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  SFH 3400

  奥地利

  分类：光电晶体管

  厂商：ams OSRAM

  材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN 集电极发射极电压（击穿）: 20 to 70 V

  欧司朗的SFH 3400是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为20至70 V，集电极暗电流为3至10 nA，集电极发射极电压（饱和）为170 MV，发射极集电极电压（击穿）为7 V，功耗为120 MW.有关SFH 3400的更多详细信息，请联系我们。

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  SFH 3600

  奥地利

  分类：光电晶体管

  厂商：ams OSRAM

  材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN 集电极发射极电压（击穿）: 35 V

  欧司朗的SFH 3600是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）35 V，集电极暗电流1至50 nA，集电极发射极电压（饱和）150 MV，发射极集电极电压（击穿）7 V，功耗130 MW.有关SFH 3600的更多详细信息，请联系我们。

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  SFH 3605

  奥地利

  分类：光电晶体管

  厂商：ams OSRAM

  材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN 集电极发射极电压（击穿）: 35 V

  OSRAM的SFH 3605是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）35 V，集电极暗电流1至50 nA，集电极发射极电压（饱和）150 MV，发射极集电极电压（击穿）7 V，功耗130 MW.有关SFH 3605的更多详细信息，请联系我们。

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  AA3528P3S

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：kingbrightusa

  材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

  KingbrightUSA的AA3528P3S是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.2至0.4 mA，功耗100 MW.有关AA3528P3S的更多详细信息，请联系我们。

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  AM4457P3C

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：kingbrightusa

  材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

  来自KingbrightUSA的AM4457P3C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.35至0.8 mA，功耗为100 MW.有关AM4457P3C的更多详细信息，请联系我们。

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  AP1608P1C

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：kingbrightusa

  材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

  KingbrightUSA的AP1608P1C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.1至0.3 mA，功耗100 MW.有关AP1608P1C的更多详细信息，请联系我们。

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  AP2012P3C

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：kingbrightusa

  材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

  KingbrightUSA的AP2012P3C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.2至0.4 mA，功耗100 MW.有关AP2012P3C的更多详细信息，请联系我们。

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  APA3010P3BT-GX

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：kingbrightusa

  材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

  KingbrightUSA的APA3010P3BT-GX是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.1至0.3 mA，功耗100 MW.有关APA3010P3BT-GX的更多详细信息，请联系我们。

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  APT2012P3BT

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：kingbrightusa

  材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

  KingbrightUSA的APT2012P3BT是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.1至0.3 mA，功耗100 MW.有关APT2012P3BT的更多详细信息，请联系我们。

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  KP-2012P3C

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：kingbrightusa

  材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

  KingbrightUSA的KP-2012P3C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.8 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.2至0.4 mA.有关KP-2012P3C的更多详细信息，请联系我们。

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  KP-3216P3C

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：kingbrightusa

  材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

  来自KingbrightUSA的KP-3216P3C是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.8 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.2至0.4 mA.有关KP-3216P3C的更多详细信息，请联系我们。

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  KPA-3010P3C

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：kingbrightusa

  材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

  来自KingbrightUSA的kPa-3010P3C是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.8 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.2至0.4 mA.有关kPa-3010P3C的更多详细信息，请联系我们。

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  L-3DP3BT

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：kingbrightusa

  材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

  KingbrightUSA的L-3DP3BT是一种光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.8 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.1至0.2 mA.有关L-3DP3BT的更多详细信息，请联系我们。

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  L-7113P3C

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：kingbrightusa

  材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

  来自KingbrightUSA的L-7113P3C是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.8 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.5至2.5 mA.有关L-7113P3C的更多详细信息，请联系我们。

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  WP3DP3BT

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：kingbrightusa

  材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

  KingbrightUSA的WP3DP3BT是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.1至0.2 mA，功耗100 MW.有关WP3DP3BT的更多详细信息，请联系我们。

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  WP7113P3BT

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：kingbrightusa

  材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

  KingbrightUSA的WP7113P3BT是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.7至3 mA，功耗100 MW.有关WP7113P3BT的更多详细信息，请联系我们。

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  WP7113P3C

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：kingbrightusa

  材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes

  KingbrightUSA的WP7113P3C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.5至2.5 mA，功耗100 MW.有关WP7113P3C的更多详细信息，请联系我们。

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  KPT081M31

  日本

  分类：光电晶体管

  厂商：Kyosemi Opto America Corp

  安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN 集电极发射极电压（击穿）: 20 V 集电极暗电流: 5 to 200 nA

  Kyoto Semiconductors的KPT081M31是一款NPN Si光电晶体管，其敏感波长为800 nm.它的敏感面积为0.64 X 0.64 mm2，产生的光电流为7 mA.该光电晶体管的半角为60度，上升/下降时间为5μs，暗电流高达200 nA.它的最小电流放大系数为600，最大集电极-发射极饱和电压为0.4 V.该光电晶体管采用透明环氧树脂模制封装，尺寸为Ø3.8 X 30.3 mm，非常适合光学开关、光学编码器、光电隔离器、相机频闪仪、红外传感器和自动控制设备应用。

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  1024-LDH2 92 KHz InGaAs线扫描相机

  美国

  分类：科学和工业相机

  厂商：Sensors Unlimited

  相机类型: Industrial, Scientific 阵列类型: InGaAs 光谱带: 0.8 - 1.7 um # 像素（高度）: 1024 # 像素（宽度）: 1

  1024-LDH2是第二代高速1024像素线扫描InGaAs相机，可将A线速率提高到每秒91，911线。这使得1.04μm的频域光学相干断层扫描（SDOCT）能够在眨眼之间捕获视网膜、神经头和脉络膜的详细三维体积。对于1.31μm SD-Oct，基于二极管阵列的Oct系统为多普勒或偏振敏感Oct提供了优越的相位稳定性。LDH2为基本格式的Camera Link®接口卡提供12位数字捕捉，同时为高线路速率提供高达2300：1的较大动态范围。有两种像素孔径可供选择：500μm高像素，便于在SD-Oct系统中对准；或25μm方形像素，用于超快速机器视觉或双摄像头PS-Oct。

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  1024-LDM InGaAs线扫描相机

  美国

  分类：科学和工业相机

  厂商：Sensors Unlimited

  相机类型: Industrial, Scientific 阵列类型: InGaAs 光谱带: 0.8 - 1.7 um # 像素（高度）: 1024 # 像素（宽度）: 1

  1024-LDM型相机是一款高速1024像素线扫描InGaAs相机，用于通过硅片、硅块或硅锭进行高分辨率成像。它会发现诸如未对准、遮挡、夹杂物或裂纹等问题；在进一步处理IC或太阳能电池的费用之前。自由下落的熔融玻璃块、农业原材料或药物混合物的高速成像也得益于相机高达45，956 LPS的灵活线速。深度仅为2.4英寸，机械设计使系统集成商能够灵活地将摄像机安装在其检测机器内。LDM为基本格式的Camera Link®接口卡提供14位数字捕捉，同时提供高达4500：1的动态范围。光刻掩模清晰地定义了阵列的25µm孔径，确保了高时间和空间分辨率；另一种500µm像素高度以时间分辨率换取光致发光成像灵敏度的提高。