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IRX系列CdTe普克尔盒
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工业应用 激光器 光学元件 医用设备 Pockels Cell CdTe
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概述
IRX Pockels Cell系列是G&H的优质产品，专为满足10.6μm波长的Q开关CO2激光市场而设计，具有高达100 kHz的重复频率和大于500:1的内在和电压对比度。
参数
- 硬光圈直径 / Hard Aperture Diameter : 3 mm / 4 mm / 5 mm / 7 mm / 9 mm
- 单次插入损耗@1064nm / Single Pass Insertion Loss : < 2.0%
- 内在对比率@1064nm / Intrinsic Contrast Ratio : > 500:1
- 电压对比率@1064nm / Voltage Contrast Ratio : > 500:1
- 单次失真@1064nm / Single Pass Distortion : < λ/4
- 电容 / Capacitance : ~ 6 pF
- 直流四分之一波电压 / DC Quarter Wave Voltage : 2 kV / 2.5 kV / 3 kV / 3.5 kV / 4.5 kV
- 10-90%上升时间(理论值)进入50Ω线路 / 10-90% Rise Time : ~ 0.3 ns
- 调制频率 / Modulation Frequency : < 100 kHz
- 占空比 / Duty Cycle : < 10%
- 激光损伤阈值（LIDT） / Laser Damage Threshold (LIDT) : > 2.3 J/cm²
- 工作温度范围 / Operating Temperature Range : +15°C to +35°C
- 湿度 / Humidity : < 85% RH (non-condensing)
- 存储温度范围 / Storage Temperature Range : -50°C to +85°C
应用
1. CO2激光的Q开关 2. 医疗用途（如手术、美容） 3. 工业切割和焊接 4. 军事防御（如LIDAR） 5. 半导体制造
特征
1. 非吸湿性CdTe晶体，具有高电光系数和低光学吸收 2. 操作波长范围为7μm – 12μm，重复频率可达100 kHz 3. 可选择的光圈范围为3 – 9 mm 4. 内在对比度和电压对比度均大于500:1 5. 在10.6μm处透过波前失真小于λ/4 6. LIDT > 2.3 J/cm² (2.94μm, 100 ns, 2 Hz)
详述
IRX系列CdTe Pockels Cell是G&H公司专为高性能激光应用设计的光电组件，涵盖了宽广的波长范围，特别适用于Q开关CO2激光系统。该系列产品采用高质量的镉碲化物（CdTe）晶体，具有优越的电光特性和低光学吸收，确保在高重复频率下的稳定性能。IRX Pockels Cell系列在医疗、工业及军事防御等多个领域均有广泛应用，能够满足现代激光技术的需求。其产品设计不仅关注性能，还考虑了使用寿命，通过独特的结构设计保护CdTe晶体，确保长时间稳定运行。IRX系列提供多种型号以适应不同应用场景，用户可根据需求选择合适的光圈和电压配置。无论是在医疗手术、工业切割还是军事激光探测，IRX系列产品都能提供可靠的解决方案。
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厂家介绍
G&H是一家总部位于英国伊利诺萨默塞特的光子技术公司，在美国和欧洲都有业务。我们与世界各地的OEM客户合作，提供经常部署在恶劣环境中的光学系统、组件和部件。我们的工程技术正在推动许多应用领域和市场的创新和变革。
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图片
名称
分类
制造商
参数
描述
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BBO Pockles Cell
电光调制器(EOM)
晶众光电
孔径: 3.6mm 峰值光功率密度: 600MW/cm^2 波长范围: 190 - 3500 nm
BBO普克尔盒BBO电光晶体的普克尔盒用于改变通过它的光的偏振态，当电压施加到BBO电光晶体的电极上时。典型的应用包括激光腔的Q开关、激光腔倒空和将光耦合到再生放大器中。低压电振铃使得BBO普克尔盒对于高功率和高重复率激光器的控制具有吸引力。与电池适当匹配的快速开关电子驱动器可用于Q开关、腔倒空和其他应用。BBO普克尔盒是横向场器件。四分之一波电压与电极间距和晶体长度的比例成正比，因此，较小的孔径，较低的四分之一波电压，此外，具有较低四分之一波电压的双晶体设计被广泛用于工作在具有快速开关时间的半波模式。优点-紧凑的尺寸-低吸收-较小压电环-
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CRYSTECH DKDP Pockels Cell
电光调制器(EOM)
CRYSTECH Inc.
孔径: 3-30mm 峰值光功率密度: 1000MW/cm^2 波长范围: 400 - 1200 nm
KD*P（磷酸二氘钾）由于其优异的电光特性而成为电光应用中较广泛使用的材料，当施加的电压引起晶体中的双折射变化时，诸如KD*P的电光材料可以改变通过它的光的偏振状态，当与偏振器结合使用时，KD*P普克尔盒可用作产生激光脉冲的光学Q开关。KD*P用于从UV到约1.1µm的应用，其中吸收限制了其在有源腔中的使用，尽管当可以容忍几个百分点的吸收时，它可以在更长的波长下使用。
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CRYSTECH RTP Q-开关
电光调制器(EOM)
CRYSTECH Inc.
孔径: 2-8mm 峰值光功率密度: 600MW/cm^2 波长范围: 500 - 3000 nm
RTP（磷酸钛氧铷-RbTiOPO4）是电光调制器和Q开关非常理想的晶体材料。由于它的自然双折射，它总是成对工作，仔细匹配以补偿双折射。激光沿X轴或y轴传播，沿输入面的对角线偏振，并在第二晶体中旋转90°。然后，先进晶体中的慢射线变成第二晶体中的快射线，因此理论上在晶体对中消除了总的静态双折射。RTP较适合于中等平均功率的激光源，其中高重复率和短Q开关脉冲长度比高平均功率更重要。
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DKDP Pockles Cell
电光调制器(EOM)
晶众光电
孔径: 50mm 峰值光功率密度: 700MW/cm^2 波长范围: 300 - 1100 nm
DKDP普克尔盒DKDP电光Q开关（Q-Switch，Pockels Cell）因其独特的物理特性和优良的光学质量而被广泛应用于大口径、高功率、窄脉冲（1Ons）激光系统中，DKDP晶体是一种具有优良光学质量的单轴晶体，其消光比为2000：1（使用632 nm He-Ne激光器测量），波前畸变为98%。DKDP电光调Q电容小（约3-5pF），因此上升时间短（0.5ns），调Q时可输出窄脉宽的脉冲激光，与市场上广泛使用的电光晶体相比，具有更高的损伤阈值；在10ns脉宽、1064nm波长和10Hz重复频率的光学条件下，损伤阈值为1GW/cm2。优点-波前失真：低电容-上升时间短：~3pF-高透光率：98%-高损伤阈值：1GW/cm2-无静态双折射，无光折变损伤-抗反射涂层石英窗-耐环境温度冲击和优异的电光性能
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DKDP Q-Switch Pockels Cells
电光调制器(EOM)
济南智和弘盛光电科技有限公司
孔径: 19mm 峰值光功率密度: 500MW/cm^2 波长范围: 240 - 1400 nm
定制普克尔盒
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