光电探测器-光学传感器-多功能光电检测设备-光电查

英国

分类：光电探测器

厂商：Pyreos Ltd

探测器类型: Pyroelectric 光谱范围: 1 - 12 um 尺寸: 2.5mm

用于气体检测和物质浓度测量的Pyreos薄膜热释电红外（IR）传感器具有极高的响应度、低颤噪和一流的热和电稳定性。这款高性能电流模式传感器的信噪比约为10，000，并在较宽的工作频率范围内提供快速、稳定的响应。传感器元件内置在一个低噪声电路中，该电路具有一个内部CMOS运算放大器和一个10 GΩ反馈电阻，输出的电压信号以供电轨的一半为中心。

InGaAs / P-I-N 10Gb die

美国

分类：光电探测器

厂商：Spectrolab

光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 1310 to 1550 nm 暗电流: 0.1 to 0.2 nA 电容: 0.2 to 0.30 pF

来自Spectrolab的InGaAs/p-I-n 10Gb芯片是一款光学探测器，波长范围为1310至1550 nm，暗电流为0.1至0.2 nA，电容为0.2至0.30 PF，响应度/光敏度为0.90至1 A/W，有效面积直径为25µm.InGaAs/P-I-N 10Gb裸片的更多详情见下文。

DXM12CF

美国

分类：光电探测器

厂商：索雷博

光电二极管材料: GaAs 波长范围: 700 to 870 nm 上升时间: 29 ps 暗电流: 50 nA 响应度/光敏度: 0.6 A/W

Thorlabs Inc的DXM12CF是一款光学探测器，波长范围为700至870 nm，上升时间为29 PS，暗电流为50 nA，响应度/光敏度为0.6 A/W.有关DXM12CF的更多详细信息，请联系我们。

DXM12DF

美国

分类：光电探测器

厂商：索雷博

光电二极管材料: GaAs 波长范围: 700 to 870 nm 上升时间: 29 ps 暗电流: 50 nA 响应度/光敏度: 0.55 A/W

来自Thorlabs Inc的DXM12DF是一款光学探测器，波长范围为700至870 nm，上升时间为29 PS，暗电流为50 nA，响应度/光敏度为0.55 A/W.

DXM25DF

美国

分类：光电探测器

厂商：索雷博

光电二极管材料: GaAs 波长范围: 700 to 870 nm 上升时间: 19 ps 暗电流: 50 nA 响应度/光敏度: 0.45 A/W

Thorlabs Inc的DXM25DF是一款光学探测器，波长范围为700至870 nm，上升时间为19 PS，暗电流为50 nA，响应度/光敏度为0.45 A/W.有关DXM25DF的更多详细信息，请联系我们。

DXM30AF

美国

分类：光电探测器

厂商：索雷博

光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 750 to 1650 nm 上升时间: 15 ps 暗电流: 50 nA 响应度/光敏度: 0.5 to 0.7 A/W

来自Thorlabs Inc的DXM30AF是一款光学探测器，波长范围为750至1650 nm，上升时间为15 PS，暗电流为50 nA，响应度/光敏度为0.5至0.7 A/W.有关DXM30AF的更多详细信息，请联系我们。

DXM30BF

美国

分类：光电探测器

厂商：索雷博

光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 750 to 1650 nm 上升时间: 15 ps 暗电流: 50 nA 响应度/光敏度: 0.45 to 0.6 A/W

来自Thorlabs Inc的DXM30BF是一款光学探测器，波长范围为750至1650 nm，上升时间为15 PS，暗电流为50 nA，响应度/光敏度为0.45至0.6 A/W.

PCI-2TE series红外光电导探测器

波兰

分类：光电探测器

厂商：VIGO Photonics

活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 5.0µm-13.0µm 探测率D*（λpeak, 20kHz）: ≥4.0×1010cm·Hz1/2/W-≥4.0×108cm·Hz1/2/W 探测率D*（λopt, 20kHz）: ≥2.0×1010cm·Hz1/2/W-≥2.3×108cm·Hz1/2/W 电流响应性-光学面积长度乘积Ri(λopt)·LO: ≥3.0A·mm/W-≥0.03A·mm/W

PCI-2TE系列探测器采用了两级热电制冷的红外光电导探测器，基于精密的HgCdTe异质结构，以获得最佳性能和稳定性，并通过光学浸没以提高设备参数。探测器在GaAs透射率限制下（约0.9µm）的最佳波长λopt下进行了优化。

PCI-4TE series红外探测器

波兰

分类：光电探测器

厂商：VIGO Photonics

活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 9.0-14.0 探测率: ≥1.25×1010-≥5.0×108

