• 脉冲发生器-A-1064-300 激光器模块和系统
    德国
    厂商:ALPHALAS
    类型: Laser System 技术: DPSS Laser, Q-Switched Laser 工作模式: Pulsed Laser 超快激光: Nanosecond Lasers 波长: 1064 nm

    来自AlphaLas的Pulselas-A-1064-300是一种波长为1064 nm、功率为0.3 W(300 MW)、输出功率(脉冲)为0.3 W(300 MW)、脉冲能量为20µJ、工作温度为18至30摄氏度的激光器。Pulselas-A-1064-300的更多详情见下文。

  • pco.edge 10 bi CLHS 高性能科学级CMOS相机 科学和工业相机
    分辨率: 4416x2368pixel 像元尺寸: 4.6µmx4.6µm 传感器尺寸: 20.3mmx10.8mm 传感器对角线: 23.0mm 动态范围: 15,385:1

    pco.edge 10 bi CLHS是一款下一代科学级CMOS相机,具有高动态范围、高帧率和低读出噪声的特点,采用背照式设计,提供高分辨率和温度稳定性。

  • pco.edge 10 bi LT CLHS高速sCMOS相机 科学和工业相机
    分辨率: 4416x2368 pixels 像元尺寸: 4.6µmx4.6µm 传感器尺寸: 20.3mmx10.8mm 传感器对角线: 23.0mm 快门类型: Rolling Shutter

    pco.edge 10 bi LT CLHS是一款高性能背照式sCMOS相机,具有高动态范围、低读出噪声和高分辨率的特点。适用于需要高速、高灵敏度成像的高端科研和工业应用。

  • pco.dicam C1 高速、高分辨率成像的增强型相机系统 科学和工业相机
    分辨率: 2048 x 2048 pixel 像素尺寸: 6.5µm x 6.5µm 传感器格式/对角线: 13.3mm x 13.3mm / 18.8mm 帧率: 106 fps @ 2048 x 2048 pixel 动态范围: A/D 16 bit

    pco.dicam C1是首款利用科学CMOS传感器技术性能的增强型相机系统。通过25mm高分辨率增强器与高效率的串联透镜系统光学耦合到16位4 MPixel sCMOS传感器,使得此相机独一无二。10G光纤数据接口保证了通过光纤在几乎任何距离上无压缩且稳定的16位数据传输。

  • C30902EH 和 C30921EH系列的雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    击穿电压: 185-260V 光谱范围: 400-1100nm 峰值响应: 800nm 量子效率: 84% 有用面积: 0.2mm2

    Excelitas Technologies的C30902EH系列雪崩光电二极管采用双扩散“透射”结构,提供400 nm至1000 nm之间的高响应度以及极快的上升和下降时间。这些探测器芯片被密封在一个改装的TO-18封装中,正面是平面玻璃窗。有用的光敏表面直径为0.5毫米,C30921EH则封装在一个带有光导管的TO-18中,可以高效地将光从聚焦点或直径高达0.25毫米的光纤耦合到探测器上。

  • C30817EH series(系列)硅雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    封装: TO-5 有用面积: 0.5mm² 有用直径: 0.8mm 名义视场: FoV 119Degrees 名义视场: 132Degrees

    C30817EH系列硅雪崩光电二极管是一种通用型光电二极管,采用双扩散“穿透”结构制造,可提供400至1100纳米波长范围内的高响应度以及在所有波长下的快速上升和下降时间。

  • C30884EH 硅雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光敏表面有效面积: 0.5mm² 光敏表面有效直径: 0.8mm 名义视场: FoV 119 Degrees 名义视场: 132 Degrees 击穿电压: 190-290V

    C30884EH是一种硅雪崩光电二极管,具有高响应度和快速上升下降时间。该器件使用双扩散“穿透”结构制造,优化了在1000纳米以下波长的高响应度。

  • LLAM Series – 900/1060/1060E/1550/1550E 硅和InGaAs雪崩光电二极管(APD)接收模块 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    系统带宽: 50 MHz and 200 MHz 超低噪声等效功率(NEP): 详见性能规格表 光谱响应范围: Si APD: 400 nm to 1100 nm, InGaAs APD: 1100 nm to 1700 nm 典型功耗: 150 mW (without TEC powered on) 放大器工作电压范围: ±5 V

    Excelitas Technologies的LLAM系列硅和InGaAs雪崩光电二极管(APD)接收模块集成了APD、热电制冷器(TEC)以及放大电路,所有这些都封装在同一个增强散热的改进12引脚TO-66法兰封装中。这些模块专为高速低光模拟信号的检测而设计。

  • C30724 Series 高量子效率-高速低噪声雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有用面积: 0.2mm2 有用直径: 0.5mm 封装: TO-18 Hermetic/TO-18 with Filter/TO-18 Plastic 击穿电压: 350V 操作电压: 150-200V

    Excelitas的C30724系列雪崩光电二极管(APD)设计用于在增益范围10到20时操作。这些APD在800到950纳米波长范围内提供高响应度,并具有大约5纳秒的上升和下降时间,下降时间特性没有“尾巴”。特别适用于激光测距、光通信系统等高速低噪声应用。

  • C30737系列硅雪崩光电二极管(APDs) 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效面积直径: 230μm/500μm 峰值灵敏度波长: 800nm/900nm 击穿电压: 120-210V/180-260V 温度系数: 0.5V/°C/1.3V/°C 增益: M@800nm/900nm

    Excelitas Technologies的C30737系列硅雪崩光电二极管(APDs)适用于汽车激光雷达、激光测距仪、激光计量表及区域扫描应用,提供500nm至1000nm范围内的高响应度。

