光电查为您提供5913个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。

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  FCI-InGaAs-XXM系列光电探测器阵列

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：OSI Optoelectronics

  有效面积直径: 75µm, Pitch:250µm 响应度: Typ. 0.95A/W @1550nm 电容: Typ. 0.65pF 暗电流: Typ. 0.03nA 最大反向电压: 20V

  FCI-InGaAs-XXM系列包含4, 8, 12和16通道的高速红外敏感光电探测器阵列。每个元件覆有抗反射涂层，能够在1100nm到1620nm的波长范围内实现高响应度，支持2.5Gbps的数据传输速率。这些探测器标配环绕式陶瓷基座，适用于基于标准250mm间距光纤带的多通道光纤应用。此外，500mm的板级接触点使其能够轻松连接到电路中。

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  FCI-InGaAs-XXX-WCER 高速InGaAs光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：OSI Optoelectronics

  储存温度: -40 to +85 °C 工作温度: 0 to +70 °C 焊接温度: --- to +260 °C 活动区域直径: 75µm to 500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80 to 0.90 A/W

  FCI-InGaAs-XXX-WCER高速InGaAs光电二极管，安装在环绕式陶瓷基板上。这些紧凑的组件设计用于便于集成。芯片可以用环氧树脂或共晶安装在陶瓷基板上。适用于高速光通信和激光二极管监控，具有900nm到1700nm的宽光谱响应范围。

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  FCI-InGaAs-XXX-ACER 高速InGaAs光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：OSI Optoelectronics

  储存温度: -40 to +85°C 工作温度: 0 to +70°C 焊接温度: up to +260°C 活动区域直径: 75µm to 500µm 响应度(1310nm): 0.80 to 0.90 A/W

  FCI-InGaAs-XXX-ACER高速InGaAs光电二极管安装在楔形陶瓷封装上，适用于高速光通信等应用，为高速光通信、千兆以太网等应用提供高响应度和低噪声解决方案。

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  FCI-InGaAs-XXX-LCER 高速InGaAs光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：OSI Optoelectronics

  储存温度: -40°C - +85°C 工作温度: 0°C - +70°C 焊接温度: --- - +260°C 活动区域直径: 75µm - 500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80A/W - 0.90A/W

  FCI-InGaAs-XXX-LCER是OSI Optoelectronics提供的高速InGaAs光电二极管，适用于高速光通信和激光二极管监测。FCI-InGaAs-XXX-LCER高速InGaAs光电二极管，安装在带引线的陶瓷封装上。

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  FCI-InGaAs-XXX-CCER 高速InGaAs光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：OSI Optoelectronics

  储存温度: -40-+85°C 工作温度: 0-+70°C 焊接温度: ----+260°C 活动区域直径: 75-500µm 响应度(λ=1310nm): 0.80-0.90A/W

  FCI-InGaAs-XXX-CCER高速InGaAs光电二极管安装在带玻璃窗的空腔陶瓷封装上。这些设备具有玻璃窗，可以直接将光纤环氧树脂安装上去。芯片可以环氧树脂或者熔融焊接安装在陶瓷基板上。这些设备可以提供定制的抗反射涂层窗口。FCI-InGaAs-XXX-CCER高速InGaAs光电二极管适用于高速光通信和激光二极管监控，具有高响应度和900nm至1700nm的宽光谱范围。

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  FCI-InGaAs-XX-XX-XX 高速InGaAs光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：OSI Optoelectronics

  储存温度: -20°C to +90°C 工作温度: 0°C to +75°C 活动区域直径: 75µm to 120µm 响应度(λ=1310nm): 0.75A/W to 0.90A/W 响应度(λ=1550nm): 0.80A/W to 0.95A/W

  FCI-InGaAs系列高速InGaAs光电二极管带有尾纤封装，具有75微米和120微米的活动区域，适用于高速红外灵敏探测器。产品可以与单模/多模光纤光学对准，并配备TO-46透镜盖封装或直接安装在陶瓷基板上的InGaAs二极管。

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  FCI-H125/250G-GaAs-100系列高速GaAs光电探测器

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：OSI Optoelectronics

  储存温度: -40~+125°C 工作温度: 0~+75°C 供电电压: 0~+6V 输入光功率: ---~+5dBm 供电电压: +3~+5.5V

  FCI-H125/250G-GaAs-100 series是一款集成了高速GaAs光电探测器和宽动态范围跨阻放大器的紧凑型产品。该系列产品采用100µm的活动区尺寸，封装在4针TO-46或TO-52封装中，为高速信号放大提供了理想条件。

