• QL80T4HD-Y 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 785 to 830 nm 输出功率: 1 W 工作电压: 2 to 2.5 V

    Quantum Semiconductor International的QL80T4HD-Y是一款激光二极管,波长为785至830 nm,输出功率为1 W,工作电压为2至2.5 V,工作电流为1.1至1.5 A.有关QL80T4HD-Y的更多详细信息,请联系我们。

  • QL82R63A/B 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 819 to 829 nm 输出功率: 200 mW 工作电压: 1.8 to 2.6 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL82R63A/B是波长为819至829nm的激光二极管,输出功率为200mW,工作电压为1.8至2.6V,工作电流为210至250mA.有关QL82R63A/B的更多详细信息,请联系我们。

  • QL82R6S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 819 to 829 nm 输出功率: 200 mW 工作电压: 1.8 to 2.6 V

    QL82R6S-A/B/C来自Quantum Semiconductor International,是一种激光二极管,波长为819至829 nm,输出功率为200 MW,工作电压为1.8至2.6 V,工作电流为210至240 mA.有关QL82R6S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL83D6S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 822 to 834 nm 输出功率: 5 mW 工作电压: 1.85 to 1.95 V

    QL83D6S-A/B/C来自Quantum Semiconductor International,是一种激光二极管,波长为822至834 nm,输出功率为5 MW,工作电压为1.85至1.95 V,工作电流为15至28 mA.有关QL83D6S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL83F6S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 820 to 840 nm 输出功率: 10 mW 工作电压: 1.7 to 2.4 V

    QL83F6S-A/B/C来自Quantum Semiconductor International,是一种激光二极管,波长为820至840 nm,输出功率为10 MW,工作电压为1.7至2.4 V,工作电流为30至55 mA.有关QL83F6S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL83H6S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 820 to 840 nm 输出功率: 20 mW 工作电压: 1.9 to 2.5 V

    QL83H6S-A/B/C来自Quantum Semiconductor International,是一种激光二极管,波长为820至840 nm,输出功率为20 MW,工作电压为1.9至2.5 V,工作电流为45至70 mA.有关QL83H6S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL83O6S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 820 to 840 nm 输出功率: 100 mW 工作电压: 1.7 to 2.5 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL83O6S-A/B/C是波长为820至840 nm、输出功率为100 MW、工作电压为1.7至2.5 V、工作电流为120至170 mA的激光二极管。有关QL83O6S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL83R6S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 815 to 840 nm 输出功率: 200 mW 工作电压: 1.8 to 2.5 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL83R6S-A/B/C是波长为815至840 nm、输出功率为200 MW、工作电压为1.8至2.5 V、工作电流为180至240 mA的激光二极管。有关QL83R6S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL84S6SL 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 835 to 855 nm 输出功率: 450 mW 工作电压: 1.9 to 2.5 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL84S6SL是波长为835至855 nm、输出功率为450 MW、工作电压为1.9至2.5 V、工作电流为530至550 mA的激光二极管。有关QL84S6SL的更多详细信息,请联系我们。

  • QL85D6S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 845 to 855 nm 输出功率: 5 mW 工作电压: 1.8 to 2.5 V

    QL85D6S-A/B/C(Quantum Semiconductor International)是一款激光二极管,波长为845至855 nm,输出功率为5 MW,工作电压为1.8至2.5 V,工作电流为15至30 mA.有关QL85D6S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL85G63E 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 845 to 855 nm 输出功率: 15 mW 工作电压: 2.2 to 2.4 V

    Quantum Semiconductor International的QL85G63E是一款激光二极管,波长为845至855 nm,输出功率为15 MW,工作电压为2.2至2.4 V,工作电流为45至55 mA.有关QL85G63E的更多详细信息,请联系我们。

  • QL85H6S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 845 to 865 nm 输出功率: 20 mW 工作电压: 2 to 2.5 V

