• PID套件VUV光源 紫外线系统
    美国
    分类:紫外线系统
    厂商:Resonance
    外径: 12mm 直流电压: 5V for PID-K12, 24V for PID-KMD-EX 交流电压: 1600V 射频频率: 100MHz for PID-KMD-EX 光子强度: 1x10^14 photons/second/steradian for PID-K12, 1x10^15 photons/second/steradian for PID-KMD-EX

    Resonance Ltd.提供的低功率和中功率PID套件,分别用于不同强度的光子发射应用。PID-K12和PID-KMD-EX套件为低功率和中功率光子发射应用提供稳定的10.6eV能量输出,适用于精确的光电传感任务。

  • KrLM-LHP 高功率氪真空紫外线线光源 紫外线系统
    美国
    分类:紫外线系统
    厂商:Resonance
    气体填充: Krypton 峰值波长: 116.5,123.6NM 全谱输出: 116.5-7000NM VUV光强: 3x1016-3x1017Photons/sec/sr 输出角度范围: 30-65Degrees

    KrLM-LHP是一款RF功率驱动的氪灯系统,提供可靠且无需维护的深紫外线(VUV)高强度光源,主要发射波长为116.5和123.6纳米。KrLM-LHP是Resonance Ltd出品的高功率氪真空紫外线线光源,适用于光电离、光刻和质谱等真空应用。

  • XeLM-LHP 高功率氙气真空紫外(VUV)线源 紫外线系统
    美国
    分类:紫外线系统
    厂商:Resonance
    气体填充: Xenon 峰值波长: 147.0NM 全光谱范围: 116.5-7000NM VUV光强: 5x1016-5x1017Photons/sec/sr 输出角度范围: 30-65Degrees

    XeLM-LHP是一个充满氙气的射频驱动的灯系统,是一个可靠且免维护的深紫外线(VUV)发射的高强度源,特别适用于147.0纳米的发射。这个源可安装在6英寸CF法兰或Acton/Mcpherson法兰上,方便连接到超高真空系统。通过输出窗口为真空应用提供超过100毫瓦的VUV通量,如光电离、光刻和质谱分析等。

  • PPBS 偏振保持光束采样器 偏振光学元件
    美国
    厂商:DataRay
    波长范围: 0.190-16µm 清晰光圈: 17.5mm 采样百分比: 0.1%-3% 光学路径长度: 50mm 楔形材料: CaF2, BaF2, UV-FS, ZnSe

    Polarization Preserving Beam Sampler (PPBS) 使用双楔设计对激光束进行采样,适用于激光束轮廓应用,波长范围0.190-16µm,光学路径长度50mm。。PPBS 通过采样两个正交楔形窗口的反射光来安全地降低高强度光的功率,同时保持输入光束的原始偏振并消除每个空气-玻璃界面的多重反射效应。

  • 绝对功率和能量测量的功率计 能量功率计
    美国
    分类:能量功率计
    厂商:DataRay
    最大平均功率: up to kWs 分辨率: as low as 100µW 抗损伤涂层: up to 4kW/cm2 @ 5kW 吸收器光谱范围: 0.19-11µm 孔径: up to 70mm

    DataRay与Laser Point srl合作推出了一系列用于绝对功率和能量测量的功率计。DataRay的全功能软件支持同时进行功率和光束轮廓测量,无需许可证费用,安装次数不限,并且提供免费软件更新。DataRay Power Meters,提供绝对功率和能量测量,适用于激光系统的现场服务、研发和质量控制。

  • VM100-910-SM-MA-GSG-Cxx VCSEL芯片 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 900-920nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 23-25GHz 斜率效率: 0.4W/A 阈值电流: 0.9-1mA

    VM100-910-SM-MA-GSG-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片可作为工程样品用于光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统的开发和评估。这些VCSEL通过地-源-地(GSG)微探针或线键合在顶表面进行接触。新的多孔径设计实现了单模发射和高输出功率下的高速操作。

