VM100-940-GSG-MA-SM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的基于GaAs的顶面发射垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片，现作为工程样品供应，用于开发和评估光互连、光背板、集成波导以及下一代光数据通信系统。这些VCSEL通过顶部使用地源-地源（GSG）微探针或线键单独接触。新的多孔径设计使其能够单模发射并在高输出功率下高速运行。适用于200G/400G SWDM、专有光互连和有源光缆(AOC)等应用。

VM100-880-GSG-Cxx紧凑且具有极高调制速率的顶发射 GaAs 基垂直腔面发射激光（VCSEL）芯片作为工程样品，可用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。 VCSEL 使用地-源-地（GSG）微探针或线键合在顶面单独接触。

VM100-940-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片作为工程样品可用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合单独接触顶面。

VM100-910-SG-qSM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4,12）阵列作为工程样品可用于光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统的开发和评估。VCSEL通过接地-源（GS）微探头、线键合或翻转芯片键合单独接触到顶面。

VM100-850-GSG-MA-SM紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片可作为工程样品，用于开发和评估光互连、光背板和集成波导，以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过顶面单独接触，使用地-源-地（GSG）微探针或金属线键合。

VM100-850M用于测试目的的超高速发射模块，集成了850nm VCSEL，光纤耦合到OM3多模光纤，用于光输出。该模块设计为高速测试应用的工程样品。通过高阶调制（4-PAM、DMT和多CAP）已证明比特率超过100G。提供多模和单模VCSEL版本。适用于研究与开发、100G测试（PAM-4、DMT）等应用。

A56-105C 是一款高速 VCSEL 驱动 IC，设计用于在光纤传输系统中直接调制 VCSEL。适用于光纤传输系统和研究开发。

YAG系列硅光电探测器针对1064nm Nd:YAG激光波长进行了优化，具有低电容和快速响应时间。由于低噪声和高响应度，非常适合测量低光强度，如被Nd:YAG激光束照射物体反射的光，用于测距应用。

SPOT-YAG系列是1064纳米的钕：钇铝石榴石优化的四象限光电二极管，非常适合瞄准和指向应用。这些高性能的P型器件采用带电环设计，用于收集在活动区域外部产生的电流，以减少噪声。它们具有低电容和高速响应时间，非常适合低光强度测量，因其低噪声和高响应度。这些探测器可以在光伏模式（无偏）下运行，适用于需要低噪声的应用，也可以在光导模式（有偏）下操作，适用于高速、瞄准和指向应用。

SPOT-4D-0是一款环形象限硅光电二极管，适用于350nm到1100nm的光谱范围。该产品采用环形封装设计，适合与LC插针耦合，具有ϕ200μm激光切割孔，以及反射率测量的后向散射检测。

SPOT-9D-0 Annular Quadrant Silicon Photodiode是一款高性能的硅光电二极管，适用于350nm到1100nm波长范围内的光检测。其独特的环形封装设计特别适用于反射率测量和LC插芯耦合。

Photovoltaic Series系列用于需要高灵敏度和中等响应速度的应用，尤其是对于蓝色增强系列在可见蓝光区域具有额外的灵敏度。光谱响应范围从350nm到1100nm，使常规光伏设备非常适合可见光和近红外应用。对于350nm到550nm区域的额外灵敏度，蓝色增强设备更为适用。

BPX65-100接收器包含一个BPX-65超高速光电二极管，与一个NE5212（Signetics）转导放大器耦合。标准产品包括ST和SMA连接器版本。适用于100Mbs光通信。

OSI Optoelectronics' High Speed Silicon 系列是小面积设备，优化用于快速响应时间或高带宽应用。BPX-65 补充了其他高速组，具有行业标准。这些设备的光谱范围从 350 nm 到 1100 nm，响应度和响应时间经过优化，HR 系列在 800 nm 时表现出 0.50 A/W 的峰值响应度，在 -5V 时典型响应时间为几百皮秒。具有低暗电流和低电容，适用于视频系统、计算机和工业控制等应用。

Planar Diffused Silicon Photodiodes适用于高速和高灵敏度应用的光电导探测器系列。光谱范围从350到1100纳米，使这些光电二极管理想用于可见光和近红外应用，包括检测脉冲激光源、LED或割接光等交流应用。

FCI-H125G-010是一款针对短波长（850nm）高速光纤数据通信设计的低噪声、高带宽光电探测器加跨阻放大器。该混合器集成了一个直径为250µm的大感应区域、高灵敏度硅光电探测器，并包括一个高增益跨阻放大器，用于产生差分输出电压，以便在电光接收器和收发器中锁定后级放大器，适用于多模光纤上的1.25Gbps的Gigabit Ethernet和Fibre Channel应用。

Photop™系列将光电二极管与运算放大器结合在同一封装中。这些通用探测器具有从350纳米到1100纳米或200纳米到1100纳米的光谱范围，集成封装确保在各种操作条件下低噪声输出。Photop™系列光电二极管放大器混合器，特点包括可调增益/带宽、低噪声、宽带宽，适用于激光功率监控、医学分析等多种应用。

OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-36C是一款OC-192 (SONET/SDH)兼容的光电探测器，适用于高速光通信和光网络。具有低暗电流和良好的性能稳定性。该器件的阳极和阴极接触点都出现在芯片的顶面，非常适合在10Gbps的高速光数据传输应用中使用，能够响应从910nm到1650nm的光谱范围。

FCI-InGaAs-XXX系列高速InGaAs光电二极管，具有75µm、120µm、300µm、400µm和500µm的活动区尺寸，展现了适用于数据通信和电信应用的特性。低电容、低暗电流和从1100nm到1620nm的高响应度，使这些器件成为局域网、城域网、广域网和其他高速通信系统中使用的高比特率接收器的理想选择。光电二极管采用3引脚隔离的TO-46罐封装，或配有AR涂层平窗或微透镜以增强耦合效率，适用于高速光通信，具有高响应度和宽光谱范围，是理想的高速通信系统接收器。FCI-InGaAs-XXX系列还提供FC、SC、ST和SMA接头。

FCI-InGaAs-XXX-X系列为OSI Optoelectronics大活动区域的IR敏感探测器的一部分，具有出色的响应性，从1100nm到1620nm，允许对弱信号的高灵敏度。这些大活动区域的设备非常适合用于红外仪器和监测应用，如光学仪器、功率测量、红外感测和医疗设备。