• P13894-011CN 光电二极管
    日本
    分类:光电二极管
    工作模式: Photovoltaic 波长范围: 9.7 to 11 µm 光电二极管材料: InAsSbP RoHS: Yes 电容: 0.6 pF

    Hamamatsu Photonics的P13894-011CN是一款光谱范围高达11μm的InAsSb红外光电二极管。光敏二极管的光敏面积为1×1mm,灵敏度为2mA/W,探测率为7.0×107cm·Hz1/2/W,最大上升时间为10ns,最大噪声等效功率为2.5×10-9W/Hz1/2。其分流电阻为2K&Ω,终端电容为0.6pF.该光电二极管采用紧凑型表面贴装陶瓷封装,非常适合辐射温度计和气体检测(CH4、CO2、Co、NH3、O3等)应用。

  • IA35 Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    波长范围: 900 to 3500 nm 光电二极管材料: InAs 电容: 1000 pF 暗电流: 0.15 to 1 nA 响应度/光敏度: 1.05 A/W

    Laser Components的IA35系列是与InAs衬底匹配的异质结构光电二极管,标称截止波长为3.5µm.IA35探测器为光伏探测器,有效区域直径为500µm.这些光电二极管的峰值响应度为1.05 A/W,是气体分析、二极管激光监控和非接触式温度测量应用的理想选择。

  • IG17-Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 1650 nm 光电二极管材料: InGaAs

    Laser Components的IG17系列是一款全色PIN光电二极管,标称截止波长为1.7µm.该系列专为要求苛刻的光谱和辐射测量应用而设计。它提供出色的分流电阻,并在宽范围内具有1.05 A/W的卓越响应度。光电二极管采用TO-CAN封装,非常适合二极管激光监控、火焰控制和分光光度计应用。

  • L2200D1810-JH 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: No 光电探测器类型: PN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 2.95 µm 光电二极管材料: Pyroelectric, LiTaO3

    Laser Components的L2200D1810-JH是一款掺杂钽酸锂的双通道热释电探测器,覆盖从UV到LWIR的宽光谱范围。它集成了运算放大器和有机黑色吸收器,孔径尺寸为2.7 X 1.8 mm.该负极化检测器具有响应度为60000-120000 V/W的100 Gohm反馈电阻器。它具有每当吸收任何辐射时就产生信号的热检测器。该探测器由使用光盲元件集成的TFC(温度通量补偿)组成。L2200D1810-JH需要2.7-10 V直流电源,采用8 X 13.4 mm封装。它是非分散红外气体分析、火焰和火灾探测、非接触式温度测量、火焰控制和湿度监测应用的理想选择。

  • SAE230VX 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 400 to 1000 nm 光电二极管材料: Silicon

    来自Laser Components的SAE230VX是外延雪崩光电二极管,在400至1000 nm波长范围内具有高响应度和极快的上升和下降时间。650nm处的峰值响应度非常适合使用可见激光二极管的测距应用。有多种封装可供选择。

  • SAH1L12-Series 光电二极管
    德国
    分类:光电二极管
    厂商:Laser Components
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 850 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 3 pF 暗电流: 4 to 10 nA

    Laser Components的SAH1L12系列是低噪声、高灵敏度、12元件线性硅雪崩光电二极管阵列,工作波长为800至900 nm.它们可以提供高达60 MW的功耗。APD具有较低的温度系数,元件之间的间隙仅为40µm.这些器件采用带保护窗的14引脚DIL封装,非常适合测距、激光扫描仪和激光雷达ACC应用。

  • AXUV100TF030 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 3 nm RoHS: Yes

    Opto Diode Corporation的AXUV100TF030是一款具有集成薄膜滤波器的100 mm2方形有效面积光电二极管。其探测范围为1nm~12nm,响应度为0.16A/W@3nm.该光电二极管非常适合用于探测太阳EUV辐射、软X射线辐射测量、X射线和EUV光刻、X射线显微镜和XUV光谱。它在黑色塑料容器中配有保护盖。

  • AXUV100TF400 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Opto Diode
    模块: No 光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 40 nm RoHS: Yes

    Opto Diode Corporation的AXUV100TF400是一款具有集成薄膜滤波器的100 mm2方形有效面积光电二极管。它的探测范围为18 nm至80 nm,响应度为0.15 A/W@40 nm.该光电二极管非常适合用于探测太阳EUV辐射、软X射线辐射测量、X射线和EUV光刻、X射线显微镜和XUV光谱。它在黑色塑料容器中配有保护盖。

