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工作范围: 5-40°C 冷却能力: 1100 watts at 25°C 加热能力: 1100 watts at 25°C 房屋流体: Filtered treated industrial water 处理流体: Up to 50% HF solution, other acid solutions, organic solvents, and PFA Teflon-compatible fluidsCleanstream 1100是一款用于5-30加仑半导体化学槽的宽温度控制系统，相当于2500瓦制冷机或1100瓦加热器，采用ISO 14001认证的热电技术，无需移动部件，无噪音，无振动，无需维护，具备高精度和高效节能特点，适用于湿式台式应用和高纯度化学浴。
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外形尺寸: 284w x 182h x 188 相机质量（不含电池）: 3.5kg 三脚架/笔记本电脑/相机电池质量: 1.9 kg/2.5kg/1kg 相机电池容量: 100 W/Hr minimum 相机/笔记本电脑功率: 10W/20WResonance GCSO2-2 Gas Camera是一款第三代紫外敏感相机，使用差分光吸收光谱学（DOAS）技术进行大气气体遥感。该相机采用单一CMOS紫外相机同时捕捉目标羽流在310和320纳米波段的两幅图像，以产生SO2浓度图。该系统包括3镜系统和PC控制的SO2气体池轮，以实现整个场域的校准，能够特定检测SO2且不受日光光谱变化的影响，专为火山和工业烟囱SO2排放监测设计，具备高精度的SO2浓度图像映射能力。
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外形尺寸: 170mm x 135mm x 110mm 摄像机重量（不包括电池）: 700g 三脚架/笔记本电脑/相机电池质量: 1.9kg/0.7kg/1kg 相机电池容量: 100W/Hr minimum 相机/笔记本电脑功率: 10W/20WResonance Ltd.的GCSO2-3 Gas Camera是一款高性能的第三代紫外敏感摄像机，使用差分光学吸收光谱学（DOAS）进行大气气体遥感，能够同时捕捉目标羽流在310和320纳米波段中心的两幅图像。适用于火山和工业烟囱SO2羽流的定量成像，具备方便的携带性和高精度的测量能力。
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可用灯泡: Krypton or Xenon 氪的峰值波长: 116.5, 123.6, 145 NM 氙的峰值波长: 147, 172 NM 氪的VUV强度: 1x1017 Ph/sec./st. 氙的VUV强度: 2x1017 Ph/sec./st.Resonance Ltd.的RD-18-06是射频驱动的灯系统，是一款可靠且无需维护的高强度深紫外线（VUV）发光源，发射波长在116至200纳米之间。该源头可安装到4.5英寸CF法兰上，便于与高真空系统连接。灯具可重新进入，以实现最佳定位。通过MgF2窗口为真空应用提供超过100毫瓦/球面度的VUV通量，如光电离飞行时间质谱分析。灯泡可互换，便于更换。温控高速风扇无需水冷即可散热。通常情况下，该源头会使用氪或氙灯泡，这些灯泡可互换，也可根据客户需求提供其他灯泡或填充压力。适用于高真空系统和光电离飞行时间质谱分析。
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气体填充: Deuterium 峰值波长: 160, 260NM 全光谱范围: 110 to 7000NM VUV光强: 2 x 10^16 to 4 x 10^16Photons/sec/sr 输出角度范围: 22 to 34Degrees这是一个115到1000NM RF灯系统，它是一个可靠且免维护的发射源，发射范围从115到7000NM。该源头可以安装到6英寸CF上，方便连接到UHV系统。VUV通量通过镁氟输出窗口传输，用于真空应用，如光电离、光刻和质谱分析。内部D2的热源增强了灯管的使用寿命。该灯的低功率版本用于在HST上对WF/PC II相机进行UV/VUV平场校准。
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气体填充: Krypton 峰值波长: 116-170NM 全光谱范围: 116.5-7,000NM VUV光强: 4x1016-4x1017Photons/sec/sr 输出角度范围: 30-65DegreesResonance Ltd的KrCM-LHP氪气射频激发灯系统是一种可靠且免维护的深紫外线强光源，发射波长范围从116.5到170纳米。该源可安装到6英寸CF法兰或Acton/Mcpherson法兰，方便连接到超高真空系统。通过输出窗口提供超过100毫瓦的VUV通量，用于真空应用，如光电离、光刻和质谱分析。
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外径: 12mm 直流电压: 5V for PID-K12, 24V for PID-KMD-EX 交流电压: 1600V 射频频率: 100MHz for PID-KMD-EX 光子强度: 1x10^14 photons/second/steradian for PID-K12, 1x10^15 photons/second/steradian for PID-KMD-EXResonance Ltd.提供的低功率和中功率PID套件，分别用于不同强度的光子发射应用。PID-K12和PID-KMD-EX套件为低功率和中功率光子发射应用提供稳定的10.6eV能量输出，适用于精确的光电传感任务。
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气体填充: Xenon 峰值波长: 147.0NM 全光谱范围: 116.5-7000NM VUV光强: 5x1016-5x1017Photons/sec/sr 输出角度范围: 30-65DegreesXeLM-LHP是一个充满氙气的射频驱动的灯系统，是一个可靠且免维护的深紫外线(VUV)发射的高强度源，特别适用于147.0纳米的发射。这个源可安装在6英寸CF法兰或Acton/Mcpherson法兰上，方便连接到超高真空系统。通过输出窗口为真空应用提供超过100毫瓦的VUV通量，如光电离、光刻和质谱分析等。
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阳极供电电压: 10-100 VDC 光谱响应: 160-320 nm 窗口材料: Quartz 峰值波长: 240 nm 光阴极电流: 1.2 uAResonance Ltd.的CsTeQ-D-L是一个紫外线CsTe二极管探测器，带有石英窗口，可以通过适配器直接安装到2.75英寸的共平面法兰上。该二极管具有10%的峰值量子效率，适用于真空系统和宽波段光电检测。
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有源元件温度: 195K 截止波长(10%): 2.0µm 峰值波长: 8.0-10.0µm 最佳波长: 10.6µm 截止波长(10%): 12.0µmLabM-I-10.6是基于HgCdTe TE冷却光学浸入光伏多结探测器的可编程红外探测模块。
