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IMPACT系列KD*P普克尔盒 电光调制器(EOM)
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IMPACT系列KD*P普克尔盒

分类: 电光调制器(EOM)

厂家: Gandh

产地: 美国

型号: IMPACT SERIES KD*P Pockels Cell

更新时间: 2024-12-10 10:11:54

激光器 OEM应用 光电设备 高电压 Pockels电池

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概述

IMPACT系列KD*P Pockels电池是OEM应用的理想选择,采用最高纯度的99%去uterated KD*P材料,性能卓越。

参数

  • 孔径 / Aperture Diameter : 8mm/9.25mm/10mm/13mm
  • 单次插入损耗@1064nm / Single Pass Insertion Loss : <1.0%
  • 内在对比率@1064nm / Intrinsic Contrast Ratio : >4000:1
  • 电压对比率@1064nm / Voltage Contrast Ratio : >3500:1
  • 单次失真@1064nm / Single Pass Distortion : <λ/10
  • 电容(DC) / Capacitance (DC) : 6pF
  • DC四分之一波电压@1064nm / DC Quarter Wave Voltage : 3.5kV
  • 10-90%上升时间(理论值)进入50Ω线路 / 10-90% Rise Time : 0.8ns/0.9ns/1.1ns
  • 调制频率 / Modulation Frequency : <1kHz
  • 占空比 / Duty Cycle : <5%
  • 激光损伤阈值(LIDT) / Laser Damage Threshold : >10J/cm²
  • 工作条件-温度范围 / Operating Conditions - Temperature Range : +15C to +35C
  • 工作条件-湿度 / Operating Conditions - Humidity : <85% RH
  • 存储条件-温度范围 / Storage Conditions - Temperature Range : -50C to +85C

应用

1. Q开关 2. 脉冲选择 3. 衰减 4. 功率控制

特征

1. 最高纯度的KD*P,99% 2. 低损耗KD*P晶体0.4%@1064nm 3. 内在对比率>4000:1 4. 电压对比率>3500:1 5. <λ/10传输波前失真 6. 激光损伤阈值>10J/cm² 7. 高电压连接器提供快速连接

详述

IMPACT系列KD*P Pockels电池是一款专为OEM应用设计的高性能光电设备,利用99%去uterated KD*P材料,提供卓越的激光调制性能。其高损伤阈值和低插入损耗使其在各种高电压应用中表现出色。该系列电池具有多种型号可供选择,能够满足不同客户的需求。无论是在Q开关、脉冲选择还是功率控制等应用中,IMPACT系列都能提供稳定可靠的性能。其优质的制造工艺和严格的质量控制确保了每一台产品的高标准和长寿命。适合多种激光器和光学系统的集成,是光电行业中的理想选择。

图片集

IMPACT SERIES KD*P Pockels Cell  图1
IMPACT SERIES KD*P Pockels Cell  图2

规格书

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厂家介绍

G&H是一家总部位于英国伊利诺萨默塞特的光子技术公司,在美国和欧洲都有业务。我们与世界各地的OEM客户合作,提供经常部署在恶劣环境中的光学系统、组件和部件。我们的工程技术正在推动许多应用领域和市场的创新和变革。

相关产品

图片 名称 分类 制造商 参数 描述
  • BBO Pockles Cell 电光调制器(EOM) BBO Pockles Cell 电光调制器(EOM) 晶众光电

    孔径: 3.6mm 峰值光功率密度: 600MW/cm^2 波长范围: 190 - 3500 nm

    BBO普克尔盒BBO电光晶体的普克尔盒用于改变通过它的光的偏振态,当电压施加到BBO电光晶体的电极上时。典型的应用包括激光腔的Q开关、激光腔倒空和将光耦合到再生放大器中。低压电振铃使得BBO普克尔盒对于高功率和高重复率激光器的控制具有吸引力。与电池适当匹配的快速开关电子驱动器可用于Q开关、腔倒空和其他应用。BBO普克尔盒是横向场器件。四分之一波电压与电极间距和晶体长度的比例成正比,因此,较小的孔径,较低的四分之一波电压,此外,具有较低四分之一波电压的双晶体设计被广泛用于工作在具有快速开关时间的半波模式。优点-紧凑的尺寸-低吸收-较小压电环-

  • CRYSTECH DKDP Pockels Cell 电光调制器(EOM) CRYSTECH DKDP Pockels Cell 电光调制器(EOM) CRYSTECH Inc.

    孔径: 3-30mm 峰值光功率密度: 1000MW/cm^2 波长范围: 400 - 1200 nm

    KD*P(磷酸二氘钾)由于其优异的电光特性而成为电光应用中较广泛使用的材料,当施加的电压引起晶体中的双折射变化时,诸如KD*P的电光材料可以改变通过它的光的偏振状态,当与偏振器结合使用时,KD*P普克尔盒可用作产生激光脉冲的光学Q开关。KD*P用于从UV到约1.1µm的应用,其中吸收限制了其在有源腔中的使用,尽管当可以容忍几个百分点的吸收时,它可以在更长的波长下使用。

  • CRYSTECH  RTP Q-switch 电光调制器(EOM) CRYSTECH RTP Q-开关 电光调制器(EOM) CRYSTECH Inc.

    孔径: 2-8mm 峰值光功率密度: 600MW/cm^2 波长范围: 500 - 3000 nm

    RTP(磷酸钛氧铷-RbTiOPO4)是电光调制器和Q开关非常理想的晶体材料。由于它的自然双折射,它总是成对工作,仔细匹配以补偿双折射。激光沿X轴或y轴传播,沿输入面的对角线偏振,并在第二晶体中旋转90°。然后,先进晶体中的慢射线变成第二晶体中的快射线,因此理论上在晶体对中消除了总的静态双折射。RTP较适合于中等平均功率的激光源,其中高重复率和短Q开关脉冲长度比高平均功率更重要。

  • DKDP Pockles Cell 电光调制器(EOM) DKDP Pockles Cell 电光调制器(EOM) 晶众光电

    孔径: 50mm 峰值光功率密度: 700MW/cm^2 波长范围: 300 - 1100 nm

    DKDP普克尔盒DKDP电光Q开关(Q-Switch,Pockels Cell)因其独特的物理特性和优良的光学质量而被广泛应用于大口径、高功率、窄脉冲(1Ons)激光系统中,DKDP晶体是一种具有优良光学质量的单轴晶体,其消光比为2000:1(使用632 nm He-Ne激光器测量),波前畸变为98%。DKDP电光调Q电容小(约3-5pF),因此上升时间短(0.5ns),调Q时可输出窄脉宽的脉冲激光,与市场上广泛使用的电光晶体相比,具有更高的损伤阈值;在10ns脉宽、1064nm波长和10Hz重复频率的光学条件下,损伤阈值为1GW/cm2。优点-波前失真:低电容-上升时间短:~3pF-高透光率:98%-高损伤阈值:1GW/cm2-无静态双折射,无光折变损伤-抗反射涂层石英窗-耐环境温度冲击和优异的电光性能

  • DKDP Q-Switch Pockels Cells 电光调制器(EOM) DKDP Q-Switch Pockels Cells 电光调制器(EOM) 济南智和弘盛光电科技有限公司

    孔径: 19mm 峰值光功率密度: 500MW/cm^2 波长范围: 240 - 1400 nm

    定制普克尔盒

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