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PINFET光学接收器模块 光电探测器
精品

PINFET光学接收器模块

分类: 光电探测器

厂家: OSI Laser Diode, Inc.

产地: 美国

更新时间: 2024-08-29 08:51:40

高灵敏度 光学传感 电信 宽动态范围 光学接收器

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概述

OSI激光二极管公司PINFET为需要高灵敏度和的光接收器系统提供了出色的解决方案

参数

  • 二极管类型 / Diode Type : InGaAs
  • 工作波长 / Wavelength Of Operation : 850, 1310, 1550nm

应用

1. 电信线路终端设备 2.中继器 3.光学传感系统

特征

1. 高灵敏度 2. 高过载功率 3. 宽动态范围 4. 850, 1310, 1550nm操作 5. 密封封装 - 行业标准14引脚DIP封装 6. 提供单电源选项,适用于LDFR系列

详述

PINFET Optical Receiver由OSI Laser Diode Inc. 提供,是一种高灵敏度、宽动态范围的光学接收器,适用于电信线路终端设备、中继器和光学传感系统。该产品具有高可靠性,满足Telcordia标准,适用于850nm、1310nm和1550nm波长的操作。其密封封装设计符合行业标准14引脚DIP封装,同时提供单电源选项,适用于LDFR系列。该接收器的带宽范围从4MHz到250MHz,数据速率从6Mb/s到350Mb/s,动态范围最高可达25dB,最小建议灵敏度可达-54dBm。

规格书

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厂家介绍

OSI激光二极管公司(LDI)成立于1967年,为广泛的应用和行业生产较高质量的先进光电产品。我们较先进的制造、先进的产品开发和质量计划,加上我们持续的流程改进,体现了我们的领导、可靠性和诚信原则。

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图片 名称 分类 制造商 参数 描述
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    Newport©IR2™系列是较先进的仪器,适用于困难和苛刻的高温(300°C-3000°C)应用。它非常适合涉及金属、玻璃、半导体等的测量和控制应用。IR2速度极快,精度极高,响应时间为10毫秒,精度为满量程的0.2%。尽管IR2具有非凡的技术先进性和性能,但它也具有令人难以置信的用户友好性和简单的配置。IR2享有5年延长保修。

  • 25 Gbit-s p-i-n Photodiode Chips And Photodiode Array Chips 850 nm 光电探测器 25 Gbit-s p-i-n光电二极管芯片和光电二极管阵列芯片850纳米 光电探测器 Connector Optics LLC

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  • 4, 8, 12, or 16 Element Monolithic Linear Array 光电探测器 4、8、12或16个元素的单片线性阵列 光电探测器 GPD Optoelectronics Corp

    二极管类型: Other 工作波长: 1650nm

    线性阵列

  • AP-15G PbS Detector For 1-3.1µm 光电探测器 AP-15G 用于1-3.1微米的PbS检测器 光电探测器 AP Technologies Ltd

    二极管类型: PbS 工作波长: 1000nm

    A系列单通道红外探测器集成了PBS技术和成熟的制造工艺,可在1至3微米的光谱范围内提供较高灵敏度的探测器。此外,该产品线较大限度地降低了维护成本,并以行业领先的质量、耐用性和可靠性提供可靠的操作。当今许多要求苛刻的应用,包括工业、环境和医疗应用,都需要高性能。A系列红外探测器在更紧密的光谱带中提供更高的灵敏度,满足探测痕量元素、气体、火灾、火焰和排放物的挑战。

  • AP-25G PbS Detector For 1-3.1µm 光电探测器 用于1-3.1微米的AP-25G铅酸蓄电池检测器 光电探测器 AP Technologies Ltd

    二极管类型: PbS 工作波长: 1000nm

    A系列单通道红外探测器集成了PBS技术和成熟的制造工艺,可在1至3微米的光谱范围内提供较高灵敏度的探测器。此外,该产品线较大限度地降低了维护成本,并以行业领先的质量、耐用性和可靠性提供可靠的操作。当今许多要求苛刻的应用,包括工业、环境和医疗应用,都需要高性能。A系列红外探测器在更紧密的光谱带中提供更高的灵敏度,满足探测痕量元素、气体、火灾、火焰和排放物的挑战。

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