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光谱范围: 2.3 to 3.5 µm 探测器符号: PVA-3-1×1-TO39-NW-90 探测器类型: photovoltaic 活性元件材料: epitaxial InAs heterostructure 有效区域: 1 mm × 1 mmPVA-3-1×1-TO39-NW-90是InAs室温光伏红外探测器，具有光谱范围2.3至3.5µm，探测率5.0×109至7.0×109cm·Hz1/2/W，适用于气体检测等应用。
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探测器类型: PVMQ-10.6 有源元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 10.6µm 探测率D*(λpeak): ≥2.0×10^7cm·Hz1/2/W 探测率D*(λopt): ≥1.0×10^7cm·Hz1/2/WPVMQ是基于复杂的HgCdTe异质结构的非制冷红外光伏多结象限探测器，以实现最佳性能和稳定性。四分之一探测器由四个独立的活动元件组成，排列成四分之一几何结构。该设备在10.6 µm波长处进行了最大性能优化。
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产品代码: FTIR-OEM011-060-4TE, FTIR-OEM011-085-4TE, FTIR-OEM011-120-4TE 分束器材料: CaF2, ZnSe 光谱范围[cm-1]: 1'660-5'000, 1'200-6'600, 830-5'000 光谱范围[μm]: 2-6, 1.5-8.5, 2-12 探测器类型: MCT (2-TE cooled), MCT (4-TE cooled)ARCoptix OEM011 是我们 OEM010 系列的灵活替代方案。主模块配备了内置光源（SiC 石墨棒）和温度控制功能，以及我们的永久定位干涉仪系统。TE-MCT 探测器已移至外部模块，非常适合需要采样系统（短程气体池、净化体积等）的配置。两个模块都可以轻松固定在光学面包板上，并可容纳 30 毫米的笼系统杆，便于快速原型设计。
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渗透技术: 4 手动控制: 即时开/关和1%步进强度控制，范围0-100% 远程控制: 单TTL通过控制盒上的BNC连接进行开/关控制，触发速度<150μs 适配器: 适用于所有主要显微镜的适配器 功率要求: 100-240V a.c. 50/60Hz, 0.7ApT-100 是一种用于透射照明的 LED 解决方案，提供四种变体：宽白光输出（pT-100-WHT）以及三种窄波段输出（pT-100-525、pT-100-635、pT-100-770）。它具有即开即关和强度控制功能，提供直接安装或液体光导传输的选项。适用于明场、暗场、DIC和相衬应用。
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光源尺寸: 60mm(w)x170mm(d)x70mm(h) 光源重量: 0.38kg 光导光源尺寸: 52mm(w)x95mm(d)x52mm(h) 光导光源重量: 0.42kg 光纤光源尺寸: 76mm(w)x165mm(d)x80mm(h)pE-100系列是一个无汞的紧凑且易于使用的LED照明系统系列，专为需要单一LED激发波长的应用而开发。适用于荧光筛选和显微镜照明。
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发射波长: 840-860nm 数据速率: ~112Gbit/s 阈值电流: 0.5mA 峰值输出功率: 3-5mW 最大数据速率: 50-56GBaud/sVM100-850-SG-qSM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片和1xN（N=4,12）阵列作为工程样品，供开发和评估光学互连、光学背板和集成波导以及下一代光学数据通信系统使用。VCSEL通过顶部表面单独接触，使用地-源（GS）微探针、线键合或倒装芯片键合。
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发射波长: 850nm (range 840 – 860nm) 数据速率: Up to 112Gbit/s 56GBaud/s PAM-4 阈值电流: <0.6mA 峰值输出功率: ~4mW 光学带宽: 25-30GHzVM100-850-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片，现已作为工程样品提供，用于开发和评估光互连、光背板、集成波导以及下一代光数据通信系统。这些VCSEL器件通过顶部分别使用地源-地源（GSG）微探针或线键进行接触。
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发射波长: 900-920nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 23-25GHz 斜率效率: 0.4W/A 阈值电流: 0.9-1mAVM100-910-SM-MA-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片可作为工程样品用于光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统的开发和评估。这些VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合在顶表面进行接触。新的多孔径设计实现了单模发射和高输出功率下的高速操作。
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发射波长: 870-890nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 23-28GHz 斜率效率: 0.5W/A 阈值电流: 0.9-1mAVM100-880-GSG-MA-SM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片可作为工程样品，用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。这些VCSEL可以通过接地-源-接地(GSG)微探针或线键合在顶表面上单独接触。新的多孔径设计实现了单模发射和高输出功率下的高速运行。
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发射波长: 900-920nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 24-28GHz 斜率效率: 0.45W/A 阈值电流: 0.5-0.6mAVM100-910-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器（VCSEL）芯片可作为工程样品，用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源-地（GSG）微探针或线键合在顶部表面单独接触。
产品选型就用光电查
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