  • VM100-880-GSG-MA-SM-Cxx 单模顶发射VCSEL芯片 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 870-890nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 23-28GHz 斜率效率: 0.5W/A 阈值电流: 0.9-1mA

    VM100-880-GSG-MA-SM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片可作为工程样品,用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。这些VCSEL可以通过接地-源-接地(GSG)微探针或线键合在顶表面上单独接触。新的多孔径设计实现了单模发射和高输出功率下的高速运行。

  • V25-940-SG-MA-HP-C1 多孔垂直腔面发射激光器(VCSEL) 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 930-950nm 数据速率: 50GBaud/s 光学带宽: 18GHz 斜率效率: 0.4W/A 阈值电流: 1mA

    V25-940-SG-MA-HP-C1紧凑且具有非常高调制速率的顶发射GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片可作为工程样品,用于开发和评估光互连、光背板和集成波导以及下一代光数据通信系统。VCSEL通过地-源-地(GSG)微探针或线键合在顶表面单独接触。新的多孔设计可在高输出功率下实现高速操作,适用于高速传感和光无线应用。适用于高速光通信和光无线应用。

  • VM100-940-GSG-MA-SM-Cxx VCSEL芯片 半导体激光器
    德国
    厂商:VI Systems GmbH
    发射波长: 930-950nm 数据速率: 50-56GBaud/s 光学带宽: 22-23GHz 斜率效率: 0.35W/A 阈值电流: 0.9-1mA

    VM100-940-GSG-MA-SM-Cxx紧凑且具有非常高调制速率的基于GaAs的顶面发射垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片,现作为工程样品供应,用于开发和评估光互连、光背板、集成波导以及下一代光数据通信系统。这些VCSEL通过顶部使用地源-地源(GSG)微探针或线键单独接触。新的多孔径设计使其能够单模发射并在高输出功率下高速运行。适用于200G/400G SWDM、专有光互连和有源光缆(AOC)等应用。

  • Photop™系列光电二极管放大器混合器 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    有效区域: φ 85 - φ 4500 mm² 暗电流: 2.54 - 11.3 nA 温度范围: 0 - 70°C 响应度: 0.25 - 9.2 A/W 电容: 3 - 300 pF

    Photop™系列将光电二极管与运算放大器结合在同一封装中。这些通用探测器具有从350纳米到1100纳米或200纳米到1100纳米的光谱范围,集成封装确保在各种操作条件下低噪声输出。Photop™系列光电二极管放大器混合器,特点包括可调增益/带宽、低噪声、宽带宽,适用于激光功率监控、医学分析等多种应用。

  • FCI-InGaAs-XXX-X系列InGaAs光电二极管 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    储存温度: -55°C - +125°C 工作温度: -40°C - +75°C 焊接温度: --- - +260°C 有效面积直径: 1.0mm - 3.0mm 响应度(λ=1310nm): 0.80A/W - 0.90A/W

    FCI-InGaAs-XXX-X系列为OSI Optoelectronics大活动区域的IR敏感探测器的一部分,具有出色的响应性,从1100nm到1620nm,允许对弱信号的高灵敏度。这些大活动区域的设备非常适合用于红外仪器和监测应用,如光学仪器、功率测量、红外感测和医疗设备。

  • 1064CHP 500 mW 1060 nm冷却种子/泵浦激光模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 60-80 mA 标称工作功率: 500-525 mW 峰值波长: 1050-1070 nm 正向电压: 1.6-2.0 V 操作峰值功率: 0.9-1.2 W

    1064CHP 1060 nm高功率单模激光模块是为需要在1050-1070 nm波长范围内工作的脉冲和连续波(CW)光纤激光应用而设计的种子源,也可以用作泵浦模块。适用于光纤激光器、传感器和拉曼光谱等应用。

  • 1064CHP 1030 nm高功率单模激光模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 60-80 mA 标称工作功率: 150-170 mW 峰值波长: 1025-1045 nm 正向电压: 1.6-2.0 V 操作峰值功率: 0.9-1.0 W

