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IPSDD1009 超辐射发光二极管
精品

IPSDD1009

分类: 超辐射发光二极管

厂家: InPhenix

产地: 美国

型号: IPSDD1009

更新时间: 2024-08-30 14:35:37

光学相干断层扫描 生物医学成像 光纤传感器 超级发光二极管 宽光谱带宽

Super-Luminescent Light Emitting Diode Device

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概述

Inphenix的IPSDD1009是一款超辐射发光二极管,波长为1040至1060 nm,输出功率为10至15 MW,带宽(FWHM)为50至55 nm,工作电流为300至400 mA,正向电流为500 mA(最大电流)。有关IPSDD1009的更多详细信息,请联系我们。

参数

  • 光纤模式 / Fiber Mode : SMF/PMF/MMF
  • 类型 / Type : Fiber-Coupled SLED

应用

1. 宽带光源 2. 光纤传感器系统 3. 生物医学成像设备 4. 光学相干断层扫描(OCT)

特征

1. 宽光谱带宽 2. 非常低的光谱波动 3. 在SM或PM光纤中的高输出功率

详述

IPSDD1009 (1050nm)是由INPHENIX公司生产的一款超级发光二极管设备,具有宽光谱带宽、非常低的光谱波动和高输出功率的特点。该设备能够在SM或PM光纤中实现高输出功率,适用于宽带光源、光纤传感器系统、生物医学成像设备和光学相干断层扫描(OCT)等多种应用场景。其参数包括中心波长为1040-1060nm,3dB带宽为50-55nm,工作电流为300-400mA,最大电流为500mA,工作温度范围为-20°C至70°C等。该产品还提供多种封装类型和光纤护套选择,满足不同用户的需求。

规格书

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厂家介绍

Inphenix是一家总部位于加利福尼亚州利弗莫尔的私人控股公司,设计和制造有源光电元件和模块。我们通过ISO 9001:2008认证的工厂包括较先进的晶圆厂、具有完整封装能力的生产区和能够测试从芯片级到模块级产品的测试区。我们较先进的设计和制造技术确保符合Telcordia GR-486-CORE的要求。Inphenix从前端到后端的完整功能是我们为客户提供的关键优势。

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