  • LE/LSE Series 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: Yes 波长范围: 800 to 2200 nm 光电二极管材料: InGaAs 响应度/光敏度: 10.5 A/W

    Sensors Unlimited的LE/LSE系列是波长为0.8-2.2μm的InGaAs线性光电二极管阵列。这些光电二极管阵列的像素间距为25/50μm,像素高度为250/500μm.它们具有1.5μm的峰值波长灵敏度和10.5nV/光子的最小响应度。这些光电二极管阵列需要4.9-5.25 V的模拟电源。LE/LSE光电二极管阵列具有防晕光保护功能,可防止电荷从饱和像素流出,并允许增加场景内动态范围。它们与CMOS读出集成电路(ROIC)集成,可提供最大的抗扰度和灵敏度。这些光电二极管阵列需要一个模拟电源和两条数字控制线,以实现最佳ROIC性能,并提供通过单个输入选择两个独立增益的选项。它们由1级或2级热电冷却器组成,用于温度稳定和监控。这些光电二极管阵列采用ESD保护模块,非常适合FTIR/NIR干涉测量、NIR分子光谱、生物医学分析、塑料回收、工业过程控制和检测、机器视觉、农业分拣和热成像应用。

  • KPDE008LS-A-RA-HQ 光电二极管
    日本
    分类:光电二极管
    模块: No 光电探测器类型: PIN 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1.1 pF

    Kyoto Semiconductors的KPDE008LS-A-RA-HQ是一款KP-M InGaAs光电二极管,工作波长为900至1700 nm(O、E、S、C、L波段)。它可以处理10mW的最大输入光功率,响应度为0.8-0.9A/W,带宽为2GHz.该光电二极管的有效面积为80μm,电容高达1.1 PF.它的暗电流为160pA,反向电压为20V,正向电流为10mA.这款光电二极管采用TO-CAN封装,尺寸为Ø2.41 mm,非常适合光监控应用。

  • KPDEA13C 光电二极管
    日本
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 75 fF

    Kyoto Semiconductors的KPDEA13C是一款KP-A InGaAs雪崩光电二极管,工作波长为900至1700 nm.它的带宽为15GHz,响应度为0.5A/W,有效面积为φ13μm.该表面入射光电二极管具有GSG(地/信号/地)电极图案和4.5的倍增因子。暗电流为2μA,击穿电压为27 V.该光电二极管采用尺寸为0.42 X 0.48 mm的芯片封装,非常适合QSFP28-ER和QSFP56-ER应用。

  • KPM100 光电二极管
    日本
    分类:光电二极管
    模块: Yes 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 400 to 1000 nm 光电二极管材料: Silicon

    Kyoto Semiconductors的KPM100是一款硅雪崩光电二极管,工作波长为400至1000 nm.它可以处理1 MW的光输入功率,光电灵敏度为-67.5 kV/W.光电二极管需要5 V的直流电源,消耗高达70 mA的电流。它的响应度为0.45 A/W,支持USB 2.0接口。光电二极管由高速跨阻抗放大器组成,并具有预设和可编程的放大系数。它采用尺寸为61 X 61 X 2 mm的模块,带有SMA母头连接器,非常适合光通信、测距仪、光学测量、弱光检测和APD评估应用。

  • KPMC29 光电二极管
    日本
    分类:光电二极管
    模块: No 光电探测器类型: PN 工作模式: Photoconductive 光电二极管材料: Silicon, InGaAs RoHS: Yes

    Kyoto Semiconductors的KPMC29是一款Si/InGaAs双色调光电二极管,有效面积为2.2 X 2.2 sq.毫米(Si)和0.86 X 0.86平方毫米(InGaAs)。为了扩展波长范围,在同一轴上堆叠了对短波长敏感的Si光电二极管和对长波长敏感的InGaAs光电二极管。它的终端电容为30 PF(Si)、45 PF(InGaAs),响应度高达0.7 A/W(Si)、0.9 A/W(InGaAs)。该光电二极管在-20至+80℃的温度范围内工作,并且具有从400至1700nm的宽波长范围。该设备非常适合用于分光光度计、辐射温度计、医疗设备、保健设备和光纤测试设备。

