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  FDL-780-1W-TAL 用于外腔设置的锥形放大器

  德国

  分类：半导体激光器

  厂商：法兰克福激光公司

  中心波长: 0.780um 输出功率: 1000mW

  GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

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  FDL-780-2W-TA用于MOPA的锥形放大器

  德国

  分类：半导体激光器

  厂商：法兰克福激光公司

  中心波长: 0.780um 输出功率: 2000mW

  GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

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  FDL-780-2W-TAL 用于外腔设置的锥形放大器

  德国

  分类：半导体激光器

  厂商：法兰克福激光公司

  中心波长: 0.780um 输出功率: 2000mW

  GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

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  FDL-785-1W-TA 用于MOPA的锥形放大器

  德国

  分类：半导体激光器

  厂商：法兰克福激光公司

  中心波长: 0.785um 输出功率: 1000mW

  GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近1000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

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  FDL-785-1W-TAL 用于外腔设置的锥形放大器

  德国

  分类：半导体激光器

  厂商：法兰克福激光公司

  中心波长: 0.785um 输出功率: 1000mW

  GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

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  FDL-785-2W-TA用于MOPA的锥形放大器

  德国

  分类：半导体激光器

  厂商：法兰克福激光公司

  中心波长: 0.785um 输出功率: 2000mW

  GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

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  FDL-785-2W-TAL 用于外腔设置的锥形放大器

  德国

  分类：半导体激光器

  厂商：法兰克福激光公司

  中心波长: 0.785um 输出功率: 2000mW

  GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

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  FDL-800-0.5W-TA 用于MOPA的锥形放大器

  德国

  分类：半导体激光器

  厂商：法兰克福激光公司

  中心波长: 0.800um 输出功率: 500mW

  GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近500mW的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

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  FDL-800-0.5W-TAL 锥形放大器，用于外腔设置

  德国

  分类：半导体激光器

  厂商：法兰克福激光公司

  中心波长: 0.800um 输出功率: 500mW

  GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达500mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

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  FDL-850-2W-TA 用于MOPA的锥形放大器

  德国

  分类：半导体激光器

  厂商：法兰克福激光公司

  中心波长: 0.850um 输出功率: 2000mW

  GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

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  FDL-850-2W-TAL

  德国

  分类：半导体激光器

  厂商：法兰克福激光公司

  中心波长: 0.850um 输出功率: 2000mW

  GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

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  FDL-850-3W-TA

  德国

  分类：半导体激光器

  厂商：法兰克福激光公司

  中心波长: 0.850um 输出功率: 3000mW

  GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。在10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近3000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

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  FDL-850-3W-TAL

  德国

  分类：半导体激光器

  厂商：法兰克福激光公司

  中心波长: 0.850um 输出功率: 3000mW

  GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达500mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

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  FDL-860-3W-TA 用于MOPA的锥形放大器

  德国

  分类：半导体激光器

  厂商：法兰克福激光公司

  中心波长: 0.860um 输出功率: 3000mW

  GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。在10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近3000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

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  FDL-860-3W-TAL 锥形放大器，用于外部空腔设置

  德国

  分类：半导体激光器

  厂商：法兰克福激光公司

  中心波长: 0.860um 输出功率: 3000mW

  GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达3000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

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  FDL-870-1.5W-TA 锥形放大器用于MOPA

  德国

  分类：半导体激光器

  厂商：法兰克福激光公司

  中心波长: 0.870um 输出功率: 1500mW

  GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。在10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近1500W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

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  FDL-870-1.5W-TAL 锥形放大器，用于外腔设置

  德国

  分类：半导体激光器

  厂商：法兰克福激光公司

  中心波长: 0.870um 输出功率: 1500mW

  GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达1500mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

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  FDL-890-2W-TA 用于MOPA的锥形放大器

  德国

  分类：半导体激光器

  厂商：法兰克福激光公司

  中心波长: 0.890um 输出功率: 2000mW

  GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

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  FDL-890-2W-TAL 用于外腔设置的锥形放大器

  德国

  分类：半导体激光器

  厂商：法兰克福激光公司

  中心波长: 0.890um 输出功率: 2000mW

  GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

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  FDL-890-3W-TA 用于MOPA的锥形放大器

  德国

  分类：半导体激光器

  厂商：法兰克福激光公司

  中心波长: 0.890um 输出功率: 3000mW

  GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。在10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近3000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。