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QLF101A-AH 激光器 发光二极管

QLF101A-AH 激光器

分类: 发光二极管

厂家: AP Technologies Ltd

产地: 英国

型号: QLF101A-AH

更新时间: 2024-12-27 14:40:01

激光器 光电技术 光源 增益芯片 可调激光

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概述

QLF101A-AH 是一款适用于宽带可调光源的1060-nm增益芯片。

参数

  • 光输出功率 / Optical Output Power : 80 mW
  • LD正向电流 / LD Forward Current : 250 mA
  • 激光二极管反向电压 / LD Reverse Voltage : 2 V
  • 储存温度 / Storage Temperature : -40 to 85 °C
  • 焊接温度(<1.5s) / Soldering Temperature (<1.5s) : 390 °C
  • 中心波长 / Center Wavelength : 1040 1060 1080 nm
  • 光带宽@3dB / Optical Bandwidth@3dB : 25 30 - nm
  • 增益波动(RMS) / Gain Ripple (RMS) : - TBD - dB
  • ASE功率(角面) / ASE Power (Angled Facet) : - 35 - mW
  • 工作电流 / Operation Current : 100 180 mA
  • 工作电压 / Operation Voltage : 1.7 2.2 V
  • 光束发散角(FWHM) / Beam Divergence (FWHM) : - 15 - deg.
  • 角面反射率 / Facet Reflectance (Angled Facet) : - 0.01 - %
  • 法面反射率 / Facet Reflectance (Normal Facet) : - 90 - %
  • 使用温度範囲 / Operation Temperature : - 20 - 30 °C

应用

1. 可调外腔激光器 2. 宽带光源

特征

1. 宽调谐带 2. 低面反射率,采用角面结构 3. AR-HR涂层

详述

QLF101A-AH是一款高性能的1060-nm增益芯片,专为宽带可调光源设计,广泛应用于可调外腔激光器和宽带光源。其具有宽调谐带,能够满足不同光谱需求,同时低面反射率的设计使其在激光应用中表现出色。该芯片的工作电流范围为100到180 mA,工作温度范围为-20到30 °C,确保其在各种环境下的稳定性和可靠性。此外,QLF101A-AH遵循RoHS标准,符合环保要求,是现代光电应用的理想选择。无论是在科研还是工业应用中,该增益芯片都能提供优异的性能和灵活性。选择QLF101A-AH,您将获得高效、可靠的光电解决方案。

图片集

QLF101A-AH图1
QLF101A-AH图2
QLF101A-AH图3

规格书

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厂家介绍

AP Technologies很高兴在2022年庆祝为英国光电界服务20周年。我们为许多应用提供广泛的#高端#产品,包括工业、科学、军事、医疗以及危险和威胁检测。

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