  • GUVC-S10GD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 1 nA

    Genuv的GUVC-S10GD是一款肖特基型光电二极管,工作波长范围为220至280 nm.它提供0.01-100mW/cm2的光输出功率,响应度为0.07A/W,光电二极管的反向电压为3V,正向电流为1mA.它是用氮化铝镓基材料制造的,具有良好的日盲性。该光电二极管采用SMD 3535 PKG封装,尺寸为0.4 mm,非常适合纯UV-C监控和灭菌灯监控应用。

  • GUVC-S40GD 光电二极管
    韩国
    分类:光电二极管
    厂商:GenUV
    模块: No 光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 200 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN

    Genuv的GUVC-S40GD是一款肖特基型光电二极管,工作波长范围为220至280 nm.光电二极管的输出功率为0.01-100mW/cm2,响应度为0.06A/W,反向电压为3V,正向电流为1mA.它采用氮化铝镓基材料制成,具有良好的日盲性。该光电二极管采用尺寸为1 mm的CSP封装,非常适合纯UV-C监测和灭菌灯监测应用。

  • EOC SiC UV APD 1.45-QFN-16 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: Yes 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 200 to 400 nm 光电二极管材料: SiC

    来自Electro Optical Components的EOC SiC UV APD 1.45-QFN-16是一款用于低信号应用的紫外日盲SiC雪崩光电二极管。该APD具有1nW/cm2的灵敏度,并且需要大约180VDC的高偏置电压。它采用4 X 4 mm QFN-16表贴封装。SiC UV APD非常适合各种低紫外线应用,包括火焰检测、紫外线光子计数、低水平紫外线监测和紫外线光电倍增管(PMT)的固态替代品。

  • VEMT3700F 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的VEMT3700F是一款硅NPN光电晶体管,光谱带宽为870至1050 nm.它具有与870至950 nm红外发射器匹配的日光阻挡滤光片,并且具有±60度的半灵敏度角度。该光电晶体管的最小集电极-发射极(C-E)击穿电压为70 V,C-E暗电流高达200 nA,C-E电容为3 PF.上升/下降时间为2-6μs,截止频率为180 kHz.这款光电晶体管采用表面贴装微型PLCC-2封装,尺寸为3.5 X 2.8 X 1.75 mm,非常适合光断续器、微型开关、计数器、编码器和位置传感器应用。

  • RPM-22PB 光电晶体管
    日本
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount Type 光电晶体管型: Phototransistors 集电极发射极电压(击穿): 32 V 集电极暗电流: 0.5 µA

    Rohm Semiconductor的RPM-22PB是一种光电晶体管,其峰值灵敏度波长为800 nm.它的光电流为0.48-1.94 mA,暗电流高达0.5μA,集电极-发射极饱和电压高达0.4 V.该光电晶体管具有Ø1.5透镜,半角为±32度,响应时间为10μs.它采用尺寸为4.7 X 4.6 X 2.5 mm的封装,非常适合传感器应用的光学控制设备和接收器。

  • KPT081M31 光电晶体管
    日本
    分类:光电晶体管
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN 集电极发射极电压(击穿): 20 V 集电极暗电流: 5 to 200 nA

    Kyoto Semiconductors的KPT081M31是一款NPN Si光电晶体管,其敏感波长为800 nm.它的敏感面积为0.64 X 0.64 mm2,产生的光电流为7 mA.该光电晶体管的半角为60度,上升/下降时间为5μs,暗电流高达200 nA.它的最小电流放大系数为600,最大集电极-发射极饱和电压为0.4 V.该光电晶体管采用透明环氧树脂模制封装,尺寸为Ø3.8 X 30.3 mm,非常适合光学开关、光学编码器、光电隔离器、相机频闪仪、红外传感器和自动控制设备应用。

  • AQ6360 光谱分析仪
    波长范围: 1200 to 1650 nm 波长分辨率: 0.2 to 2 nm 波长精度: ±0.02 to ±0.10 nm 光纤模式: Multi Mode, Single Mode 动态范围: 55 dB

    横河电机(Yokogawa Electric Corporation)的AQ6360是一款光谱分析仪,非常适合激光、光学收发器和光学放大器等电信设备的工业制造。它的波长范围为1200至1650纳米,基于衍射光栅技术。该分析仪具有20至-80 dB的宽测量范围和55 dB的动态范围。它支持单模和多模光纤。OSA具有内置分析功能以及以太网和GPIB远程接口。