用于各种应用场景,包括测试与测量设备。其紧凑的设计和高可靠性使其成为现代光电系统中不可或缺的组件。

  • 488 - 2100 nm保偏熔融耦合器(PMC系列) 光纤耦合器
    中心波长: 488, 532, 635, 780, 830, 980, 1064, 1310, 1480, 1550, 1700, 2000 工作波长: λc ± 5, λc ± 10, λc ± 10, λc ± 20, λc ± 20 典型额外损耗: 0.8, 0.5, 0.4, 0.2, 0.5 最大额外损耗: 1.2, 0.8, 0.6, 0.4, 0.8 最小消光比: 18, 18, 20, 20, 20

    该产品是一种极化保持的融合耦合器,适用于488 - 2100 nm波长范围,具有高稳定性和可靠性,适合多种光电应用。

  • 延长电缆 控制器和扰频器
    美国
    颜色: N/A 电流: 24V 所有其他控制: N/A

    扩展电缆用于连接和控制光电设备,确保设备在工业环境中的稳定运行。

  • ODP-5 O双脉冲OEM 电光调制器(EOM)
    美国
    厂商:Gandh
    电阻: Ω 电压: mV 温度: °C

    该光电产品具备多项先进特性,适用于多个应用领域,提供可靠的性能和高效的解决方案。

  • CCD3600A 图像传感器
    德国
    分类:图像传感器
    厂商:ANDANTA GmbH
    图像区域宽度: 30.96mm 像元尺寸: 15μm x 15μm 填充因子: 近100% 读出噪声: 小于3电子 输出电压: 15V-30V

    CCD3600A是一款2064x2064像素的图像传感器,适用于高分辨率科学、空间、工业和商业光电系统。

  • 0.9µm - 2.2 µm InGaAs PIN光电二极管 激光二极管
    德国
    分类:激光二极管
    厂商:ANDANTA GmbH
    反向电压: -- 反向电流: -- 正向电流: 1.5 工作温度: -40+85 储存温度: -40+85

    InGaAs PIN Photodiode,适用于0.9 µm到2.2 µm的光谱范围,提供高灵敏度和低漏电流。适合各种光电应用。

  • 1.7μm InGaAs PIN光电二极管芯片 激光二极管
    德国
    分类:激光二极管
    厂商:ANDANTA GmbH
    光谱范围: 0.9-1.7/0.6-1.7 孔径: Ø950/Ø1850/Ø3000 芯片尺寸-长度: 1070±15/2055±15/3285±15 芯片尺寸-宽度: 1070±15/2055±15/3285±15 厚度: 300±20

    该InGaAs PIN光电二极管芯片具有1.7 µm波长截止特性,适用于多种应用场景,具备高可靠性和优异的性能。

  • InGaAs PIN光电二极管PIN 1000 -17-T1 激光二极管
    德国
    分类:激光二极管
    厂商:ANDANTA GmbH
    光谱范围: 0.9-1.7µm 孔径: Ø950µm 封装类型: TO-46 / 5P 暗电流: 0.5nA-1nA 并联电阻: 0.5GΩ-2GΩ

    标准1.7 µm截止的InGaAs PIN光电二极管,具有嵌入式单级热电冷却器。

  • InGaAs Quadrant PIN光电二极管芯片 激光二极管
    德国
    分类:激光二极管
    厂商:ANDANTA GmbH
    光谱范围: 0.9-1.7µm 孔径尺寸/有效区域: Ø1860/0.625x4mm2 间隙: 75µm 芯片尺寸: 长度2055±15µm,宽度2055±15µm,厚度300±20µm 暗电流@-5V: 0.5nA-5nA

    InGaAs四象限PIN光电二极管芯片,具有高可靠性和低漏电流,适用于多种光电应用。