研究人员开发了一种3D全彩显示方法,该方法使用智能手机屏幕而不是激光来创建全息图像。随着进一步的发展,这种新方法可以用于增强现实或虚拟现实显示。
IMP-785-0.5-PM 强度调制器
模拟调制 高功率处理 研究与开发 强度调制器 高频通信 量子光子学
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概述
参数
- 最大输入光功率 / Maximum Input Optical Power : 7 mW min., 10 mW typ.
- 工作波长 / Operating Wavelength : 785 +/-20 nm
- 啁啾值 / Chirp Value : < ±0.2 (zero chirp design)
- 插入损耗 / Insertion Loss : 4.0 dB typ., 4.5 dB max.
- 消光比 / Extinction Ratio : ≥ 20 dB min
- 光反射损耗 / Optical Return Loss : ≤ -45 dB
- S21带宽 (射频端口) / S21 Bandwidth (RF Port) : 300 MHz typ.
- Vπ(RF端口) / Vπ(RF Port) : 2.5 V typ., 2.8 V max. @ 1 kHz
- 工作温度(标准) / Operating Temperature (Standard) : -10 °C to +55 °C
- 储存温度 / Storage Temperature : -30 °C to +80 °C
- 工作湿度 / Operating Humidity : 0% to 90% Relative Humidity
- 输入/输出光纤类型 / Input/Output Fiber Type : Corning PM85-U40D
- 输入/输出连接器 / Input/Output Connector : FC/APC
- 材料 / Material : LiNb03
- 晶体取向 / Crystal Orientation : X-cut, Y-propagating
- 波导工艺 / Waveguide Process : Annealed Proton Exchange
- RF端口连接器 / RF Port Connectors : GPO male
- 缆线 / Cabling : 900 μm tubing
- 外形尺寸 / Dimensions : 2.56” x 0.45” x 0.19”
应用
1. 模拟调制 2. 量子光子学 3. 脉冲产生 4. 主动模式锁定激光 5. 研究与开发
特征
1. 优异的偏置电路稳定性 2. 低插入损耗,低Vpi 3. 维持偏振输出 4. 高输入功率处理能力 5. 785 nm操作波长 6. 块状电极设计
详述
Optilab的IMP-785-0.5-PM是一款高性能强度调制器,适用于高达500 MHz的模拟调制任务,如卫星链路、天线远程控制以及射频光纤传输。该产品采用了退火质子交换波导技术,具有低插入损耗、低Vpi和高功率处理能力。其操作波长为785 nm,支持极佳的稳定性和消光比,非常适合量子光子学、脉冲产生、主动模式锁定激光以及研究与开发等领域。它的物理特性和设计使其成为光通信组件市场中的一个重要产品。
规格书
厂家介绍
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孔径: 3.6mm 峰值光功率密度: 600MW/cm^2 波长范围: 190 - 3500 nm
BBO普克尔盒BBO电光晶体的普克尔盒用于改变通过它的光的偏振态,当电压施加到BBO电光晶体的电极上时。典型的应用包括激光腔的Q开关、激光腔倒空和将光耦合到再生放大器中。低压电振铃使得BBO普克尔盒对于高功率和高重复率激光器的控制具有吸引力。与电池适当匹配的快速开关电子驱动器可用于Q开关、腔倒空和其他应用。BBO普克尔盒是横向场器件。四分之一波电压与电极间距和晶体长度的比例成正比,因此,较小的孔径,较低的四分之一波电压,此外,具有较低四分之一波电压的双晶体设计被广泛用于工作在具有快速开关时间的半波模式。优点-紧凑的尺寸-低吸收-较小压电环-
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电光调制器(EOM)
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KD*P(磷酸二氘钾)由于其优异的电光特性而成为电光应用中较广泛使用的材料,当施加的电压引起晶体中的双折射变化时,诸如KD*P的电光材料可以改变通过它的光的偏振状态,当与偏振器结合使用时,KD*P普克尔盒可用作产生激光脉冲的光学Q开关。KD*P用于从UV到约1.1µm的应用,其中吸收限制了其在有源腔中的使用,尽管当可以容忍几个百分点的吸收时,它可以在更长的波长下使用。
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电光调制器(EOM)
CRYSTECH Inc.
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RTP(磷酸钛氧铷-RbTiOPO4)是电光调制器和Q开关非常理想的晶体材料。由于它的自然双折射,它总是成对工作,仔细匹配以补偿双折射。激光沿X轴或y轴传播,沿输入面的对角线偏振,并在第二晶体中旋转90°。然后,先进晶体中的慢射线变成第二晶体中的快射线,因此理论上在晶体对中消除了总的静态双折射。RTP较适合于中等平均功率的激光源,其中高重复率和短Q开关脉冲长度比高平均功率更重要。
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DKDP普克尔盒DKDP电光Q开关(Q-Switch,Pockels Cell)因其独特的物理特性和优良的光学质量而被广泛应用于大口径、高功率、窄脉冲(1Ons)激光系统中,DKDP晶体是一种具有优良光学质量的单轴晶体,其消光比为2000:1(使用632 nm He-Ne激光器测量),波前畸变为98%。DKDP电光调Q电容小(约3-5pF),因此上升时间短(0.5ns),调Q时可输出窄脉宽的脉冲激光,与市场上广泛使用的电光晶体相比,具有更高的损伤阈值;在10ns脉宽、1064nm波长和10Hz重复频率的光学条件下,损伤阈值为1GW/cm2。优点-波前失真:低电容-上升时间短:~3pF-高透光率:98%-高损伤阈值:1GW/cm2-无静态双折射,无光折变损伤-抗反射涂层石英窗-耐环境温度冲击和优异的电光性能
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电光调制器(EOM)
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定制普克尔盒
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