    1064CHP 150 mW 1030 nm高功率单模激光模块是为需要在1025-1045 nm范围内工作波长的脉冲和CW光纤激光应用而设计的种子源,也可以用作泵浦模块。适用于光纤激光器、传感器和拉曼光谱等应用,具备高工作功率和宽温度范围。

  • 1999PLU 980纳米未冷却泵浦模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 85 mA 标称工作功率: 100-300 mW 无折点功率: 1.1 x Pnom mW 正向电流: 225-600 mA 正向电压: 1.75-2.1 V

    1999PLU是一款新一代980纳米未冷却泵浦模块,采用内部芯片技术,专为紧凑型和功率效率要求高的应用设计,通过Telcordia GR-468-CORE认证,符合RoHS标准。具备高达300mW的工作功率,适用于EDFA、多泵浦架构和传感器等应用。

  • 1999PLU Mini-DIL无冷却泵浦模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    工作温度范围: 0至75°C 无折射功率: >275mW 封装类型: mini-DIL 波长锁定: Fiber Bragg Grating (FBG) 静态放电防护: 5kV

    3SP Technologies的1999PLU Mini-DIL无冷却泵浦模块专为需要紧凑尺寸和低功耗的应用而设计,采用mini-DIL封装,内置新开发的用于宽温范围(0至75°C)无冷却操作的激光芯片,芯片完全符合Telcordia建议。可提供超过275mW的无折射功率。波长通过位于单模偏振保持光纤(PMF)尾纤中的光纤布拉格光栅(FBG)来锁定。

  • 1999UMM 980nm非制冷泵浦激光模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 100 mA 标称工作功率: 50-250 mW 正向电流: 300-500 mA 正向电压: 1.9 V 峰值波长容差: ±0.5 nm

    1999UMM是最新一代980纳米非制冷泵浦模块,采用公司内部芯片技术,专为需要紧凑性和功率效率的应用而设计。该模块采用超紧凑的3针微型封装,提供高达250毫瓦的工作功率。适用于高比特率相干收发器和掺铒光纤放大器。

  • 1999UMM 275 mW 980纳米未冷却泵浦激光模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 100mA 标称工作功率: 50-250mW 正向电流: 300-500mA 正向电压: 1.9V 峰值波长容差: ±0.5nm

    1999UMM 275 mW Kink-Free FBG Stabilized 980纳米未冷却泵浦激光模块,采用超紧凑封装,不集成NTC热敏电阻和背面监测光电二极管,适用于需要紧凑型和功率效率的应用场景,掺铒光纤放大器和传感器。

  • 1999CMB 980nm冷却泵浦激光模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 50mA 标称工作功率: 200-500mW 无折点功率: 1.1 x Pnom mW 正向电流: 580-870mA 正向电压: 1.9V

    1999CMB是一款新一代980nm地面泵浦模块,采用内部芯片技术,确保了卓越的性能和可靠性。该模块集成了热电制冷器(TEC)、精密NTC热敏电阻和背面监测光电二极管,供高达500mW的输出功率和高波长稳定性,适用于EDFA、光纤激光器等应用。

  • 1999CMB 605mW FBG稳定的980纳米冷却泵浦激光模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 50 mA 标称工作功率: 150-550 mW 无故障功率: 290-620 mW 正向电流: 680-870 mA 正向电压: 1.9 V

    1999CMB是一款新一代980纳米波长的陆上泵浦模块,采用内部芯片技术,通过完全合格认证,确保了卓越的性能和可靠性。适用于高输出功率低噪声的掺铒光纤放大器和密集波分复用系统。

  • 1999CHB 750mW FBG稳定的980nm冷却泵浦激光模块 半导体激光器
    法国
    厂商:3SP Technologies
    阈值电流: 70mA 标称工作功率: 550-680mW 无折点功率: 1.1 x Pnom 正向电流: 1000-1150mA 正向电压: 1.9V

    3SP Technologies的1999CHB是一款750mW无折点、FBG稳定的980nm冷却泵浦激光模块,适用于高输出功率EDFAs和CATV。具有高稳定性和低功耗特点,可在宽温度范围运行。