APA3010P3BT-GX

分类：光电晶体管

厂家： kingbrightusa

产地：美国

型号： APA3010P3BT-GX

更新时间： 2024-08-25 18:44:35

简介：

3.0 x 1.0mm RA. NPN Phototransistor Chips

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概述

KingbrightUSA的APA3010P3BT-GX是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.1至0.3 mA，功耗100 MW.有关APA3010P3BT-GX的更多详细信息，请联系我们。

参数

材料 / Material : Silicon
安装类型 / Mounting Type : Surface Mount
光电晶体管型 / Phototransistor Type : Phototransistor
极性 / Polarity : NPN
RoHS / RoHs : Yes
集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 30 V
集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 100 nA
发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 5 V
导通状态集电极电流 / On-State Collector Current : 0.1 to 0.3 mA
波长（光谱灵敏度） / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 670 to 1070 nm

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Kingbright是一家台湾LED解决方案提供商，拥有40多年的专业知识、创新和协作经验。我们始终追求卓越，在可见和不可见光谱中制造较全面、较可靠和较高质量的LED，以满足全球客户在所有行业的各种工程需求。我们致力于技术创新和质量卓越，通过我们在美国、欧洲和亚洲各地的销售办事处和仓库的卓越支持，确保产品的持续改进和客户满意度。

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