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  25 Gbit-s p-i-n光电二极管芯片和光电二极管阵列芯片850纳米

  俄罗斯

  分类：光电探测器

  厂商：Connector Optics LLC

  二极管类型: InGaAs 工作波长: 850nm

  我们的紧凑型、顶部发光、低电容、高速GaAs基p-I-n光电二极管（PD）芯片和PD阵列芯片可作为工程样品提供，非常适合850 nm范围的光数据通信系统、光学互连和一般研发应用。PDS具有一系列光学孔径直径（15至50µm），既可作为单独的芯片，也可作为1×N（N=1，2，4，12）线性阵列，允许与单模或多模BER对准。坚固的PD芯片可以是线或IP芯片键合的。

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  带光电负极的X射线管

  俄罗斯

  分类：光电探测器

  厂商：Electron National Research Institute

  具有冷阴极的X射线管（PRT）使用内置的光电倍增管（PMT）代替传统的阴极作为电子源。X射线由照射到光电倍增管光电阴极上的光来调节。可以使用发光二极管、灯或任何其它光源作为光源。PRT可应用于医学（X射线断层摄影术）、生物学、X射线空间通信、X射线结构和X射线光谱分析设备。

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  FP1-850K光电探测器

  俄罗斯

  分类：光电探测器

  厂商：Inject Enterprise

  二极管类型: Si 工作波长: 810nm

  FP1-850K型光电二极管，光谱灵敏度范围为810-870 nm，通过纤芯直径为50μm的多模光纤将辐射引入人体。它是在硅PIN光电二极管的基础上制成的，用于光纤通信系统、陀螺仪、测量设备和其他领域，作为接收器和将光辐射转换为电信号的转换器。帖子导航