  • SPCM-AQRH 单光子计数模块 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    供电电压: 4.75-5.25V 供电电流: 0.4-1.2A 电源线总电阻: 0.1-0.2Ω 外壳工作温度: 5-70°C 活动区域直径: 170-180µm

    Excelitas Technologies最近改进的SPCM-AQRH单光子计数模块可以在400nm至1060nm的波长范围内检测单个光子,其性能参数优于其他固态或真空管基光子计数器。

  • SPCM-AQ4C 四通道阵列单光子计数模块 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    供电电流: 1.0-3.0A@+2V, 0.20-1.0A@+5V, 0.01-0.04A@+30V 最大功率消耗: 2-6W@+2V, 1-5W@+5V, 0.3-1.2W@+30V 供电电压: 1.95-2.05V@+2V, 4.75-5.25V@+5V, 29-31V@+30V 外壳工作温度: 5-40ºC 每通道活动区域直径: 170-180µm

    SPCM-AQ4C是一款四通道阵列单光子计数模块,具有独立的硅雪崩光电二极管(SLiK),能在400nm至1060nm波长范围内检测单个光子。每个通道均独立。该模块具有热电冷却和温度控制功能,确保在环境温度变化时性能稳定。

  • C30645 and C30662 Series 高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    活动直径: 80-200µm 击穿电压: 45-70V 工作点偏离击穿电压: 4.0V (C30662EH-1@ M=10) 温度系数: 0.14-0.20V/deg C 响应度: 9.3A/W

    Excelitas Technologies的C30645和C30662系列是高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管。这些器件在1100纳米至1700纳米的光谱范围内提供高量子效率、高响应度和低噪声。它们被优化用于1550纳米波长,适用于眼安全激光测距和激光雷达系统。

  • C30927EH系列 用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有用面积: 1.77mm2 有用直径: 1.55mm 击穿电压: 350-485V 增益: 100 量子效率: 85%

    C30927EH系列是用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管,采用双扩散“穿透”结构,优化用于波长为1060nm、900nm和800nm。这种设计没有元素间的死区,因此在视线中心没有响应损失。

  • 1060 nm 垂直腔面发射激光器 激光发射器
    美国
    分类:激光发射器
    厂商:Optilab
    波长: 1060 nm 数据速率: 最高2.5 Gbps 驱动电流: 非常低 温度稳定: 内置TEC

    1060 nm 垂直腔面发射激光器(VCSEL)采用紧凑的同轴外壳,配有单模光纤尾纤,专为光纤传感、激光发射器和光通信应用设计。其驱动电流非常低,并可以通过内置TEC进行温度稳定。

  • DFB-1310C-PM 激光器 DFB激光器
    美国
    分类:DFB激光器
    厂商:Optilab
    输出光功率: 60mW 旁模抑制比: 高 波长范围: 1549nm-1553nm RIN噪声: -145dB/Hz max 封装类型: 14-pin butterfly

    Optilab DFB-1550A-PM是一款与偏振保持光纤耦合的单频CW激光器,采用分布式反馈光栅(DFB)作为腔体反射器,提供纯净的单纵模和极为稳定的波长源。适用于密集波长分复用等应用,具有稳定的输出和高效能。

  • 1290nm垂直腔面发射激光器(VCSEL) 激光发射器
    美国
    分类:激光发射器
    厂商:Optilab
    波长: 1310nm 驱动电流: 低 数据速率: 最高2.5Gbps 封装: TO封装,单模光纤

    1310 nm 垂直腔面发射激光器(VCSEL)采用紧凑的同轴外壳,配备单模光纤尾纤,专为光纤传感、激光发射器和光通信应用设计。它需要非常低的驱动电流,并可通过内置的TEC进行温度稳定。

  • DFB-1310C-PM 激光器 DFB激光器
    美国
    分类:DFB激光器
    厂商:Optilab
    输出光功率: 200mW 旁模抑制比: 45dB 波长范围: 1270-1330nm 调制方式: CW/直接调制

    Optilab DFB-1XXXA-PM是一款耦合偏振保持光纤的单频CW激光器,具有极其稳定的波长源。

  • RAMSPEC VUV 0.3-0.6光谱仪 光谱仪
    美国
    分类:光谱仪
    厂商:Resonance
    激发波长: 177, 224nm 范围: 52600 - 56500 cm^-1 决议: 5cm^-1

    RamSpec-VUV在冷却至-45℃的25 mm×7 mm背面减薄CCD探测器上捕获超光谱拉曼光谱图像。它可以捕获1044像素宽的光谱,分辨率高达0.01 nm,每个光谱元素有多达256个垂直元素。光谱仪的工作范围是140和550 nm之间的任何10 nm波段。RamSpec-VUV是先进个可用于真空紫外光谱区域的商用拉曼光谱仪,也是先进个在177-190nm真空紫外范围内测量拉曼散射信号的仪器。该系统被设计成允许各种光栅排列之间的互换性,以获得较佳配置。

  • vs7550紫外光迷你光谱仪 光谱仪
    美国
    分类:光谱仪
    厂商:Resonance
    单色仪类型: Czerny-Turner 有效焦距: 46mm 衍射光栅: 4200lines/mm 光谱范围: 185 - 1100 nm 光谱分辨率: 0.2nm

    VS7550是一款微型Czerny-Turner光谱仪,具有出色的速度、光谱范围和光谱分辨率,可通过软件控制狭缝尺寸、输入F#、排序滤波器、光栅角和暗曝光。紫外光谱仪的光谱范围从185 nm的空气短波截止波长到1100 nm的探测器红外截止波长。光谱仪足够小,可以拿在手里,并且可以在5米电缆末端的任何方向上完全操作。附件包括内置光谱校准灯、多光谱场平面光源、光纤适配器和背面薄型探测器