    QL85H6S-A/B/C(Quantum Semiconductor International)是一款激光二极管,波长为845至865 nm,输出功率为20 MW,工作电压为2至2.5 V,工作电流为40至70 mA.有关QL85H6S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL85I6S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 845 to 860 nm 输出功率: 30 mW 工作电压: 2 to 2.5 V

    Quantum Semiconductor International的QL85I6S-A/B/C是一种激光二极管,波长为845至860 nm,输出功率为30 MW,工作电压为2至2.5 V,工作电流为50至90 mA.有关QL85I6S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL85J6S-A/B/C-L 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 845 to 865 nm 输出功率: 40 mW 工作电压: 2 to 2.5 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL85J6S-A/B/C-L是波长为845至865 nm、输出功率为40 MW、工作电压为2至2.5 V、工作电流为70至110 mA的激光二极管。有关QL85J6S-A/B/C-L的更多详细信息,请联系我们。

  • QL85R6S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 840 to 860 nm 输出功率: 200 mW 工作电压: 1.8 to 2.6 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL85R6S-A/B/C是波长为840至860 nm、输出功率为200 MW、工作电压为1.8至2.6 V、工作电流为180至240 mA的激光二极管。有关QL85R6S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL90F7S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 885 to 915 nm 输出功率: 10 mW 工作电压: 1.5 to 2.3 V

    QL90F7S-A/B/C(Quantum Semiconductor International)是一款激光二极管,波长为885至915 nm,输出功率为10 MW,工作电压为1.5至2.3 V,工作电流为35至60 mA.有关QL90F7S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL94R6S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 930 to 950 nm 输出功率: 200 mW 工作电压: 1.8 to 2.4 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL94R6S-A/B/C是波长为930至950 nm、输出功率为200 MW、工作电压为1.8至2.4 V、工作电流为270至320 mA的激光二极管。有关QL94R6S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • SPL DS90A_3 汽车应用的纳米堆叠脉冲激光二极管 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    芯片技术: InGaAs 工作模式: Pulsed Laser 波长: 894 to 914 nm 输出功率: 105 to 145 W 工作电压: 8.3 V

    来自OSRAM的SPL DS90A_3是广泛用于各种汽车应用的纳米堆叠脉冲激光二极管。它可以在高达40 A的高电流下工作,并实现125 W的典型输出功率。该激光器具有令人印象深刻的长寿命和高效率。其紧凑的尺寸允许在车辆内进行灵活的系统设计。得益于更高的输出,激光雷达系统可以可靠地探测到远距离的小物体和反射较差的物体,并在关键的驾驶情况下采取必要的行动。它是激光雷达、闭路电视监控和工业自动化应用的理想选择。

  • SPL PL90_3 波长905nm的纳米堆叠脉冲激光二极管 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    波长: 905 nm RoHS: Yes 类型: 自由空间激光二极管 技术: 纳米堆叠激光技术(包含3个外延堆叠发射极) 工作模式: 脉冲

    来自OSRAM的SPL PL90_3,是波长为905nm的纳米堆叠脉冲激光二极管。输出峰值功率为65W-85W,脉宽为1-100ns,光谱带宽7nm.该激光二极管有3个发射器,光束发散角(FWHM)为9°(平行)和25°(垂直)。它的阈值电流为0.75 A,反向电压高达3 V。它需要9 V的直流电源,正向电流高达40 A。该激光二极管采用Ø5.8 X 32 mm的塑料封装,非常适合电子设备、设备照明(如固化、内窥镜)、工矿灯行业、工业自动化、安全安保和CCTV应用。

  • FP3007x 半导体激光器
    美国
    技术: Distributed Feedback (DFB) 工作模式: CW laser 波长: 760 to 800 nm 输出功率: 0.1 to 0.12 W 阈值电流: 33 to 40 mA

    Freedom Photonics的FP3007X是一款激光二极管,波长为760至800 nm,输出功率为100至120 MW,输出功率为0.1至0.12 W,阈值电流为33至40 mA,工作温度为-5至75摄氏度。有关FP3007X的更多详细信息,请联系我们。