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GT66A

分类：激光器模块和系统

厂家： Gigaphoton

产地：日本

型号： GT66A

更新时间： 2024-08-30 10:58:07

标签：

激光器光学模块曝光光源半导体设备

简介：

满足进一步技术要求的浸没式光刻光源

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概述
规格参数
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特征
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概述

先进产品制造目前仍继续应用摩尔定律，技术节点日益微细化。这些尖端产品对转印到晶圆上的曝光图案、特别是EPE（Edge Placement Error）具有很高的要求。作为光源通过降低直接影响EPE的CD LER/LWR(Line Edge Roughness/Line Width Roughness)，为提高批量生产现场的成品率提供帮助。新型浸没式曝光光源“GT66A”通过新开发的光学模块成功地将散斑对比度降低30%，减少了LER/LWR。还通过引入新的高度耐用零件，将模块的维护周期延长30%。由此实现进一步改善工序成品率、提高光源的可用性，为尖端节点批量生产的高生产性提供帮助。

参数

波长 / Wavelength : 193 nm
功率 / Power : 60-90 W

应用

1. 半导体制造 2. 光刻曝光 3. 高端光源应用

特征

1. 波长：193 nm 2. 散斑对比度降低30% 3. 维护周期延长30% 4. 提高生产率

详述

主要特点

改善最尖端节点的成品率

通过新开发的光学模块将散斑对比度降低30%，并实现了LER/LWR的改善。从而为光刻尖端节点批量生产的节点进一步改善提供帮助。

高水平的可用性

还通过引入最新的高度耐用零件，将模块的维护周期延长30%。由此实现高水平的可用性，并有助于提高生产性。

提供可持续发展解决方案

该光源标配无氦技术，除可以防备稀有气体供给不足的风险外，还能通过气体的消耗量削减技术实现更环保。

主要规格

规格项目	值^*
振荡波长	193 nm
输出	60 – 90W
振荡频率	6,000 Hz
光谱宽度(95%能量积分宽度-E95)	300 +/- 1.5fm wafer average
特点	减少EPE的解决方案 Continuous Reliability Improvement (CRI) Package 可持续发展解决方案

(*) 上述各规格值为代表值

/nGT66A是由GIGAPHOTON公司推出的先进浸没式曝光光源，具有极其高的技术规格和卓越的性能。该产品采用193 nm的波长，特别适用于半导体行业的光刻工艺。通过降低散斑对比度30%和延长维护周期30%，GT66A不仅提升了生产过程的效率，还显著提高了设备的可用性，使其在封装和集成电路生产中得到广泛应用。其显著的优势在于能够有效降低EPE（边缘定位误差），从而提高成品率，确保制造过程在最尖端节点的高生产性。GT66A为用户提供了一款理想的光源解决方案，确保在不断追求技术进步的市场中保持竞争力。

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厂家介绍

成立于2000年，Giga photon Inc .公司是一家支持半导体产业的前沿技术公司。自从Giga photon创立以来，Giga photon就一直在开发和营销人性化、高创新性的激光光源，并将其传递给全球半导体行业的主要光刻工具供应商。此外，他们还积#较好#力于作为下一代光刻光源的极紫外( EUV )光源的开发和批量生产。吉格光子已经成长为包括日本在内的亚洲市场的霸主，拥有包括该地区大多数主要半导体器件制造商在内的大量安装基地，成为全球领先的准分子激光光源制造商。吉格光子在美国和欧洲市场也继续快速增长。

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