OSD35-LR-A

分类：光电二极管

厂家： OSI Laser Diode, Inc.

产地：美国

型号： OSD35-LR-A

更新时间： 2024-08-27 17:49:28

标签：

激光应用快速响应光电探测低暗电流高能粒子检测

简介：

Fully Depleted Photodiodes

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概述

OSI Laser Diode，Inc.的OSD35-LR-A是一款波长范围为830 nm、电容为1300 PF、响应度/光敏度为0.54 A、旁路电阻3GΩ、NEP 5.6 e-15 W/√Hz的光电二极管。有关OSD35-LR-A的更多详细信息，请联系我们。

参数

波长范围 / Wavelength Range : 830 nm
光电二极管材料 / Photodiode Material : Silicon
RoHS / RoHs : Yes
电容 / Capacitance : 1300 pF
响应度/光敏度 / Responsivity/Photosensitivity : 0.54 A/W

应用

1. 激光制导导弹 2. 激光警告 3. 激光测距仪 4. 激光对准 5. 控制系统 6. 电子检测 7. 医疗仪器 8. 高能谱学 9. 带电粒子检测 10. 高能物理 11. 核物理

特征

1. 大有效面积 2. 全耗尽 3. 快速响应 4. 超低暗电流 5. 低电容 6. 高击穿电压

详述

Large Active Area Photodiodes 是具有大有效面积和快速响应特点的高性能光电探测器。它们可以全耗尽以实现最低的结电容，从而获得极快的响应时间。通过施加较高的反向电压，这些探测器可以进一步加快响应速度，适用于高能X射线、伽马射线以及电子、阿尔法射线和重离子等高能粒子的检测。此外，这些探测器还具有超低暗电流和低电容的特点，非常适合医疗仪器、高能谱学和核物理等应用领域。

规格书

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厂家介绍

OSI激光二极管公司（LDI）成立于1967年，为广泛的应用和行业生产较高质量的先进光电产品。我们较先进的制造、先进的产品开发和质量计划，加上我们持续的流程改进，体现了我们的领导、可靠性和诚信原则。

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