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  10 GHz高功率光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：APIC Corporation

  波长范围: 1530-1620nm 响应度: 0.5-0.7A/W 射频带宽: 10.5-13GHz 光电二极管偏压: -3-5V 光饱和功率: 19dBm

  这款产品是一个封装好的InGaAs光电二极管，针对高光输入功率和输出电流线性进行了优化。设计用于RF光纤链路和其他需要高动态范围、低噪声指数和高RF增益的应用。APIC Corporation的10 GHz High Power, High Linearity Photodiode适用于高增益、高动态范围和低噪声指数的RF光纤互连，以及恶劣环境下的微波光子学应用。

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  20 GHz高功率、高线性光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：APIC Corporation

  波长范围: 1530-1620nm 响应度: 0.7-0.8A/W 偏振相关损耗: 0.2-0.3dB 光饱和功率: 17dBm 射频带宽: 15-20GHz

  20 GHz高功率、高线性光电二极管专为RF光纤链路设计，提供高动态范围、低噪声指数和高RF信号吞吐量。这是一款封装的InGaAs光电二极管（PD），针对高光输入功率、输出电流线性和足够的带宽优化，适用于高达20 GHz的RF频率。设计用于需要高动态范围、低噪声指数和高RF信号吞吐量的RF光纤链路。

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  40 GHz高功率高线性光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂商：APIC Corporation

  波长范围: 1530-1620nm 响应度: 0.55-0.65A/W 偏振相关损耗: 0.2-0.3dB 饱和光功率: 14dBm 射频带宽: 35-40GHz

  APIC Corporation的40 GHz高功率高线性光电二极管适用于要求高增益、高动态范围的RF over fiber通信链路和恶劣环境下的光通信链路。这是一款封装好的InGaAs光电二极管（PD），针对高光输入功率、输出电流线性和足够的带宽进行了优化，以在高达40 GHz的RF频率下运行。该PD设计用于需要高动态范围、低噪声指数和在更高频率下的高RF信号吞吐量的RF over fiber链路。

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  AM2520P3C03

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：kingbrightusa

  KingbrightUSA的AM2520P3C03是一款LED，工作温度为-40至85摄氏度，存储温度为-40至85摄氏度。有关AM2520P3C03的更多详细信息，请联系我们。

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  APL3015P3C

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：kingbrightusa

  KingbrightUSA的APL3015P3C是一款LED，工作温度为-40至85摄氏度，存储温度为-40至85摄氏度。有关APL3015P3C的更多详细信息，请联系我们。

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  BPV11

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：Vishay Intertechnology

  材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

  Vishay Intertechnology的BPV11是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为70 V，集电极暗电流为1至50 nA，集电极发射极电压（饱和）为130至300 MV，功耗为150 MW，波长（光谱灵敏度）为450至1080 nm.有关BPV11的更多详细信息，请联系我们。

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  BPV11F

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：Vishay Intertechnology

  材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

  Vishay Intertechnology的BPV11F是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为70 V，集电极暗电流为1至50 nA，功耗为150 MW，波长（光谱灵敏度）为900至980 nm.有关BPV11F的更多详细信息，请联系我们。

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  BPW76A

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：Vishay Intertechnology

  材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

  Vishay Intertechnology的BPW76A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.15至0.3 V，功耗250 MW，波长（光谱灵敏度）450至1080 nm.有关BPW76A的更多详细信息，请联系我们。

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  BPW76B

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：Vishay Intertechnology

  材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

  Vishay Intertechnology的BPW76B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.15至0.3 V，功耗250 MW，波长（光谱灵敏度）450至1080 nm.有关BPW76B的更多详细信息，请联系我们。

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  BPW85

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：Vishay Intertechnology

  材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

  Vishay Intertechnology的BPW85是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关BPW85的更多详细信息，请联系我们。

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  BPW85A

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：Vishay Intertechnology

  材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

  Vishay Intertechnology的BPW85A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关BPW85A的更多详细信息，请联系我们。

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  BPW85B

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：Vishay Intertechnology

  材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

  Vishay Intertechnology的BPW85B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关BPW85B的更多详细信息，请联系我们。

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  BPW85C

  美国

  分类：光电晶体管

  厂商：Vishay Intertechnology

  材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

  Vishay Intertechnology的BPW85C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关BPW85C的更多详细信息，请联系我们。