PCI-4TE系列是基于先进的HgCdTe异质结构，采用四级热电制冷技术的红外光电导探测器，具有最佳性能和稳定性。这些探测器通过光学浸没技术来提升设备参数。探测器针对λopt进行了优化，起始波长受GaAs透过率(~0.9 µm)限制。设备应在最佳偏压和电流读取模式下运行。由于1/f噪声，低频性能有所降低，1/f噪声拐点频率随着截止波长的增加而提高。3°楔形的氧化锌硒抗反射涂层（wZnSeAR）窗口可防止不必要的干扰效应。

PCI-3TE series 红外光电导探测器

波兰

分类：光电探测器

厂商：VIGO Photonics

活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长λopt: 9.0-13.0μm 探测率D*（λpeak, 20kHz）: ≥1.0×1010-≥9.0×108cm·Hz1/2/W 探测率D*（λopt, 20kHz）: ≥6.2×109-≥4.5×108cm·Hz1/2/W 电流响应度-光学面积长度积Ri(λopt)·LO: ≥0.7-≥0.03A·mm/W

PCI-3TE系列是一种基于先进HgCdTe异质结构的三级热电冷却红外光电导探测器，具有最佳性能和稳定性，采用光学浸没技术以改善设备参数。探测器针对λopt最大性能进行了优化，起始波长受GaAs透射率（约0.9μm）限制。设备应在最佳偏压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声，低频性能降低。1/f噪声拐点频率随截止波长的增加而增加。3°楔形ZnSe抗反射涂层窗口可防止不希望的干涉效应。

PC-4TE series红外光电导探测器

波兰

分类：光电探测器

厂商：VIGO Photonics

活性元件材料: 外延HgCdTe异质结构最佳波长λopt: 9.0-14.0µm 探测率D*（λpeak, 20kHz）: ≥1.0×108-≥1.9×109cm·Hz1/2/W 探测率D*（λopt, 20kHz）: ≥6.0×107-≥1.5×109cm·Hz1/2/W 电流响应性-活性面积长度乘积Ri(λopt)·L: ≥0.007-≥0.1A·mm/W

PC-4TE系列是基于先进的HgCdTe异质结构的四级热电制冷红外光电导探测器，具有最佳性能和稳定性。这些设备针对λopt进行了优化，应在最佳偏压和电流读取模式下操作。由于1/f噪声，低频性能降低。1/f噪声角频率随着截止波长的增加而增加。3°楔形的氧化锌硒防反射涂层（wZnSeAR）窗口防止了不必要的干涉效应。

PCI series未冷却红外光电导探测器

波兰

分类：光电探测器

厂商：VIGO Photonics

活性元件材料: epitaxial HgCdTe heterostructure 最佳波长: 5.0/6.0/9.0/10.6 探测率: ≥6.0×109/≥2.5×109/≥5.0×108/≥1.0×108 探测率D*(λopt, 20kHz), cm·Hz1/2/W: ≥4.0×109/≥1.0×109/≥1.0×108/≥8.0×107

PCI系列特点是基于先进的HgCdTe异质结构的未冷却红外光电导探测器，为了改善设备参数而进行光学浸没。探测器针对最大性能进行了优化，适用于λopt。截止波长受到GaAs透射率（约0.9微米）的限制。设备应在最佳偏压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声，低频性能降低。1/f噪声拐角频率随着截止波长的增加而增加。

SWIR FPA InGaAs 探测器

波兰

分类：光电探测器

厂商：VIGO Photonics

暗电流: < 1 nA/cm2 响应度: > 1 A/W @ 1.55 μm 窗口材料: Sapphire

VIGO Photonics S.A. 基于InGaAs/InP的未冷却SWIR光电探测器640x512格式的最先进性能。FPA（焦平面阵列）采用Vigo Photonics S.A.的15微米像素技术，从外延衬底到最终封装的探测器外壳。该SWIR FPA探测器是为独特和苛刻的应用而设计的成本效益高的检测模块。小尺寸使其可以轻松地机械和热集成到目标设备中。平面蓝宝石窗口与被检测的具有精确定义光谱范围的红外源兼容。

MWIR FPA T2SL 红外探测模块

波兰

分类：光电探测器

厂商：VIGO Photonics

冷却红外中波红外探测模块，采用VIGO Photonics S.A. 独特技术，提供640 x 512格式的T2SL基冷却中波红外焦平面阵列，具有可靠的探测性能，适用于苛刻应用。

AM03120-01 非制冷红外检测模块

波兰

分类：光电探测器

厂商：VIGO Photonics

活性元件材料: epitaxial InAsSb heterostructure 活性面积A: 1×1 mm×mm 封装: TO8 接受角Φ: ~48° 窗口: wZnSeAR

