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  • 25 Gbit-s p-i-n光电二极管芯片和光电二极管阵列芯片850纳米 光电探测器
    俄罗斯
    分类:光电探测器
    二极管类型: InGaAs 工作波长: 850nm

    我们的紧凑型、顶部发光、低电容、高速GaAs基p-I-n光电二极管(PD)芯片和PD阵列芯片可作为工程样品提供,非常适合850 nm范围的光数据通信系统、光学互连和一般研发应用。PDS具有一系列光学孔径直径(15至50µm),既可作为单独的芯片,也可作为1×N(N=1,2,4,12)线性阵列,允许与单模或多模BER对准。坚固的PD芯片可以是线或IP芯片键合的。