AM03120-01是一个“全合一”的非制冷红外检测模块，封装在紧凑的TO8封装中。光伏多结InAsSb探测器元件直接集成低噪声前置放大器。放大后的模拟输出可直接连接到测量设备。可以进行通孔安装。检测模块配备3°楔形硒化锌抗反射镀膜窗（wZnSeAR），防止不必要的干扰效应。最终产品可以作为OEM组件提供（仅带探测器元件的PCB板），安装在TO8子安装架上，或安装并密封在带窗的TO8封装中。

32EM-5系列 32通道检测模块

波兰

分类：光电探测器

厂商：VIGO Photonics

窗口: pAlOAR 接受角Φ: ~70°

32EM-5是一系列32通道检测模块。热电冷却的中波红外32元件HgCdTe光伏探测器与直流耦合32通道跨阻前置放大器集成。具有高灵敏度和高速响应，适用于光谱学、非接触温度测量等应用。

R56-850TB 光接收模块

德国

分类：光电探测器

厂商：VI Systems GmbH

工作波长: 800~1550nm 数据速率: up to 56Gbit/s NRZ 上升时间(20%到80%): ~6ps 最大功耗: 280mW 波长响应: 800~1550nm

R56-850TB光接收模块采用PIN光电探测器和限幅跨阻放大器（TIA），组装在高速适配板上，具有差分电信号输出。该模块通过多模光纤耦合，使用FC/PC连接器输入，设计用于使用NRZ调制的超高速数据通信应用，速率高达56Gbit/s。适用于短距离超高速数据通信应用。

D30-850M 高性能光电探测器模块

德国

分类：光电探测器

厂商：VI Systems GmbH

工作波长: 840~1650nm 3 dB带宽: ≥30GHz 暗电流: <10pA 反向偏压电压: -2到-4V 最大输入功率: 2mW@850nm

D30-850M是一款高性能光电探测器模块，适用于多模光纤耦合，光纤系统测试、研究与开发及VCSEL测试，工作波长范围为840-1650nm，具有高达56 Gbit/s的传输速度。

PDM02-9111-TTL - 光电探测器模块

美国

分类：光电探测器

厂商：ADIT Electron Tubes

有效直径: 22mm 峰值量子效率: 28% 光谱范围: 280 - 600 nm

PDM02-9111-TTL是一款光子计数模块，集成了高灵敏度、低噪声、直径为25mm的光电倍增管、快速放大器-鉴别器和低功率高压电源。高速电子设备和具有低暗计数的快速光电倍增管的组合使得能够实现宽的动态范围。正极性高压电源用于在非常低的亮度水平下实现较大计数速率稳定性，MuMetal*矩形外壳提供高水平的外部磁场抗扰度。PDM02-9111-TTL的光谱范围为280-600nm。其他版本具有更宽的范围，例如PDM02-9111W-TTL，它将UV灵敏度扩展到200nm。22mm的有效感光直径使得入射光的有效收集相对容易，并且将其与20℃下仅100cps的典型暗计数相结合，产生了独特的检测能力。光电倍增管的高电压和鉴别器的阈值电平是预先设置的，以获得较佳性能，只需连接到+5V电源即可实现光子计数操作。固定脉冲宽度TTL输出与ET EnterpriseSMCS-CT3多通道定标器/计数器定时器完全兼容。当一起使用时，根据USB端口电流限制，这些单元可以通过PC USB端口进行控制和供电。

PDM03-9107-USB - 光电探测器模块

美国

分类：光电探测器

厂商：ADIT Electron Tubes

有效直径: 25mm 峰值量子效率: 28% 光谱范围: 280 - 630 nm

PDM03-9107-USB是一种即插即用的光子计数模块，集成了高灵敏度、低噪声、直径为29毫米的光电倍增管、快速计数电子设备和低功率高压电源。计数电子设备包括具有可调阈值的放大器/鉴别器和多通道定标器/计数器定时器，该定时器记录和存储作为时间函数的数据。有三种软件可配置计数模式可供选择：预设通道数、预设总测量周期或连续。高压水平和数据检索由专用应用软件控制。PDM03-9107-USB的光谱范围为280-630nm。其他版本具有更宽的范围，例如PDM03-9107Q-USB，它将UV灵敏度扩展到160nm。25mm的有效感光直径和20°C时通常为100cps的暗计数相结合，产生了独特的检测能力。该模块也非常易于使用，先进的额外要求是具有FreeUSB端口的PC或笔记本电脑。正极性高压电源用于在非常低的光照水平下实现较大计数率稳定性，MuMetal*矩形外壳提供了对外部磁场的高度抗扰性。